-
公开(公告)号：CN101668361A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910171748.7
申请日：2003-12-23
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 韩仁泽
CPC classification number: B82Y10/00 , H05B33/26 , H05B33/28 , Y10S428/917
Abstract: 本发明提供了一种无机电致发光器件。该器件具有堆叠结构，其中在与无机发光层相接触的介电层与电极之间设置了电场增强层。在器件中，通过电场增强层提供了额外的电子，从而增大了发光效率，使得器件能够发射具有所需亮度的光，并且延长器件的寿命。
-
公开(公告)号：CN100577290C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200610009266.8
申请日：2006-02-15
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: B01J37/00 , B01J32/00 , B01J31/06 , B01J23/755 , C01B31/02
CPC classification number: C23C16/04 , B01J23/755 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , H01M4/96
Abstract: 本发明公开一种用于合成碳纳米管的催化剂层的制备方法和使用其合成碳纳米管的方法。所述催化剂层的制备方法包括：在基底上涂覆由共聚物形成的薄膜；热处理所述基底上的薄膜以形成规则结构；去除形成所述共聚物的嵌段共聚物的一部分；在去除所述嵌段共聚物的一部分的薄膜上沉积催化剂基体；去除所述薄膜以形成由多个金属催化剂点的催化剂层；以及在所述金属催化剂点之间形成阻挡层，从而所述金属催化剂点不彼此组合且聚结。
-
公开(公告)号：CN100568436C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200510113205.1
申请日：2005-10-12
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J29/481 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01J1/304 , H01J3/022 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , Y10S977/84 , Y10S977/842 , Y10S977/847 , Y10S977/89
Abstract: 本发明提供碳纳米管发射器及其制造方法、使用该碳纳米管发射器的场发射器件及其制造方法。碳纳米管发射器包括多个固定在基板上与基板平行的第一碳纳米管，以及多个形成在所述第一碳纳米管的表面上的第二碳纳米管。
-
公开(公告)号：CN101097826A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710003741.5
申请日：2007-01-24
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , Y10S977/742 , Y10S977/842 , Y10S977/938 , Y10S977/939
Abstract: 本发明提供一种形成碳纳米管(CNT)结构的方法以及利用形成碳纳米管结构的该方法制造场发射器件的方法。形成CNT结构的方法包括：在基板上形成电极；在所述电极上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成颗粒形催化剂层；蚀刻通过所述催化剂层暴露的所述缓冲层；以及从形成在所述被蚀刻的缓冲层上的所述催化剂层生长CNT。
-
公开(公告)号：CN1830766A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610008640.2
申请日：2006-02-20
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , H01J1/304 , H01J2201/30469 , H01J2329/00
Abstract: 本发明提供CNT结构及其制造方法、以及利用该CNT结构的FED装置及其制造方法。该CNT结构包括基板、涂覆在基板上具有预定尺寸的多个缓冲颗粒、通过对在基板上沉积至预定厚度从而覆盖缓冲颗粒的催化剂材料进行退火而形成在缓冲颗粒的表面上的多个催化剂层、以及从催化剂层生长的多个CNT。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1721323A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510082139.6
申请日：2005-07-04
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B01J37/086 , B01J21/185 , B01J23/12 , B01J23/22 , B01J23/28 , B01J23/70 , B82Y30/00 , D01F9/127
Abstract: 本发明提供一种形成基底催化剂的新方法，及利用该形成基底催化剂的方法合成碳纳米管的方法，该基底催化剂可以控制碳纳米管的生长密度并增加碳纳米管的均匀性。形成用于生长碳纳米管的基底催化剂的方法包括：将包含催化金属前体、固体和溶剂的前体糊涂布在基材上；及还原涂布在所述基材上的前体糊的催化金属前体，从而形成催化金属颗粒。
-
公开(公告)号：CN1707727A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510072913.5
申请日：2005-05-23
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J3/022 , H01J29/481 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种场发射器件及使用该场发射器件的场发射显示器。该场发射器件包括玻璃基板、形成在玻璃基板上且具有凹的部分的材料层、形成在材料层上的阴极电极、形成在阴极电极凹的部分上的电子发射极、形成在阴极电极上并具有与凹的部分连通的腔的栅极绝缘层、以及形成在栅极绝缘层上并具有与腔对准的栅极孔的栅极电极。
-
公开(公告)号：CN1427437A
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：CN02144500.1
申请日：2002-09-30
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01J9/02
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明公开了一种形成衬底的浮置结构、浮置栅电极和场致发射器件的方法。形成自衬底抬高的浮置结构的方法包括：在衬底上形成膨胀引发层，该层可以由与预定反应气体的反应而产生导致体积膨胀的副产物；在合成叠层上形成用于浮置结构的目标材料层；在合成叠层上形成孔，反应气体通过该孔供给；通过该孔供应反应气体，使得该目标材料层因膨胀引发层与反应气体的反应所产生的副产物而自衬底部分地抬高；以及通过该孔去除副产物，使得目标材料层自衬底抬升的部分可以完全与衬底分离，形成浮置结构。
-
公开(公告)号：CN1992198A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610153696.7
申请日：2006-09-14
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/768 , C01B31/02
Abstract: 提供了一种生长碳纳米管的方法和一种使用该碳纳米管形成半导体器件的导电线的方法。形成半导体器件的导电线的方法包括：制备衬底；在所述衬底上形成具有多个突起的电极；在电极上形成催化剂层，其覆盖突起并促进碳纳米管的生长；形成覆盖催化剂层的绝缘层；在绝缘层中形成通孔，其暴露催化剂层的表面的一部分；以及通过在催化剂层的表面上方向通孔内注入含碳气体，在催化剂层的表面上生长碳纳米管，从而形成导电线。该形成导电线的方法可以用于减小半导体器件的电阻并提高半导体器件的电流密度，并实现半导体器件的超高度集成，因为碳纳米管导电线可以应用于微小通孔。
-
公开(公告)号：CN1982210A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610101172.3
申请日：2006-07-05
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , Y10S977/876
Abstract: 提供了生长碳纳米管和采用所述碳纳米管制造场致发射器件的方法。所述的生长碳纳米管的方法包括：制备衬底；在所述衬底上形成催化剂金属层，以促进碳纳米管的生长；形成局部覆盖所述催化剂金属层的无定形碳层；以及从未被无定形碳层覆盖的催化剂金属层的表面生长碳纳米管。在所述的生长碳纳米管的方法中，以适于场致发射器件的发射器的密度，在低温下，以低成本生长碳纳米管。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
26
records
(took 0.021 seconds)
