非易失性存储器件和从其读取信息的方法

    公开(公告)号:CN101174456A

    公开(公告)日:2008-05-07

    申请号:CN200710089843.3

    申请日:2007-04-05

    Inventor: 金镐正

    CPC classification number: G11C16/26 G11C16/24

    Abstract: 一种非易失性存储器件包括存储单元阵列和电压控制器。所述存储单元阵列包括多个存储块,每个存储块包括多个单元串,其中,所述多个单元串的每一个包括第一选择晶体管、第二选择晶体管和在所述第一选择晶体管和第二选择晶体管之间串联的至少一个存储单元晶体管。所述电压控制器响应于对应于所述存储块的多个块选择信号而向连接到第一选择晶体管的第一选择线施加第一选择电压,向连接到第二选择晶体管的第二选择线施加第二选择电压,并且向连接到所述存储单元晶体管的字线施加字线电压。所述电压控制器通过在待机状态中向第二选择线施加第二选择线电压来将所述第二选择线预充电到预充电电压,其中,所述第二选择线电压等于所述预充电电压。

    三电平非易失性半导体存储器件和相关操作方法

    公开(公告)号:CN101013598A

    公开(公告)日:2007-08-08

    申请号:CN200710007943.7

    申请日:2007-02-01

    Inventor: 牟炫宣 金镐正

    Abstract: 一种非易失性半导体存储器件,包括3电平非易失性存储单元的存储器阵列。所述存储器阵列包括分别连接到第一偶位线和第一奇位线的存储单元的第一偶串和奇串,和分别连接到第二偶位线和第二奇位线的存储单元的第二偶串和奇串。第一偶位线和第一奇位线在数据编程和读取操作期间选择性地连接到第一公共位线,并且第二偶位线和第二奇位线在数据编程和读取操作期间选择性地连接到第二公共位线。该器件使用对应于3电平非易失性存储单元的3个阈值电压分布的数据的3个位来编程和读取存储单元对中的数据。

    用于处理全息图像的方法和装置

    公开(公告)号:CN106412552A

    公开(公告)日:2017-02-15

    申请号:CN201610630127.0

    申请日:2016-08-03

    Abstract: 一种用于从低分辨率图像生成全息图像的方法和装置,其中该低分辨率图像被变换成低分辨率复图像,该低分辨率复图像被插值成高分辨率复图像。通过变换低分辨率图像的更少像素,可减少计算量并且可提高用于生成全息图像的处理速度。

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