公开(公告)号：CN107946174B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN201710946191.4

申请日：2017-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄宣惠 ,  曹仑廷 ,  郑元雄 ,  金湳健 ,  李公洙 ,  B.林 ,  赵允哲

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/033

Abstract: 公开形成硅层的方法、形成图案的方法和使用其制造半导体器件的方法。形成图案的方法包括在基底上形成蚀刻对象层；在所述蚀刻对象层上形成牺牲图案，所述牺牲图案包括含碳材料；将硅‑硫化合物或者含硫气体提供到所述牺牲图案上以形成晶种层；将硅前体提供到所述晶种层上以形成含硅的掩模图案；和使用所述掩模图案将所述蚀刻对象层至少部分地蚀刻。

公开(公告)号：CN116096073A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202210882082.1

申请日：2022-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金度希 ,  张星旭 ,  洪思焕 ,  李公洙

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/033

Abstract: 提供了图案形成方法和使用图案形成方法的半导体装置制造方法。所述图案形成方法包括：在基底上形成第一覆盖层；形成穿透基底的上部和第一覆盖层的凹槽，使得第一覆盖层的未穿透部分构成第一覆盖图案；形成覆盖所述凹槽的内侧壁的第二覆盖图案；和在所述凹槽中形成堆叠结构，使得堆叠结构包括交替地堆叠的第一堆叠图案和第二堆叠图案，并且第二覆盖图案在基底与堆叠结构的侧表面之间。

公开(公告)号：CN115954361A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202211204721.5

申请日：2022-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔元熙 ,  张星旭 ,  申东石 ,  具奉珍 ,  李公洙

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了一种半导体器件。一种半导体器件，包括：第一有源图案，与衬底间隔开并沿第一方向延伸；第二有源图案，比第一有源图案更远离衬底并沿第一方向延伸；栅极结构，在衬底上，该栅极结构沿与第一方向相交的第二方向延伸，并穿透第一有源图案和第二有源图案；第一源/漏区，在栅极结构的至少一个侧表面上并连接到第一有源图案；第二源/漏区，在栅极结构的至少一个侧表面上并连接到第二有源图案；以及缓冲层，在衬底和第一有源图案之间，该缓冲层包含锗。

公开(公告)号：CN115700921A

公开(公告)日：2023-02-07

申请号：CN202210846269.6

申请日：2022-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金台原 ,  金亨俊 ,  卓容奭 ,  金俞琳 ,  李公洙

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H10B12/00 ,  H10B12/10

Abstract: 一种半导体装置包括：导线，其在基板上在第一方向上延伸；第一氧化物半导体层，其在导线上包括包含第一金属元素的第一结晶氧化物半导体材料；第二氧化物半导体层，其在导线上与第一氧化物半导体层物理接触并连接到导线；栅电极，其在第二氧化物半导体层的侧部在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及电容器结构，其在第二氧化物半导体层和栅电极上连接到第二氧化物半导体层，其中，第二氧化物半导体层包括包含第一金属元素以及不同于第一金属元素的第二金属元素和第三金属元素的第二结晶氧化物半导体材料。