公开(公告)号：CN114079006A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110930323.0

申请日：2021-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  金度润 ,  金裕珉 ,  金真弘 ,  水崎壮一郎 ,  曹永真

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明提供一种可变电阻存储器件以及包括该可变电阻存储器件的电子器件。该可变电阻存储器件包括可变电阻层以及在可变电阻层上彼此间隔开的第一导电元件和第二导电元件。可变电阻层可以包括第一层和在第一层上的第二层。第一层包括三元或以上的金属氧化物，该三元或以上的金属氧化物包含具有不同化合价的两种或更多种金属材料。第二层可以包括硅氧化物。可变电阻存储器件可以由于在其中容易形成氧空位的金属氧化物而具有宽范围的电阻变化。第一导电元件和第二导电元件可以被配置为响应于所施加的电压而在与第一层和第二层堆叠的方向垂直的方向上形成电流路径。

公开(公告)号：CN113964131A

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202110811914.6

申请日：2021-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真弘 ,  金世润 ,  曹永真

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11578

Abstract: 提供一种非易失性存储器件，其包括使用电阻变化材料的存储单元串。非易失性存储器件的每个存储单元串包括：在第一方向上延伸的半导体层；在第一方向上交替地布置的多个栅极和多个绝缘体；在所述多个栅极与半导体层之间以及在所述多个绝缘体和半导体层之间在第一方向上延伸的栅极绝缘层；以及在半导体层的表面上在第一方向上延伸的电阻变化层。电阻变化层包括包含半导体层的半导体材料和过渡金属氧化物的混合物的金属半导体氧化物。

公开(公告)号：CN113130508A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202010805334.1

申请日：2020-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹永真 ,  尹政昊 ,  金世润 ,  金真弘 ,  水崎壮一郎

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  G11C16/24 ,  G11C16/04

Abstract: 公开了一种垂直非易失性存储器件，其包括使用电阻变化材料的存储单元串。该非易失性存储器件的每个存储单元串包括：半导体层，在第一方向上延伸并具有与第二表面相反的第一表面；多个栅极和多个绝缘体，在第一方向上交替地布置并在垂直于第一方向的第二方向上延伸；栅极绝缘层，在所述多个栅极与半导体层的第一表面之间以及在所述多个绝缘体与半导体层的第一表面之间沿第一方向延伸；以及电介质膜，在半导体层的第二表面上沿第一方向延伸并具有分布在其中的多个可移动的氧空位。

公开(公告)号：CN113054099A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202011549731.3

申请日：2020-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  金真弘 ,  水崎壮一郎 ,  尹政昊 ,  曹永真

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 公开可变电阻存储器件。可变电阻存储器件包括可变电阻层、第一导电元件和第二导电元件。可变电阻层包括第一层和第二层。第一层由第一材料形成。第二层在第一层上且由具有与第一材料的密度不同的密度的第二材料形成。第一导电元件和第二导电元件位于可变电阻层上并且彼此间隔开以在可变电阻层中形成电流路径。电流路径在与第一层和第二层堆叠的方向垂直的方向上。