电子元件及其制造方法
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103325568A

    公开(公告)日:2013-09-25

    申请号:CN201210526339.6

    申请日:2012-12-07

    CPC classification number: H01G4/012 H01G4/232 H01G4/30

    Abstract: 提供了一种电子元件及其制造方法。该电子元件包括:陶瓷本体,该陶瓷本体包括沿长度方向的端面、沿宽度方向的侧面以及沿厚度方向的顶面和底面;第一外电极和第二外电极,该第一外电极和第二外电极分别形成在沿长度方向的端面上;第三外电极和第四外电极,该第三外电极和第四外电极分别形成侧面上;第一内电极,该第一内电极形成在陶瓷本体内且连接至第一外电极和第二外电极;以及第二内电极,该第二内电极与第一内电极交替地设置,同时第一内电极和第二内电极之间插入有陶瓷层,且第二内电极连接至第三外电极和第四外电极,其中第一内电极的厚度t1和第二内电极的厚度t2都为0.9μm或更小,同时第一内电极的粗糙度R1小于第二内电极的粗糙度R2。

    多层陶瓷电容器
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107123548B

    公开(公告)日:2019-03-08

    申请号:CN201610842656.7

    申请日:2014-04-29

    Inventor: 朴珉哲 蔡恩赫

    Abstract: 本发明公开了一种多层陶瓷电容器。该多层陶瓷电容器可具有低等效串联电感(ESL),其中,贯穿电极以对角的方式彼此相对并且偏离与外电极的中心点相对应的位置,从而显著地减小贯穿电极之间的距离并且减小电流路径。

    电子元件及其制造方法
    19.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103325568B

    公开(公告)日:2017-08-01

    申请号:CN201210526339.6

    申请日:2012-12-07

    CPC classification number: H01G4/012 H01G4/232 H01G4/30

    Abstract: 提供了一种电子元件及其制造方法。该电子元件包括:陶瓷本体,该陶瓷本体包括沿长度方向的端面、沿宽度方向的侧面以及沿厚度方向的顶面和底面;第一外电极和第二外电极,该第一外电极和第二外电极分别形成在沿长度方向的端面上;第三外电极和第四外电极,该第三外电极和第四外电极分别形成侧面上;第一内电极,该第一内电极形成在陶瓷本体内且连接至第一外电极和第二外电极;以及第二内电极,该第二内电极与第一内电极交替地设置,同时第一内电极和第二内电极之间插入有陶瓷层,且第二内电极连接至第三外电极和第四外电极,其中第一内电极的厚度t1和第二内电极的厚度t2都为0.9μm或更小,同时第一内电极的粗糙度R1小于第二内电极的粗糙度R2。

Patent Agency Ranking