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公开(公告)号：CN1157772C
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN99109464.6
申请日：1999-05-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/127 , H01L27/1214 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78621
Abstract: 利用具有P-沟道薄膜晶体管和N-沟道薄膜晶体管的聚硅型薄膜晶体管液晶显示器中上栅极层与下栅极层之间蚀刻率的不同，可以形成带下凹之下栅极层的双栅极层。通过在N+离子注入过程中用上栅极层作为离子注入掩膜，可以很容易形成LDD结构。由上栅极层与下栅极层之间扭曲的大小确定LDD的尺寸。可以省去为了掩膜离子注入所需的额外光刻步骤。
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公开(公告)号：CN1146854C
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN99118491.2
申请日：1999-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 郑柄厚
CPC classification number: G09G3/3674 , G09G3/3677 , G09G3/3688 , G09G2310/0248 , G09G2310/0251 , G09G2310/0297
Abstract: 在包括多个栅极线、多个数据线以及具有与栅极线连接的栅极和与数据线连接的源极的薄膜晶体管的液晶显示装置面板中，把多个数据线分成n个块，并顺次施加图像信号。这时，在向第n个块中的数据线施加图像信号的同时，向第n+j个块中的数据线施加预充电信号。
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公开(公告)号：CN1246698A
公开(公告)日：2000-03-08
申请号：CN99118491.2
申请日：1999-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 郑柄厚
CPC classification number: G09G3/3674 , G09G3/3677 , G09G3/3688 , G09G2310/0248 , G09G2310/0251 , G09G2310/0297
Abstract: 在包括多个栅极线、多个数据线以及具有与栅极线连接的栅极和与数据线连接的源极的薄膜晶体管的液晶显示装置面板中,把多个数据线分成n个块,并顺次施加图像信号。这时,在向第n个块中的数据线施加图像信号的同时,向第n+j个块中的数据线施加预充电信号。
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公开(公告)号：CN1241025A
公开(公告)日：2000-01-12
申请号：CN99109464.6
申请日：1999-05-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/70
CPC classification number: H01L27/127 , H01L27/1214 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78621
Abstract: 利用具有P－沟道薄膜晶体管和N－沟道薄膜晶体管的聚硅型薄膜晶体管液晶显示器中上栅极层与下栅极层之间蚀刻率的不同,可以形成带下凹之下栅极层的双栅极层。通过在N+离子注入过程中用上栅极层作为离子注入掩膜,可以很容易形成LDD结构。由上栅极层与下栅极层之间扭曲的大小确定LDD的尺寸。可以省去为了掩膜离子注入所需的额外光刻步骤。
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