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公开(公告)号:CN1652284A
公开(公告)日:2005-08-10
申请号:CN200510006406.1
申请日:2005-01-31
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供了一种制造场致发射器的方法。首先,在基板上形成图案化的导电层。接着,用场致发射材料和金属粉末的混合物涂覆导电层的上表面,并热处理该混合物从而改善该混合物对导电层的附着力。然后,除去沉积在除导电层以外的部分上的场致发射材料和金属。由此,场致发射器的寿命和场致发射特性得到极大改善,并且制造出具有优异特性的大面积场致发射器。
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公开(公告)号:CN1624850A
公开(公告)日:2005-06-08
申请号:CN200410104769.4
申请日:2004-12-06
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J63/02 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30469
Abstract: 提供一种形成碳纳米管发射器的方法。该方法包括在其上具有电极的衬底上涂覆光致抗蚀剂之后形成图案以在电极上形成光致抗蚀剂点;在衬底上涂覆碳纳米管糊以覆盖住光致抗蚀剂点;通过光致抗蚀剂点和经过烘干了的碳纳米管糊之间的相互扩散,在电极上形成碳纳米管发射器;以及移走覆盖住碳纳米管发射器的碳纳米管糊。
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公开(公告)号:CN1978318B
公开(公告)日:2012-03-28
申请号:CN200610171895.0
申请日:2006-10-18
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 提供一种包含金属颗粒的碳纳米管或不包含金属的碳纳米管以及切割碳纳米管的方法,该碳纳米管具有增加的表面积。根据该方法,碳纳米管的分散性可通过简化碳纳米管的结构变化或表面修饰而得到提高,从而使活性物质能够嵌入到碳纳米管的内壁,同时提高嵌入效率。
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公开(公告)号:CN101000846A
公开(公告)日:2007-07-18
申请号:CN200610151860.0
申请日:2006-09-13
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J63/06 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J31/127
Abstract: 本发明提供了一种电子发射装置的制造方法。该方法包括:(a)在基板上形成阴极电极;(b)通过构图在所述阴极电极上形成发射体;(c)在其中形成有所述发射体的所述基板结构的表面上,通过涂敷并干燥光敏玻璃糊料形成掩埋所述发射体的光敏玻璃糊料层;以及(d)通过曝光、显影和煅烧所述光敏玻璃糊料层构图(c)的所得物来形成门绝缘层。由于自对准而减少了用于制造电子发射装置的制造方法的工艺数目并简化了工艺,由此降低了制造成本。
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公开(公告)号:CN1868871A
公开(公告)日:2006-11-29
申请号:CN200610089816.1
申请日:2006-05-24
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , H01L51/0048 , Y10T428/30
Abstract: 本发明提供一种碳纳米管结构以及使该碳纳米管结构成形的方法。该碳纳米管结构包括衬底、形成在该衬底上且以预定形状成形的碳纳米管、以及形成在该碳纳米管的表面上从而将该碳纳米管保持在所述预定形状的金属层。该碳纳米管结构具有高的纯度和改进的电导率。
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公开(公告)号:CN1822281A
公开(公告)日:2006-08-23
申请号:CN200510137515.7
申请日:2005-12-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , B01J21/185 , B01J23/74 , B01J23/745 , B01J35/0013 , B01J37/0219 , B01J37/0228 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明公开了一种构图用于合成碳纳米管(CNT)的催化剂层的方法和使用该方法制造场发射器件(FED)的方法。所述构图催化剂层的方法包括:在基板上形成催化剂层,所述催化剂层由具有弱酸负离子团的金属盐形成;在所述催化剂层上形成光致抗蚀剂;使用光掩模将所述光致抗蚀剂曝光为预定的图案;使用强碱显影溶液来去除所述光致抗蚀剂和催化剂层的预定区;和去除所述光致抗蚀剂。
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公开(公告)号:CN101024495B
公开(公告)日:2010-07-14
申请号:CN200610172556.4
申请日:2006-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01M4/90 , B01J21/185 , B01J23/745 , B01J23/75 , B01J23/755 , B01J35/1019 , B01J35/1023 , B01J37/0203 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/16 , C01B32/162 , C01B2202/22 , C01B2202/32 , H01M4/9083 , H01M4/92 , H01M4/926
Abstract: 本发明提供碳纳米管,其制备方法,包括它的担载催化剂,及采用该担载催化剂的燃料电池。所述制备碳纳米管的方法包括:在单壁纳米管中沉积用于产生多壁纳米管的金属催化剂;及利用该用于产生多壁纳米管的金属催化剂,在单壁纳米管上生长多壁纳米管。本发明的碳纳米管具有令人满意的比表面积和低表面电阻。因而,所述碳纳米管表现得显著好于常规催化剂载体。因此,当用作燃料电池的电极的催化剂载体时,碳纳米管能够改善燃料电池的导电性。另外,采用所述电极的燃料电池具有优异的效率和综合性能。
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公开(公告)号:CN100542952C
公开(公告)日:2009-09-23
申请号:CN200610089816.1
申请日:2006-05-24
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , H01L51/0048 , Y10T428/30
Abstract: 本发明提供一种碳纳米管结构以及使该碳纳米管结构成形的方法。该碳纳米管结构包括衬底、形成在该衬底上且以预定形状成形的碳纳米管、以及形成在该碳纳米管的表面上从而将该碳纳米管保持在所述预定形状的金属层。该碳纳米管结构具有高的纯度和改进的电导率。
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公开(公告)号:CN101162678A
公开(公告)日:2008-04-16
申请号:CN200710091800.9
申请日:2007-04-11
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J1/74 , H01J1/70 , H01J31/127 , H01J2329/28
Abstract: 本发明提供一种场发射装置的阳极面板。该阳极面板包括衬底、形成在衬底下表面上的阳极电极、形成在阳极电极下表面上并且相对于一个像素具有多个开口的黑矩阵、覆盖对应每个像素的开口和开口之间的黑矩阵的具有预定颜色的荧光体层、以及形成在荧光体层下表面上的反射层。
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