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公开(公告)号：CN110943158A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910863571.0
申请日：2019-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 制造半导体装置的方法包括：形成包括第一磁性层、第二磁性层和介于第一磁性层与第二磁性层之间的隧道阻挡层的磁隧道结层；图案化磁隧道结层以形成磁隧道结图案；形成覆盖磁隧道结图案的绝缘层；以及执行热处理工艺以结晶第一磁性层和第二磁性层的至少一部分。热处理工艺可包括：在形成磁隧道结层之后在第一温度下执行第一热处理工艺，以及在形成绝缘层之后在高于或等于第一温度的第二温度下执行第二热处理工艺。
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