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公开(公告)号:CN102456708A
公开(公告)日:2012-05-16
申请号:CN201110291090.0
申请日:2011-09-23
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/1255 , H01L27/1288 , H01L27/3262 , H01L27/3265
Abstract: 本发明公开了一种有机发光二极管显示器及其制造方法。所述有机发光二极管显示器包括:第一多晶硅层图案,位于基底上并且具有第一栅电极、第二栅电极和第一电容器电极;栅极绝缘层图案;第二多晶硅层图案,包括第一有源层、第二有源层和电容器多晶硅哑层;第三非晶硅层图案,包括位于第一有源层的预定区域上的第一源极抵抗接触层和第一漏极抵抗接触层、位于第二有源层的预定区域上的第二源极抵抗接触层和第二漏极抵抗接触层以及位于电容器多晶硅哑层上的电容器非晶哑层;数据金属层图案,包括第一源电极、第一漏电极、第二源电极、第二漏电极和第二电容器电极。
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公开(公告)号:CN102456705A
公开(公告)日:2012-05-16
申请号:CN201110050250.2
申请日:2011-02-28
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L27/1255 , H01L27/1288 , H01L27/3265 , H01L29/4908 , H01L51/5265
Abstract: 本发明提供有机发光显示装置,包括:缓冲层,设置于基板上,并包括折射率不同的多个绝缘膜,所述多个绝缘膜中的至少一个在同一面上形成为不同的厚度;薄膜晶体管的活性层,形成于所述缓冲层的厚度较厚的区域;像素电极,形成于所述缓冲层的厚度较薄的区域;薄膜晶体管的栅电极、源电极以及漏电极,所述栅电极隔着栅绝缘膜形成于所述活性层上,所述薄膜晶体管的源电极以及漏电极连接至所述活性层;发光层,形成于所述像素电极上;以及相对电极,隔着所述发光层与所述像素电极相对地设置。
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公开(公告)号:CN102312218A
公开(公告)日:2012-01-11
申请号:CN201110006623.6
申请日:2011-01-10
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Inventor: 郑珉在 , 李基龙 , 洪钟元 , 罗兴烈 , 姜有珍 , 张锡洛 , 徐晋旭 , 梁泰勋 , 郑胤谟 , 苏炳洙 , 朴炳建 , 李东炫 , 李吉远 , 白原奉 , 朴钟力 , 崔宝京 , 伊凡·马伊达楚克 , 郑在琓
IPC: C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4481 , C23C16/45525 , C23C16/52
Abstract: 一种用于沉积装置的罐和使用罐的沉积装置,并且更为具体地,一种能够提供包含在供应到沉积室中的反应气体中的均匀量的原材料并且提高原材料供应的安全性的沉积装置的罐,以及使用罐的沉积装置。该沉积装置包括:沉积室;将反应气体供应到该沉积室的罐;以及用于将载气供应到罐的载气供应器,其中该罐包括主体、加热该主体的加热单元以及布置在该主体下方的温度测量单元。
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公开(公告)号:CN102082077A
公开(公告)日:2011-06-01
申请号:CN201010517117.9
申请日:2010-10-15
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/32 , H01L51/56
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/0206 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02532 , H01L21/477 , H01L27/1277 , H01L27/3244 , H01L29/66757 , H01L29/78603 , H01L29/78675
Abstract: 本发明提供了一种制造多晶硅层的方法、一种使用该多晶硅层的薄膜晶体管、一种包括该多晶硅层的有机发光二极管显示装置及它们的制造方法。制造多晶硅层的方法包括:将缓冲层形成在基底上;将金属催化剂层形成在缓冲层上;使金属催化剂层中的金属催化剂扩散到缓冲层中;去除金属催化剂层;将非晶硅层形成在缓冲层上;对基底进行退火以使非晶硅层结晶成多晶硅层。薄膜晶体管包括:基底;缓冲层,设置在基底上;半导体层,设置在缓冲层上;栅绝缘层,设置在基底的上方并设置在半导体层上;栅电极,设置在栅绝缘层上;源电极和漏电极,均电连接到半导体层;金属硅化物,设置在缓冲层和半导体层之间。
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公开(公告)号:CN101826556A
公开(公告)日:2010-09-08
申请号:CN201010124380.1
申请日:2010-02-26
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Inventor: 朴炳建 , 梁泰勋 , 徐晋旭 , 李基龙 , 马克西姆·利萨琴科 , 崔宝京 , 李大宇 , 李吉远 , 李东炫 , 朴钟力 , 安志洙 , 金永大 , 罗兴烈 , 郑珉在 , 郑胤谟 , 洪钟元 , 姜有珍 , 张锡洛 , 郑在琓 , 尹祥渊
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/6675 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管(TFT)和有机发光二极管(OLED)显示器装置。所述TFT和OLED显示器装置包括基板;缓冲层,所述缓冲层位于所述基板上;半导体层,所述半导体层位于所述缓冲层上;栅电极,所述栅电极与所述半导体层绝缘;栅绝缘层,所述栅绝缘层将所述半导体层与所述栅电极绝缘;以及源电极和漏电极,所述源电极和漏电极与所述栅电极绝缘,且部分连接所述半导体层,其中所述半导体层由金属催化剂结晶化的多晶硅层形成,且所述金属催化剂通过使用蚀刻剂吸杂来去除。此外,OLED显示器装置包括绝缘层,所述绝缘层位于所述基板的整个表面上;第一电极,所述第一电极位于所述绝缘层上,且电连接所述源电极和漏电极其中之一;有机层;和第二电极。
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