-
公开(公告)号:CN102082077A
公开(公告)日:2011-06-01
申请号:CN201010517117.9
申请日:2010-10-15
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/32 , H01L51/56
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/0206 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02532 , H01L21/477 , H01L27/1277 , H01L27/3244 , H01L29/66757 , H01L29/78603 , H01L29/78675
Abstract: 本发明提供了一种制造多晶硅层的方法、一种使用该多晶硅层的薄膜晶体管、一种包括该多晶硅层的有机发光二极管显示装置及它们的制造方法。制造多晶硅层的方法包括:将缓冲层形成在基底上;将金属催化剂层形成在缓冲层上;使金属催化剂层中的金属催化剂扩散到缓冲层中;去除金属催化剂层;将非晶硅层形成在缓冲层上;对基底进行退火以使非晶硅层结晶成多晶硅层。薄膜晶体管包括:基底;缓冲层,设置在基底上;半导体层,设置在缓冲层上;栅绝缘层,设置在基底的上方并设置在半导体层上;栅电极,设置在栅绝缘层上;源电极和漏电极,均电连接到半导体层;金属硅化物,设置在缓冲层和半导体层之间。
-
公开(公告)号:CN101826556A
公开(公告)日:2010-09-08
申请号:CN201010124380.1
申请日:2010-02-26
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Inventor: 朴炳建 , 梁泰勋 , 徐晋旭 , 李基龙 , 马克西姆·利萨琴科 , 崔宝京 , 李大宇 , 李吉远 , 李东炫 , 朴钟力 , 安志洙 , 金永大 , 罗兴烈 , 郑珉在 , 郑胤谟 , 洪钟元 , 姜有珍 , 张锡洛 , 郑在琓 , 尹祥渊
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/6675 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管(TFT)和有机发光二极管(OLED)显示器装置。所述TFT和OLED显示器装置包括基板;缓冲层,所述缓冲层位于所述基板上;半导体层,所述半导体层位于所述缓冲层上;栅电极,所述栅电极与所述半导体层绝缘;栅绝缘层,所述栅绝缘层将所述半导体层与所述栅电极绝缘;以及源电极和漏电极,所述源电极和漏电极与所述栅电极绝缘,且部分连接所述半导体层,其中所述半导体层由金属催化剂结晶化的多晶硅层形成,且所述金属催化剂通过使用蚀刻剂吸杂来去除。此外,OLED显示器装置包括绝缘层,所述绝缘层位于所述基板的整个表面上;第一电极,所述第一电极位于所述绝缘层上,且电连接所述源电极和漏电极其中之一;有机层;和第二电极。
-
公开(公告)号:CN102386069A
公开(公告)日:2012-03-21
申请号:CN201110241085.9
申请日:2011-08-22
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L27/32
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L27/3262 , H01L29/1033 , H01L29/66765 , H01L29/78609 , H01L29/78675 , H01L29/78678
Abstract: 一种形成多晶硅层的方法,包括形成第一非晶硅层和形成第二非晶硅层,使得所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层具有彼此不同的膜性质;和用金属催化剂使所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层结晶,以形成第一多晶硅层和第二多晶硅层。一种薄膜晶体管包括由所述方法形成的多晶硅层,和一种有机发光装置包括所述薄膜晶体管。
-
公开(公告)号:CN101866853A
公开(公告)日:2010-10-20
申请号:CN201010128599.9
申请日:2010-03-03
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Inventor: 罗兴烈 , 李基龙 , 徐晋旭 , 郑珉在 , 洪钟元 , 姜有珍 , 张锡洛 , 郑胤谟 , 梁泰勋 , 苏炳洙 , 朴炳建 , 李东炫 , 李吉远 , 朴钟力 , 崔宝京 , 伊凡·迈丹丘克 , 白原奉 , 郑在琓
IPC: H01L21/324 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: 本发明公开一种基板处理设备,其通过均匀地加热基板,在多个基板上形成薄膜和热处理基板。该基板处理设备包括处理室、其中堆叠基板的船形器皿、位于处理室外部的外部加热器、将船形器皿移进和移出处理室的输送器、位于输送器下方的下部加热器、和位于船形器皿中间的中间加热器。
-
-
-