公开(公告)号：CN102044424A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010511468.9

申请日：2010-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑钟基

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L29/78 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L29/458 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/74 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及包括金属硅化物层的半导体器件及其制造方法。具体地，本发明涉及制造包括金属硅化物层的半导体器件的方法，以及一种通过制造具有均匀厚度的细长金属硅化物层而与基板掺杂类型无关的方法形成的器件。平坦的空区通过硅基板的非晶化的表面层与绝缘层的分离而产生，金属源通过接触孔经过与空区连接的绝缘层进入空区，热处理将空区中的金属转换为金属硅化物。该分离通过将非晶硅转换为晶体硅而引起。