公开(公告)号：CN105431947B

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201480042898.7

申请日：2014-03-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 古桥壮之 ,  三浦成久

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

Abstract: 提供一种能够有效地提高阈值电压的碳化硅半导体装置及其制造方法。具备：第1导电类型的漂移层(2)，形成于碳化硅基板(1)上；多个第2导电类型的阱区域(3)，相互隔开间隔地形成于漂移层(2)的表层部；第1导电类型的源极区域(4)，形成于阱区域(3)的表层部的一部分；栅极绝缘膜(5)，形成于阱区域(3)和源极区域(4)的表面的一部分；以及栅电极(6)，以与源极区域(4)的端部和阱区域(3)对置的方式形成于栅极绝缘膜(5)的表面。进而，栅极绝缘膜(5)在与阱区域(3)的界面区域中，形成具有比碳化硅的导带边缘更深的能级的第1陷阱，具有包括硅和氢的键合的缺陷部(10)。

公开(公告)号：CN105431947A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201480042898.7

申请日：2014-03-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 古桥壮之 ,  三浦成久

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/408 ,  H01L21/049 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/51 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802

Abstract: 提供一种能够有效地提高阈值电压的碳化硅半导体装置及其制造方法。具备：第1导电类型的漂移层(2)，形成于碳化硅基板(1)上；多个第2导电类型的阱区域(3)，相互隔开间隔地形成于漂移层(2)的表层部；第1导电类型的源极区域(4)，形成于阱区域(3)的表层部的一部分；栅极绝缘膜(5)，形成于阱区域(3)和源极区域(4)的表面的一部分；以及栅电极(6)，以与源极区域(4)的端部和阱区域(3)对置的方式形成于栅极绝缘膜(5)的表面。进而，栅极绝缘膜(5)在与阱区域(3)的界面区域中，形成具有比碳化硅的导带边缘更深的能级的第1陷阱，具有包括硅和氢的键合的缺陷部(10)。