公开(公告)号：CN111916499A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN202010385780.1

申请日：2020-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋昇炫 ,  孙昌佑 ,  郑荣采 ,  洪思焕

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种垂直场效应晶体管(VFET)器件及其制造方法。该VFET器件包括：鳍结构，形成在衬底上；栅极结构，包括形成在鳍结构的侧壁的上部上的栅极电介质层以及形成在栅极电介质层的下部上的导体层；顶部源极/漏极(S/D)区，形成在鳍结构和栅极结构之上；底部S/D区，形成在鳍结构和栅极结构之下；顶部间隔物，形成在栅极电介质层的上部上，并在顶部S/D区与导体层的顶表面之间；以及底部间隔物，形成在栅极结构与底部S/D区之间。栅极电介质层的顶表面定位在与顶部间隔物的顶表面相同或基本上相同的高度处、或者定位为低于顶部间隔物的顶表面，并高于导体层的顶表面。

公开(公告)号：CN111146276A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201911021682.3

申请日：2019-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋昇炫 ,  郑荣采

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了集成电路器件及其形成方法。集成电路器件可以包括在竖直方向上从衬底突出的沟道区、第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。所述第一源极/漏极区可以与所述沟道区竖直地交叠。所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区分别与所述沟道区的第一部分和第二部分接触，所述沟道区的所述第一部分和所述第二部分之间的第三部分可以包括在垂直于所述竖直方向的第一水平方向上纵向延伸的第一沟道区和在垂直于所述竖直方向并且横穿所述第一水平方向的第二水平方向上纵向延伸的第二沟道区。所述集成电路器件还可以包括栅极结构，所述栅极结构位于所述沟道区的相对的竖直侧面上。