公开(公告)号：CN107248503B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201710212763.6

申请日：2014-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪秀宪 ,  姜熙秀 ,  金炫助 ,  沈相必 ,  郑熙暾

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其包括具有在第一方向上纵向对准的第一鳍、第二鳍和第三鳍的基板。第一沟槽在第一鳍和第二鳍之间延伸，第二沟槽在第二鳍和第三鳍之间延伸。场绝缘材料的第一部分设置在第一沟槽中，场绝缘材料的第二部分设置在第二沟槽中。场绝缘材料的第二部分的上表面在第二沟槽中在第二鳍和第三鳍的最上表面下面的水平处凹进。第一虚设栅极设置在场绝缘材料的第一部分的上表面上，第二虚设栅极至少部分地延伸到第二沟槽中至场绝缘材料的第二部分的上表面。

公开(公告)号：CN104425493B

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201410058492.X

申请日：2014-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪秀宪 ,  姜熙秀 ,  金炫助 ,  沈相必 ,  郑熙暾

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其包括具有在第一方向上纵向对准的第一鳍、第二鳍和第三鳍的基板。第一沟槽在第一鳍和第二鳍之间延伸，第二沟槽在第二鳍和第三鳍之间延伸。场绝缘材料的第一部分设置在第一沟槽中，场绝缘材料的第二部分设置在第二沟槽中。场绝缘材料的第二部分的上表面在第二沟槽中在第二鳍和第三鳍的最上表面下面的水平处凹进。第一虚设栅极设置在场绝缘材料的第一部分的上表面上，第二虚设栅极至少部分地延伸到第二沟槽中至场绝缘材料的第二部分的上表面。

公开(公告)号：CN107248503A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201710212763.6

申请日：2014-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪秀宪 ,  姜熙秀 ,  金炫助 ,  沈相必 ,  郑熙暾

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其包括具有在第一方向上纵向对准的第一鳍、第二鳍和第三鳍的基板。第一沟槽在第一鳍和第二鳍之间延伸，第二沟槽在第二鳍和第三鳍之间延伸。场绝缘材料的第一部分设置在第一沟槽中，场绝缘材料的第二部分设置在第二沟槽中。场绝缘材料的第二部分的上表面在第二沟槽中在第二鳍和第三鳍的最上表面下面的水平处凹进。第一虚设栅极设置在场绝缘材料的第一部分的上表面上，第二虚设栅极至少部分地延伸到第二沟槽中至场绝缘材料的第二部分的上表面。

公开(公告)号：CN105914206A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610098348.8

申请日：2016-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  李润锡 ,  金炫助 ,  李化成 ,  郑熙暾 ,  朴世玩 ,  郑宝哲

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823481 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/10879 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/785

Abstract: 本公开提供了集成电路器件及其制造方法。集成电路器件包括：具有不同导电类型的沟道区的第一和第二鳍型有源区；第一器件隔离层，覆盖第一鳍型有源区的两个侧壁；第二器件隔离层，覆盖第二鳍型有源区的两个侧壁。第一器件隔离层和第二器件隔离层具有不同的堆叠结构。为了制造该集成电路器件，覆盖第一鳍型有源区的两个侧壁的第一器件隔离层和覆盖第二鳍型有源区的两个侧壁的第二器件隔离层在形成第一鳍型有源区和第二鳍型有源区之后形成。第一器件隔离层和第二器件隔离层形成为具有不同的堆叠结构。