多层电子组件及电容组件
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109935466A

    公开(公告)日:2019-06-25

    申请号:CN201811079688.1

    申请日:2018-09-17

    Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件及电容组件,所述多层电子组件包括:多层电容器,包括分别形成在彼此相对的两端上的一对外电极;以及一对框架端子,具有允许所述多层电容器的所述外电极插入的结合孔,并且将所述多层电容器与安装表面分开,其中,所述外电极的带部结合到所述结合孔的内表面。

    多层陶瓷电容器
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109817456A

    公开(公告)日:2019-05-28

    申请号:CN201810919735.2

    申请日:2018-08-14

    Abstract: 本发明提供一种多层陶瓷电容器。所述多层陶瓷电容器包括主体以及分别设置在主体的在纵向方向上的相对表面上的第一外电极和第二外电极。主体包括:电容部分,包括内电极层和浮置电极层,内电极层包括分别暴露于主体的在纵向方向上的相对表面的第一内电极和第二内电极,浮置电极层包括浮置电极,内电极层与浮置电极层交替地堆叠,且第一介电层介于内电极层与浮置电极层之间;覆盖部分,设置在电容部分上,并且具有堆叠的第二介电层;虚设部分,设置在电容部分下方,并且包括具有虚设电极的虚设电极层和第三介电层,虚设电极层和第三介电层交替地堆叠;识别层,设置在虚设部分下方并具有与覆盖部分区分开的颜色。

    多层陶瓷电子部件
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103811181B

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201310011832.9

    申请日:2013-01-11

    Abstract: 本发明提供了多层陶瓷电子部件,包括:陶瓷本体,包括介电层;氧化物膜,形成在陶瓷本体的一个表面上;第一和第二外部电极,形成在位于陶瓷本体一个表面上的氧化物膜的两侧上;第一内部电极,形成在介电层上且包括第一电极引出部分和第一绝缘引出部分,第一电极引出部分暴露于第一外部电极,第一绝缘引出部分暴露于氧化物膜且具有形成在其暴露边缘部分中的复合金属氧化物区域;面向第一电极的第二内部电极,使介电层介于它们之间,并包括第二电极引出部分和第二绝缘引出部分,第二电极引出部分暴露于第二外部电极,第二绝缘引出部分暴露于氧化物膜,具有形成在其暴露边缘部分中的复合金属氧化物区域,并与第一绝缘引出部分交迭以形成附加电容。

    陶瓷电子组件以及制造陶瓷电子组件的方法

    公开(公告)号:CN113161146B

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202010667763.7

    申请日:2020-07-13

    Abstract: 本公开提供了一种陶瓷电子组件以及制造陶瓷电子组件的方法,所述陶瓷电子组件包括主体和外电极,所述主体包括介电层和内部电极,所述外电极设置在所述主体上并连接到所述内电极。所述介电层包括多个介电晶粒,并且所述多个介电晶粒中的至少一个具有核‑双壳结构,所述核‑双壳结构具有核和双壳。所述双壳包括围绕所述核的至少一部分的第一壳和围绕所述第一壳的至少一部分的第二壳,并且包括在所述第二壳中的稀土元素的浓度是包括在所述第一壳中的稀土元素的浓度的大于1.3倍且小于3.8倍。

    介电组合物以及包含该介电组合物的电子组件

    公开(公告)号:CN110323059B

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN201811360659.2

    申请日:2018-11-15

    Abstract: 本发明提供一种介电组合物以及包含该介电组合物的电子组件。所述介电组合物包含:基体材料粉末,包含BamTiO3(0.995≤m≤1.010);第一辅助成分,包含与元素周期表的第5族中的过渡金属对应的至少一种元素;第二辅助成分,包含Si离子、Si的氧化物、Si的碳化物和Si的水合物中的至少一种;第三辅助成分,包含元素周期表的第4周期或更高周期中的至少一种元素;以及第四辅助成分,包含元素周期表的第3周期中的至少一种元素,其中,0.70×B≤C+D≤1.50×B以及0.20≤D/(C+D)≤0.80,其中,B为第二辅助成分的总含量,C为第三辅助成分的总含量,D为第四辅助成分的总含量。

    片式层压电子元件、用于安装该元件的板件及其封装单元

    公开(公告)号:CN108155011B

    公开(公告)日:2019-10-18

    申请号:CN201810105812.0

    申请日:2013-01-07

    Abstract: 一种片式层压电子元件,包括:陶瓷本体,包括内电极和电介质层;外电极,覆盖陶瓷本体沿长度方向的两个端部;活性层,以相对的方式设置有内电极,并且该活性层具有插入内电极之间的电介质层,以形成电容;以及上覆盖层和下覆盖层,上覆盖层和下覆盖层形成在活性层沿厚度方向的上部和下部,下覆盖层的厚度大于上覆盖层的厚度;其中,当陶瓷本体的总厚度的一半定义为A、下覆盖层的厚度定义为B、活性层的总厚度的一半定义为C、以及上覆盖层的厚度定义为D时,满足D≥4μm和1.063≤(B+C)/A≤1.745,并且上覆盖层或下覆盖层包括识别部,识别部因其亮度或颜色的差异而区分陶瓷本体的上部和下部。

    介电组合物以及包含该介电组合物的电子组件

    公开(公告)号:CN110323059A

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201811360659.2

    申请日:2018-11-15

    Abstract: 本发明提供一种介电组合物以及包含该介电组合物的电子组件。所述介电组合物包含:基体材料粉末,包含BamTiO3(0.995≤m≤1.010);第一辅助成分,包含与元素周期表的第5族中的过渡金属对应的至少一种元素;第二辅助成分,包含Si离子、Si的氧化物、Si的碳化物和Si的水合物中的至少一种;第三辅助成分,包含元素周期表的第4周期或更高周期中的至少一种元素;以及第四辅助成分,包含元素周期表的第3周期中的至少一种元素,其中,0.70×B≤C+D≤1.50×B以及0.20≤D/(C+D)≤0.80,其中,B为第二辅助成分的总含量,C为第三辅助成分的总含量,D为第四辅助成分的总含量。

    片式层压电子元件、用于安装该元件的板件及其封装单元

    公开(公告)号:CN108155011A

    公开(公告)日:2018-06-12

    申请号:CN201810105812.0

    申请日:2013-01-07

    Abstract: 一种片式层压电子元件,包括:陶瓷本体,包括内电极和电介质层;外电极,覆盖陶瓷本体沿长度方向的两个端部;活性层,以相对的方式设置有内电极,并且该活性层具有插入内电极之间的电介质层,以形成电容;以及上覆盖层和下覆盖层,上覆盖层和下覆盖层形成在活性层沿厚度方向的上部和下部,下覆盖层的厚度大于上覆盖层的厚度;其中,当陶瓷本体的总厚度的一半定义为A、下覆盖层的厚度定义为B、活性层的总厚度的一半定义为C、以及上覆盖层的厚度定义为D时,满足D≥4μm和1.063≤(B+C)/A≤1.745,并且上覆盖层或下覆盖层包括识别部,识别部因其亮度或颜色的差异而区分陶瓷本体的上部和下部。

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