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公开(公告)号：CN1519998A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200410004848.8
申请日：2004-02-06
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。
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公开(公告)号：CN102157583B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201110027034.6
申请日：2007-09-19
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/05 , H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/0201 , H01L31/02013 , H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/05 , H01L31/0504 , H01L31/0508 , H01L31/0512 , H01L31/0747 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池模块，其在表面保护部件和背面保护部件之间配置有多个太阳能电池单元，太阳能电池单元的母线电极(20)彼此通过接片相互电连接。太阳能电池模块在母线电极(20)与接片(40)之间，设置有由包含多个导电粒子(70)的树脂(60)构成的粘结层，母线电极(20)与接片(40)通过导电粒子(70)电连接，树脂(60)还覆盖母线电极(20)的侧面，粘结接片(40)和光电变换部(10)的表面。
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公开(公告)号：CN102157583A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110027034.6
申请日：2007-09-19
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/0203
CPC classification number: H01L31/0201 , H01L31/02013 , H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/05 , H01L31/0504 , H01L31/0508 , H01L31/0512 , H01L31/0747 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池模块，其在表面保护部件和背面保护部件之间配置有多个太阳能电池单元，太阳能电池单元的母线电极(20)彼此通过接片相互电连接。太阳能电池模块在母线电极(20)与接片(40)之间，设置有由包含多个导电粒子(70)的树脂(60)构成的粘结层，母线电极(20)与接片(40)通过导电粒子(70)电连接，树脂(60)还覆盖母线电极(20)的侧面，粘结接片(40)和光电变换部(10)的表面。
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公开(公告)号：CN102148295A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201010619582.3
申请日：2004-02-06
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。
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公开(公告)号：CN102142488A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010620144.9
申请日：2004-02-06
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101523617B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200780036087.6
申请日：2007-09-19
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/0201 , H01L31/02013 , H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/05 , H01L31/0504 , H01L31/0508 , H01L31/0512 , H01L31/0747 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池模块，其在表面保护部件和背面保护部件之间配置有多个太阳能电池单元，太阳能电池单元的母线电极(20)彼此通过接片相互电连接。太阳能电池模块在母线电极(20)与接片(40)之间，设置有由包含多个导电粒子(70)的树脂(60)构成的粘结层，母线电极(20)与接片(40)通过导电粒子(70)电连接，树脂(60)还覆盖母线电极(20)的侧面，粘结接片(40)和光电变换部(10)的表面。
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公开(公告)号：CN101317275B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200680044358.8
申请日：2006-11-28
IPC: H01L31/042 , C08J3/22
CPC classification number: C08J3/226 , C08F255/02 , C08J2323/06 , C08J2423/00 , C08K5/005 , C08K5/34 , C08K5/49 , C08L23/0815 , C08L23/26 , C08L43/04 , C08L51/06 , C08L2314/06 , C09D123/0892 , H01L31/0481 , Y02E10/50 , Y02P20/582 , C08F230/08 , C08L2666/06 , C08L2666/04
Abstract: 本发明的主要目的在于提供一种能够在发生热点现象时抑制填充材料的白浊的太阳电池组件用填充材料。为了实现所述目的，本发明提供一种太阳电池组件用填充材料，其特征在于，所述太阳电池组件用填充材料具有：内含使乙烯性不饱和硅烷化合物及聚合用聚乙烯聚合而成的硅烷改性树脂的填充材料用树脂，和内含紫外线吸收剂、光稳定化剂、热稳定化剂、以及母体胶料用聚乙烯的母体胶料，所述聚合用聚乙烯以及所述母体胶料用聚乙烯为具有0.895～0.910g/cm3的范围内的密度的茂金属系直链状低密度聚乙烯。
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公开(公告)号：CN101523617A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780036087.6
申请日：2007-09-19
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/0201 , H01L31/02013 , H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/05 , H01L31/0504 , H01L31/0508 , H01L31/0512 , H01L31/0747 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池模块，其在表面保护部件和背面保护部件之间配置有多个太阳能电池单元，太阳能电池单元的母线电极(20)彼此通过接片相互电连接。太阳能电池模块在母线电极(20)与接片(40)之间，设置有由包含多个导电粒子(70)的树脂(60)构成的粘结层，母线电极(20)与接片(40)通过导电粒子(70)电连接，树脂(60)还覆盖母线电极(20)的侧面，粘结接片(40)和光电变换部(10)的表面。
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公开(公告)号：CN101317275A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200680044358.8
申请日：2006-11-28
IPC: H01L31/042 , C08J3/22
CPC classification number: C08J3/226 , C08F255/02 , C08J2323/06 , C08J2423/00 , C08K5/005 , C08K5/34 , C08K5/49 , C08L23/0815 , C08L23/26 , C08L43/04 , C08L51/06 , C08L2314/06 , C09D123/0892 , H01L31/0481 , Y02E10/50 , Y02P20/582 , C08F230/08 , C08L2666/06 , C08L2666/04
Abstract: 本发明的主要目的在于提供一种能够在发生热点现象时抑制填充材料的白浊的太阳电池组件用填充材料。为了实现所述目的，本发明提供一种太阳电池组件用填充材料，其特征在于，所述太阳电池组件用填充材料具有：内含使乙烯性不饱和硅烷化合物及聚合用聚乙烯聚合而成的硅烷改性树脂的填充材料用树脂，和内含紫外线吸收剂、光稳定化剂、热稳定化剂、以及母体胶料用聚乙烯的母体胶料，所述聚合用聚乙烯以及所述母体胶料用聚乙烯为具有0.895～0.910g/cm3的范围内的密度的茂金属系直链状低密度聚乙烯。
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公开(公告)号：CN1340890A
公开(公告)日：2002-03-20
申请号：CN01131277.7
申请日：2001-08-29
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/16 , H01S5/0425 , H01S5/168
Abstract: 本发明涉及半导体激光元件及其制造方法。P型AlGaInP第1覆盖层上,在脊部的侧面及开孔区域的上方的脊部的上表面区域形成有n型GaAs电流阻挡层。端面近旁的区域上的p型GaAs顶盖层上形成隆起部,端面近旁的第1电极区域上形成隆起区域。第1电极的隆起区域间的区域上形成具有比隆起区域的高度大的厚度的第2电极。
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