公开(公告)号：CN100533769C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200710084951.1

申请日：2007-02-17

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 田中秀治 ,  菊地修一 ,  中谷清史 ,  吉武和广

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0878 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明涉及一种高耐压MOS晶体管，其具有300V左右的高的源极-漏极耐压Bvds，并且具有低的接通电阻。形成有从源极层(55)侧向栅极电极(54)下方延伸的N型体层(63)。形成有比第一漂移层(65)更深地扩散到外延半导体层(51)中，并从第一漂移层(65)的下方向栅极电极(54)的下方延伸，在该栅极电极(54)的下方与体层(63)形成PN结的P型第二漂移层(64)。该第二漂移层(64)和源极层(55)之间的体层(63)的表面成为沟道区域(CH2)。第一漂移层(65)形成为从容易产生电场集中的栅极电极(54)的左端部(E1)离开。