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公开(公告)号:CN100530520C
公开(公告)日:2009-08-19
申请号:CN200510006235.2
申请日:2005-02-02
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01J63/02 , H01J63/06 , H01J1/304 , G02F1/13357
CPC classification number: H01J29/89 , G02F1/133604 , G02F2001/133607 , G02F2001/133625 , H01J63/06
Abstract: 本发明提供了一种场发射背光装置。该场发射背光装置包括:前衬底和后衬底,它们平行设置,且彼此间隔开预定距离;阳极和阴极,该阳极和阴极彼此相对地设置在前衬底和后衬底的相应内表面上;荧光层,该荧光层形成在阳极上并具有预定厚度;凸出部分,该凸出部分由多个凸出的突起构成,该凸出部分形成在前衬底的与阳极相对的外表面上;以及电子发射器,该电子发射器形成在阴极上,以便通过施加场来发射电子。
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公开(公告)号:CN100396602C
公开(公告)日:2008-06-25
申请号:CN200410054949.6
申请日:2004-07-26
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , C01B2202/36 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及形成碳纳米管的方法。该方法包括:在基底上沉积电极;在电极上形成聚酰亚胺层,通过刻蚀聚酰亚胺层和电极的表面在电极中形成多个突出部分,在电极表面的突出部分之间形成催化金属层,在催化金属层上形成碳纳米管。
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公开(公告)号:CN1319114C
公开(公告)日:2007-05-30
申请号:CN02150439.3
申请日:2002-11-12
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0048 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , H01L51/0021 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了一种电子器件,该器件具有由易于与碳反应的金属制造的电极。在该电子器件中,其上通过利用含碳和氧的反应气体的化学气相沉积方法沉积碳纳米管的电极由这样的金属制造,该金属在与碳反应时比在与氧反应时产生更少的反应焓。因为电极由一种与碳反应快过与氧反应的金属制造,所以在电极上形成碳化金属层,从而防止电极氧化。因此,碳纳米管易于沉积在电极上。
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公开(公告)号:CN1652292A
公开(公告)日:2005-08-10
申请号:CN200510006235.2
申请日:2005-02-02
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01J63/02 , H01J63/06 , H01J1/304 , G02F1/13357
CPC classification number: H01J29/89 , G02F1/133604 , G02F2001/133607 , G02F2001/133625 , H01J63/06
Abstract: 本发明提供了一种场发射背光装置。该场发射背光装置包括:前衬底和后衬底,它们平行设置,且彼此间隔开预定距离;阳极和阴极,该阳极和阴极彼此相对地设置在前衬底和后衬底的相应内表面上;荧光层,该荧光层形成在阳极上并具有预定厚度;凸出部分,该凸出部分由多个凸出的突起构成,该凸出部分形成在前衬底的与阳极相对的外表面上;以及电子发射器,该电子发射器形成在阴极上,以便通过施加场来发射电子。
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公开(公告)号:CN1637511A
公开(公告)日:2005-07-13
申请号:CN200410092217.6
申请日:2004-11-03
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G02F1/1335 , H01J1/30 , H01J31/00 , G09G3/00 , G03F7/20
CPC classification number: H01J9/241 , H01J9/025 , H01J63/02 , H01J63/06 , H01J2201/30469 , H01J2329/00
Abstract: 提供一种用于液晶显示器(LCD)的场发射背光装置。所述背光装置包括:下衬底;以平行线交替形成在下衬底上的第一电极和第二电极;设置在第一和第二电极中至少第一电极上的发射器;与下衬底隔开预定距离的上衬底,使得上衬底和下衬底彼此面对;形成在上衬底的底面上的第三电极;以及形成在第三电极上的荧光层。由于背光装置具有三极管型场发射构造,所以场发射非常稳定。由于第一电极和第二电极被形成在同一平面中,所以改善了亮度均匀度并简化了制造工艺。如果发射器被设置在第一电极和第二电极上,以及为第一电极和第二电极交替地施加阴极电压和栅极电压,则能够改善发射器的使用寿命和亮度。
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公开(公告)号:CN1434480A
公开(公告)日:2003-08-06
申请号:CN02150439.3
申请日:2002-11-12
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0048 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , H01L51/0021 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了一种电子器件,该器件具有由易于与碳反应的金属制造的电极。在该电子器件中,其上通过利用含碳和氧的反应气体的化学气相沉积方法沉积碳纳米管的电极由这样的金属制造,该金属在与碳反应时比在与氧反应时产生更少的反应焓。因为电极由一种与碳反应快过与氧反应的金属制造,所以在电极上形成碳化金属层,从而防止电极氧化。因此,碳纳米管易于沉积在电极上。
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