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公开(公告)号：CN104347796B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201410370250.4
申请日：2014-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种磁存储装置，所述磁存储装置可以包括通过隧道阻挡件彼此分隔开的自由磁结构和参考磁结构。自由磁结构可以包括交换耦合层以及通过交换耦合层彼此分隔开的第一自由层和第二自由层。第一自由层可以设置在第二自由层和隧道阻挡件之间。第一自由层的厚度可以大于第一最大各向异性厚度，第一最大各向异性厚度是第一自由层具有最大垂直各向异性时的厚度。第二自由层的厚度可以小于第二最大各向异性厚度，第二最大各向异性厚度是第二自由层具有最大垂直各向异性时的厚度。具有不同厚度的两个自由层的磁隧道结能够实现具有提高的MR比率和减小的切换电流的磁存储装置。
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公开(公告)号：CN103682084B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201310389452.9
申请日：2013-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1659
Abstract: 本发明公开了磁存储器件及其形成方法。其中根据实施方式的磁存储器件包括在衬底上的第一参考磁性层、在第一参考磁性层上的第二参考磁性层、在第一参考磁性层和第二参考磁性层之间的自由层、在第一参考磁性层和自由层之间的第一隧道势垒层、以及在第二参考磁性层和自由层之间的第二隧道势垒层。第一参考磁性层、第二参考磁性层和自由层均具有基本上垂直于衬底的顶表面的磁化方向。第一隧道势垒层的电阻面积积（RA）值大于第二隧道势垒层的RA值。
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公开(公告)号：CN102956813B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201210285196.4
申请日：2012-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G06F13/16 , G11C11/161 , G11C11/1659 , H01L43/02 , H01L43/10
Abstract: 本申请提供磁隧道结器件、存储器、存储系统及电子设备。一种磁隧道结器件包括：第一结构，包括磁层；第二结构，包括至少两个外在垂直磁化结构，每个外在垂直磁化结构包括磁层以及该磁层上的垂直磁化诱导层；及隧道势垒，位于所述第一结构和第二结构之间。
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公开(公告)号：CN107017337A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201611122010.8
申请日：2016-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/1657 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种磁存储器件以及一种制造该磁存储器件的方法。该方法包括在基板上形成第一磁性层、在第一磁性层上形成隧道势垒层以及在隧道势垒层上形成第二磁性层。形成隧道势垒层包括在第一磁性层上形成第一金属氧化物层、在第一金属氧化物层上形成第一金属层、在第一金属层上形成第二金属氧化物层以及进行第一热处理工艺以氧化第一金属层的至少一部分。
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公开(公告)号：CN102024903B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201010282801.3
申请日：2010-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/02 , B82Y25/00 , G11C11/16 , G11C11/161 , H01F10/123 , H01F10/3236 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01F10/3286 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 一种磁存储器件可以包括第一垂直磁性层、在第一垂直磁性层上的非磁性层、以及在非磁性层上的第一结磁性层，其中，非磁性层在第一垂直磁性层和第一结磁性层之间。隧道势垒可以在第一结磁性层上，其中，第一结磁性层在非磁性层和隧道势垒之间。第二结磁性层可以在隧道势垒上，其中，隧道势垒在第一结磁性层和第二结磁性层之间，并且第二垂直磁性层可以在第二结磁性层上，其中，第二结磁性层在隧道势垒和第二垂直磁性层之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103682084A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310389452.9
申请日：2013-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1659
Abstract: 本发明公开了磁存储器件及其形成方法。其中根据实施方式的磁存储器件包括在衬底上的第一参考磁性层、在第一参考磁性层上的第二参考磁性层、在第一参考磁性层和第二参考磁性层之间的自由层、在第一参考磁性层和自由层之间的第一隧道势垒层、以及在第二参考磁性层和自由层之间的第二隧道势垒层。第一参考磁性层、第二参考磁性层和自由层均具有基本上垂直于衬底的顶表面的磁化方向。第一隧道势垒层的电阻面积积（RA）值大于第二隧道势垒层的RA值。
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公开(公告)号：CN102468425A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110349182.X
申请日：2011-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/02 , G11C11/16 , G11C11/1675 , H01L27/224 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了一种磁存储器件。该磁存储器件包括磁图案、参考图案、插设在磁图案与参考图案之间的隧道势垒图案以及设置在磁图案内部的至少一个磁段。该磁段为磁化方向至少具有在垂直于磁图案的磁化方向的平面内的分量的磁材料。
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公开(公告)号：CN111490153B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN201910960905.6
申请日：2019-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种磁存储器件，其包括：线图案，所述线图案位于衬底上；磁隧道结图案，所述磁隧道结图案位于所述线图案上；以及上导电线，所述上导电线跨越所述磁隧道结图案与所述线图案间隔开，并且连接到所述磁隧道结图案。所述线图案为所述磁隧道结图案提供自旋轨道矩。所述线图案包括拓扑绝缘体。
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公开(公告)号：CN111490153A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201910960905.6
申请日：2019-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种磁存储器件，其包括：线图案，所述线图案位于衬底上；磁隧道结图案，所述磁隧道结图案位于所述线图案上；以及上导电线，所述上导电线跨越所述磁隧道结图案与所述线图案间隔开，并且连接到所述磁隧道结图案。所述线图案为所述磁隧道结图案提供自旋轨道矩。所述线图案包括拓扑绝缘体。
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