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公开(公告)号:CN100521036C
公开(公告)日:2009-07-29
申请号:CN200510071639.X
申请日:2005-02-25
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30446
Abstract: 本发明涉及电子发射源和电子发射装置及其制造方法。形成电子发射源的方法包括:沉积至少一种带电的粒子到带有相反电荷的衬底上,该带电粒子选自由碳基材料、金属粒子、无机粒子、有机材料构成的组。方法给出在用于电子发射装置的电子发射源上选择性地以预定图案沉积碳纳米管,没有残留剩余的有机碳。得到的电子发射装置展现了良好的寿命和电子发射特性。该方法不需要另外的表面处理。
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公开(公告)号:CN100423161C
公开(公告)日:2008-10-01
申请号:CN03136801.8
申请日:2003-04-22
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/3048 , H01J31/127 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明公开一种用于场发射显示装置的电子发射源组合物,该组合物包括1~20%重量的碳纳米管;玻璃粉;有机粘合剂树脂,其包括乙基纤维素和丙烯酸酯树脂和/或丙烯酸树脂;及有机溶剂。其中玻璃粉的含量按100重量份的碳纳米管计为1~500重量份。
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公开(公告)号:CN101231927A
公开(公告)日:2008-07-30
申请号:CN200710187400.8
申请日:2007-11-27
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor: 赵晟希
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/304 , H01J29/04 , H01J2201/30446
Abstract: 本发明提供了一种用于电子发射源的碳基材料、包含该碳基材料的电子发射源、包括该电子发射源的电子发射装置和制备该电子发射源的方法。该电子发射源具有的碳基材料具有从由h2与h1之比(h2/h1)<1.3和FWHM2与FWHM1之比(FWHM2/FWHM1)>1.2组成的组中选择的至少一种特性,其中,在通过辐射波长为488±10nm、514.5±10nm、633±10nm或785±10nm的激光束获得的拉曼光谱中,h2表示第二峰的相对强度,第二峰是在1350±20cm-1的拉曼位移范围内的峰,h1表示第一峰的相对强度,第一峰是在1580±20cm-1的拉曼位移范围内的峰,FWHM2表示第二峰的半峰全宽,FWHM1表示第一峰的半峰全宽。包含该碳基材料的电子发射源具有长寿命和高电流密度。
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公开(公告)号:CN1913075A
公开(公告)日:2007-02-14
申请号:CN200610125792.0
申请日:2006-07-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J31/127 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供了一种电子发射源,包括在表面涂层中涂敷有金属碳化物的碳基材料,其中金属在1,500K或更低温度下形成金属碳化物时具有负的吉布斯自由能,本发明还提供了一种制备电子发射源的方法,以及一种包括该电子发射源的电子发射装置。电子发射源包括涂敷有金属碳化物的碳纳米管、或者包括顺序形成在其上的金属碳化物层和金属涂层的碳纳米管。因此,电子发射源在电子发射特性没有退化的情况下具有长使用寿命。电子发射源可以用于制造可靠性得以提高的电子发射装置。
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公开(公告)号:CN1702805A
公开(公告)日:2005-11-30
申请号:CN200510071639.X
申请日:2005-02-25
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30446
Abstract: 本发明涉及电子发射源和电子发射装置及其制造方法。形成电子发射源的方法包括:沉积至少一种带电的粒子到带有相反电荷的衬底上,该带电粒子选自由碳基材料、金属粒子、无机粒子、有机材料构成的组。方法给出在用于电子发射装置的电子发射源上选择性地以预定图案沉积碳纳米管,没有残留剩余的有机碳。得到的电子发射装置展现了良好的寿命和电子发射特性。该方法不需要另外的表面处理。
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