公开(公告)号：CN111446251A

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201910903777.1

申请日：2019-09-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑元哲 ,  赵学柱

IPC: H01L27/11

Abstract: 本发明公开一种集成电路器件，该集成电路器件包括静态随机存取存储器(SRAM)阵列，该SRAM阵列包括：第一至第四有源鳍，沿第一方向彼此平行地延伸；第一栅极线，与第二至第四有源鳍重叠；第二栅极线，在第一方向上与第一栅极线间隔开并与第一至第三有源鳍重叠；第三栅极线，在第一方向上与第一栅极线间隔开并与第四有源鳍重叠；第四栅极线，在第一方向上与第二栅极线间隔开并与第一有源鳍重叠；第一场隔离层，接触第二有源鳍的一端；以及第二场隔离层，接触第三有源鳍的一端。第一至第四栅极线沿与第一方向交叉的第二方向延伸。

公开(公告)号：CN106057803A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610102379.6

申请日：2016-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴炳哉 ,  申宪宗 ,  赵学柱 ,  吕京奂

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供一种半导体器件，其包括：从衬底突出的鳍有源区以及限定所述鳍有源区的隔离区；与所述鳍有源区和所述隔离区交叉的栅极图案；以及形成在所述栅极图案的侧表面上且延伸到所述隔离区的表面上的栅极间隔件。

公开(公告)号：CN1292571A

公开(公告)日：2001-04-25

申请号：CN00131892.6

申请日：2000-09-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李容卓 ,  赵学柱 ,  金荣宽

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 具有电容器保护层的半导体存储器件以及制备半导体存储器件的方法。半导体存储器件的电容器被具有多层结构的密封层覆盖。密封层包括由不同材料组成的阻隔层和电容器保护层。阻隔层由能防止电容器介质层挥发和/或能防止位于阻隔层之下的材料层与电容器保护层之间反应的材料组成。电容器保护层由能防止氢扩散到电容器介质层中的材料层组成。此外,半导体存储器件可具有在电容器与钝化层之间的作为另一电容器保护层的氢阻挡层。