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公开(公告)号：CN1914713A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200480041470.7
申请日：2004-03-22
Applicant: 三益半导体工业株式会社
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/30604
Abstract: 本发明提供一种即使各种条件的晶片，也可以实现蚀刻处理的蚀刻量的均匀化，并且可使蚀刻后的晶片间的厚度均匀的旋转蚀刻的工序管理方法及旋转蚀刻装置。本发明首先在蚀刻处理前，以1/1000g单位来测定晶片的重量测定，接着，由旋转蚀刻部来进行规定的蚀刻处理。接着，在晶片的冲洗干燥处理后，再度进行1/1000g单位的重量测定，由晶片的蚀刻前后的差额重量来算出实际蚀刻量，每次确认蚀刻液的蚀刻速率，以控制蚀刻时间。
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