公开(公告)号：CN109560082A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811056399.X

申请日：2018-09-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李明东 ,  李准原 ,  李基硕 ,  金奉秀 ,  朴硕汉 ,  韩成熙 ,  黄有商

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/532 ,  H01L21/8242

Abstract: 本公开提供了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：衬底，在其中具有沟槽；位线，其位于沟槽中；第一间隔件，其沿着沟槽的一部分和位线的侧表面的至少一部分延伸，并且与位线接触；以及第二间隔件，其布置在第一间隔件上的沟槽中。位线比沟槽更窄，并且第一间隔件包括氧化硅。一种形成半导体器件的方法包括：在衬底中形成沟槽；在第一沟槽中形成宽度小于第一沟槽的宽度的位线；以及形成沿沟槽的一部分延伸并且包括与位线的侧表面的至少一部分接触的氧化硅的第一间隔件；以及在沟槽中的第一间隔件上方形成第二间隔件。

公开(公告)号：CN117917950A

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202311329628.1

申请日：2023-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权赫宇 ,  金汶浚 ,  李准原 ,  崔允硕

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00 ,  H01L23/64

Abstract: 一种电容器结构包括：下电极结构，具有位于基板上的下电极和包括电极图案的电极结构，该电极图案沿与基板的上表面实质上垂直的竖直方向堆叠在下电极上；介电图案，接触下电极结构；以及上电极，接触介电图案。

公开(公告)号：CN113013083A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202011020787.X

申请日：2020-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文锦妃 ,  金镇用 ,  李准原 ,  黄光台 ,  金益秀 ,  任智芸

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/02

Abstract: 本申请提供了形成材料膜的方法、集成电路器件和制造集成电路器件的方法。为了制造集成电路(IC)器件，制备了具有限定沟槽的台阶结构的下结构。在沟槽内部形成材料膜。为了形成材料膜，将包括第一中心元素和具有第一尺寸的第一配体的第一前体供应到下结构上，以在下结构上形成第一前体的第一化学吸附层。将包括第二中心元素和具有小于第一尺寸的第二尺寸的第二配体的第二前体供应到包括第一化学吸附层的所得结构上，以在下结构上形成第二前体的第二化学吸附层。将反应气体供应到第一化学吸附层和第二化学吸附层。

公开(公告)号：CN110610855A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201910171174.7

申请日：2019-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑会晟 ,  姜太星 ,  申东石 ,  李公洙 ,  李准原

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/8242

Abstract: 提供了一种制造半导体装置的方法。所述方法可以包括在基底的核心-外围区域上形成栅极结构。基底还可以包括单元区域。所述方法还可以包括在栅极结构的侧壁上形成栅极间隔件；通过执行第一离子注入工艺在基底的核心-外围区域中形成与栅极间隔件相邻的第一杂质区域；去除栅极间隔件；通过执行第二离子注入工艺在基底的核心-外围区域中并且在栅极结构和第一杂质区域之间形成第二杂质区域；在栅极结构、第一杂质区域的上表面和第二杂质区域的上表面上形成应力膜；通过由于执行退火工艺使第一杂质区域和第二杂质区域结晶来形成再结晶区域。

公开(公告)号：CN109427788A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810666188.1

申请日：2018-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李准原 ,  高在康 ,  文锦妃 ,  崔炳德

IPC: H01L27/108

Abstract: 第一位线结构设置在第一接触结构与第二接触结构之间。第一空气间隔物插置在第一接触结构与第一位线结构之间。第一分离空间连接到第一空气间隔物的空气入口，并且插置在第一接触结构与第一位线结构之间。具有间隙部分的盖绝缘图案插置在第一接触结构与第二接触结构之间。间隙部分具有向下减小的宽度。空气覆盖图案覆盖该盖绝缘图案以密封第一分离空间。