公开(公告)号：CN116453468A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310018726.7

申请日：2023-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹贤智 ,  金亮郁 ,  金庚椿 ,  禹锡润 ,  金判洙 ,  金昺逸 ,  金炯泰 ,  尹智秀

IPC: G09G3/34

Abstract: 提供驱动发光二极管背光单元的方法和执行该方法的显示装置。所述驱动发光二极管(LED)背光单元的方法包括生成施加到多条栅极线的多个栅极信号，所述发光二极管(LED)背光单元包括连接到所述多条栅极线和多条源极线的多个LED元件。在所述多个栅极信号被生成的同时，两个邻近的栅极信号的激活区间之间的非重叠区间被生成。所述多个栅极信号中的全部在非重叠区间期间被去激活。施加到所述多条源极线的多个源极信号被生成。在所述多个源极信号被生成的同时，包括在非重叠区间中的高阻抗(Hi‑Z)区间被生成。所述多个源极信号中的至少一些在高阻抗区间期间具有高阻抗状态。

公开(公告)号：CN114664257A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111477719.0

申请日：2021-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昺逸 ,  金亮郁 ,  金判洙 ,  金炯泰 ,  禹锡润 ,  尹智秀 ,  尹贤智

IPC: G09G3/3233 ,  G09G3/34

Abstract: 公开了包括发光二极管背光单元的显示装置。所述显示装置可包括：发光二极管(LED)背光单元(BLU)；像素驱动电路，被配置为生成扫描信号和图像信号；以及像素电路，被配置为基于扫描信号和图像信号生成输出电流，并将输出电流发送到LED BLU。像素电路包括：第一晶体管，连接在输入引脚与节点之间，输入引脚被配置为接收图像信号，第一晶体管包括被配置为接收扫描信号的栅极端子；第二晶体管，连接在所述节点与地端子之间，第二晶体管包括连接到所述节点的栅极端子；第三晶体管，连接在所述节点与栅极节点之间；第四晶体管，被配置为根据栅极节点的电压生成输出电流；以及电容器，连接到栅极节点。

公开(公告)号：CN102332241B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201110305685.7

申请日：2008-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白承桓 ,  崔昌辉 ,  金炯泰

IPC: G09G3/20 ,  G05F1/56 ,  G05F1/567

CPC classification number: G05F3/30

Abstract: 一种与绝对温度成比例的(PTAT)电流生成电路，可以包括电流镜单元和/或电平控制单元。电流镜单元可以连接在第一电源电压、第一节点、和第二节点之间。电平控制单元可以连接在第一节点、第二节点、和第二电源电压之间。电平控制单元可被配置为，基于第一节点的电压电平和第二节点的电压电平控制电流镜单元的输出电流的电平。电平控制单元可以包括：连接在第一节点和第二电源电压之间的第一晶体管；连接在第二节点和第三节点之间的至少一个第二晶体管，所述至少一个第二晶体管被配置为操作于弱反型区；和连接在第三节点和第二电源电压之间的第三晶体管。

公开(公告)号：CN103326681A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310087376.6

申请日：2013-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炯泰 ,  车首益

IPC: H03F3/45 ,  H03F1/02

CPC classification number: H03F3/45179 ,  H03F3/3028 ,  H03F3/45219 ,  H03F2200/456 ,  H03F2203/45166

Abstract: 本发明提供了一种用于输出缓冲器的放大器、信号处理设备和放大器电路。所述用于输出缓冲器的放大器包括：运算放大器，包括第一输入端、第二输入端和输出端，运算放大器被构造为产生输入偏置电流，对施加到第一输入端和第二输入端的信号之间的电压差进行放大，并输出放大的电压差；和自偏置电路，连接到第一输入端和第二输入端，自偏置电路被构造为当施加到第一输入端和第二输入端的信号之间的电压差等于或大于预定电压时产生第一电流路径和第二电流路径，在第一电流路径或第二电流路径上产生尾电流，将产生的尾电流加入到运算放大器的输入偏置电流中，其中，第二输入端连接到输出端。

公开(公告)号：CN101373389B

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN200810097181.9

申请日：2008-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白承桓 ,  崔昌辉 ,  金炯泰

IPC: G05F1/56 ,  G05F1/567 ,  G09G3/20

CPC classification number: G05F3/30

Abstract: 一种与绝对温度成比例的(PTAT)电流生成电路，可以包括电流镜单元和/或电平控制单元。电流镜单元可以连接在第一电源电压、第一节点、和第二节点之间。电平控制单元可以连接在第一节点、第二节点、和第二电源电压之间。电平控制单元可被配置为，基于第一节点的电压电平和第二节点的电压电平控制电流镜单元的输出电流的电平。电平控制单元可以包括：连接在第一节点和第二电源电压之间的第一晶体管；连接在第二节点和第三节点之间的至少一个第二晶体管，所述至少一个第二晶体管被配置为操作于弱反型区；和连接在第三节点和第二电源电压之间的第三晶体管。

公开(公告)号：CN101237233A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810088119.3

申请日：2008-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炯泰 ,  康彰植 ,  朴天郁

IPC: H03K19/0185 ,  H03F3/45 ,  G09G3/36

CPC classification number: H03F3/45192 ,  H03F1/083 ,  H03F3/3022 ,  H03F2203/30015 ,  H03F2203/45091 ,  H03F2203/45248 ,  H03F2203/45626

Abstract: 本发明披露了具有转换速率偏移的输出缓冲器和包括其的源极驱动器。该输出缓冲器具有：差分输入电路，将通过正输入端和负输入端输入的差分电压信号转换成差分电流信号，并输出该差分电流信号。该差分输入电路可以包括多个PMOS晶体管和多个NMOS晶体管。该输出缓冲器还包括转换速率匹配电路，其补偿形成在多个PMOS晶体管周围的第一寄生电容器的分量和形成在多个NMOS晶体管周围的第二寄生电容器的分量之间的差值。