公开(公告)号：CN118263300A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311610526.7

申请日：2023-11-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  汉阳大学校产学协力团

Inventor： 李升姬 ,  郑在景 ,  徐承完 ,  卓容奭 ,  金俞琳 ,  金台原 ,  郑宙希

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/786 ,  H10B12/00

Abstract: 提供场效应晶体管和集成电路装置，场效应晶体管包括：在衬底上的绝缘阻挡层；在绝缘阻挡层上延伸的栅电极；覆盖栅电极的相对侧表面和顶表面的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上并包括选自铟(In)和锌(Zn)中的至少一种金属元素的氧化物半导体层；以及彼此分离的源极结构和漏极结构，源极结构和漏极结构电连接至氧化物半导体层。源极结构和漏极结构中的每一个包括氧化物半导体层上的铟镓锡氧化物(IGTO)膜、IGTO膜上的导电金属氮化物膜、导电金属氮化物膜上的源电极和漏电极中的一个、以及源电极和漏电极中的一个的顶表面上的顶部封盖层。

公开(公告)号：CN116583105A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310045511.4

申请日：2023-01-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金台原 ,  尹智园 ,  金俞琳 ,  李柾汉 ,  卓容奭

IPC: H10B12/00 ,  H01L29/24

Abstract: 一种半导体设备包括：位线，其在衬底上在第一水平方向上延伸；沟道层，其位于位线上，沟道层在竖直方向上延伸，包括包含铟的第一氧化物半导体材料，并且具有第一侧壁和第二侧壁；字线，其位于沟道层的第一侧壁上；接触形成区域，其位于沟道层的顶表面和第二侧壁的上部上，接触形成区域包括包含铟并且具有比沟道层的电阻率低的电阻率的第二氧化物半导体材料；接触层，其位于接触形成区域上；以及电容器结构，其位于接触层的顶表面上。

公开(公告)号：CN116096082A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202211348797.5

申请日：2022-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金台原 ,  金俞琳 ,  林舒禧 ,  李公洙 ,  卓容奭

IPC: H10B12/00 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体器件包括：基板；导电线，在基板上在第一水平方向上延伸；隔离绝缘层，在基板和导电线上在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸，并限定从隔离绝缘层的上表面延伸穿过隔离绝缘层到隔离绝缘层的下表面的沟道沟槽；结晶氧化物半导体层，沿着沟道沟槽的内侧表面的至少一部分和沟道沟槽的底表面的至少一部分延伸并电连接到导电线；以及栅电极，在沟道沟槽内在结晶氧化物半导体层上在第二水平方向上延伸。