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公开(公告)号:CN1960168A
公开(公告)日:2007-05-09
申请号:CN200610143146.7
申请日:2006-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种在宽频带范围内获得阻抗匹配的放大器。该宽带放大器包括:第一n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管,接收输入信号;第二NMOS晶体管,缓冲由第一NMOS晶体管放大的信号;第三NMOS晶体管,放大从第一NMOS晶体管的源供给的信号;输出端,输出通过将第二NMOS晶体管缓冲的信号和第三NMOS晶体管放大的信号组合而获得的信号。
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公开(公告)号:CN1893261A
公开(公告)日:2007-01-10
申请号:CN200610065517.4
申请日:2006-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03F3/45188 , H03F3/193 , H03F2200/294 , H03F2203/45386 , H03F2203/45481
Abstract: 提供一种宽带低噪声放大器和放大方法。所述宽带低噪声放大器包括:输入端,通过天线接收的射频(RF)信号被输入其中;输出端,从中输出放大的RF信号;至少一个增益控制部分,其与输出端的负载并联以调整放大的RF信号的增益;以及至少一个负载调谐部分,其与输出端的负载谐振以调整负载阻抗的谐振频率。所述方法包括:对输入的RF信号进行放大并将放大的RF信号输出到输出端,其中,通过与输出端的负载并联的至少一个开关装置的开关操作来调整放大的RF信号的增益。
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