图像传感器以及包括该图像传感器的电子设备

    公开(公告)号:CN116525628A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202310067836.2

    申请日:2023-01-13

    Abstract: 图像传感器包括:传感器基板,包括被配置为感测光的多个感光单元;以及滤色器阵列,设置在传感器基板上。滤色器包括:多个滤光器,设置为分别面对多个感光单元以过滤不同波长的光;以及栅栏结构,被配置为将多个滤光器彼此分离。栅栏结构的宽度可以根据具有介于其间的宽度彼此相邻设置的两个滤光器的类型而具有多个不同的值。图像传感器可以减少相邻单元之间的串扰。

    用于估计分析物的浓度的设备和方法以及校准方法

    公开(公告)号:CN112741624A

    公开(公告)日:2021-05-04

    申请号:CN202010395254.3

    申请日:2020-05-12

    Inventor: 李俊虎 金常圭

    Abstract: 提供了用于估计分析物的浓度的设备和方法以及校准方法。所述用于估计分析物的浓度的设备包括:光学传感器,被配置为朝着对象发射光并接收从对象反射的光;以及处理器,被配置为:基于接收的光获得吸收系数与散射系数的比率,基于获得的比率获得对象的第一吸收光谱,通过从第一吸收光谱消除散射校正光谱来获得第二吸收光谱,散射校正光谱对应于散射系数根据发射的光的波长的非线性改变,以及基于第二吸收光谱估计分析物的浓度。

    具有纳米光子透镜阵列的图像传感器以及包括该图像传感器的电子装置

    公开(公告)号:CN118335758A

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202311741209.9

    申请日:2023-12-15

    Abstract: 提供一种图像传感器,包括:传感器衬底,包括多个像素;纳米光子透镜阵列,包括多个纳米结构,多个纳米结构被设置为对入射光进行颜色分离并且将颜色分离后的入射光会聚到多个像素上;以及滤色器层,包括多个滤色器,其中,透射第一波段的光的滤色器的总数大于透射第二波段的光的滤色器的数量和透射第三波段的光的滤色器的数量,并且纳米光子透镜阵列的多个纳米结构对第二波段的光和第三波段的光进行颜色分离并且会聚,并且对第一波段的光进行会聚而不进行颜色分离。

    包括纳米光子微透镜阵列的图像传感器以及包括该图像传感器的电子设备

    公开(公告)号:CN117995855A

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202311377376.X

    申请日:2023-10-23

    Abstract: 图像传感器包括传感器基板和纳米光子微透镜阵列,传感器基板包括用于感测入射光的多个像素,纳米光子微透镜阵列包括分别与多个像素相对应的多个纳米光子微透镜,其中,多个纳米光子微透镜中的每个纳米光子微透镜包括二维布置的多个纳米结构,以将入射光会聚到相应像素上,跨两个相邻的纳米光子微透镜之间的边界彼此直接面对布置的两个纳米结构之间的间隙大于多个纳米光子微透镜中每个纳米光子微透镜中的多个纳米结构的排列周期。

    图像传感器和包括该图像传感器的电子装置

    公开(公告)号:CN117650150A

    公开(公告)日:2024-03-05

    申请号:CN202311088689.3

    申请日:2023-08-28

    Abstract: 一种图像传感器包括:传感器基板,包括分别感测第一波长、第二波长和第三波长的光的第一像素、第二像素和第三像素;分色透镜阵列,改变第一波长、第二波长和第三波长的光的相位,并将相变光分别会聚到第一像素、第二像素和第三像素上。分色透镜阵列包括分别面对第一像素至第三像素的第一像素对应区域至第三像素对应区域。第一像素对应区域包括多个第一纳米柱,第二像素对应区域包括多个第二纳米柱,并且第三像素对应区域包括多个第三纳米柱,第二纳米柱之中具有最大截面宽度的第二中心纳米柱与第二像素的中心重叠,并且第三纳米柱之中具有最大截面宽度的第三中心纳米柱与第三像素的中心不重叠。

    图像传感器及包括该图像传感器的电子装置

    公开(公告)号:CN117316965A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202310693803.9

    申请日:2023-06-12

    Abstract: 一种图像传感器可以包括像素阵列,该像素阵列包括二维地布置的多个像素。每个像素可以包括:第一超光电二极管,吸收第一波段的光;第二超光电二极管,吸收第二波段的光;以及第三超光电二极管,吸收第三波段的光,其中,第一超光电二极管、第二超光电二极管和第三超光电二极管可以布置在尺寸小于衍射极限的区域中。布置在像素阵列的中心部分中的多个像素中的第一超光电二极管、第二超光电二极管和第三超光电二极管的布置形式可以与布置在像素阵列的外围中的多个像素中的第一超光电二极管、第二超光电二极管和第三超光电二极管的布置形式相同。

    图像传感器以及包括图像传感器的电子装置

    公开(公告)号:CN115810643A

    公开(公告)日:2023-03-17

    申请号:CN202211092411.9

    申请日:2022-09-07

    Abstract: 提供了一种用于获得超高分辨率图像的图像传感器。该图像传感器包括二维布置的多个像素,该多个像素中的每一个包括:第一超颖光电二极管,选择性地吸收红色波段的光;第二超颖光电二极管,选择性地吸收绿色波段的光;以及第三超颖光电二极管,选择性地吸收蓝色波段的光。图像传感器的多个像素中的每一个的宽度可以小于衍射极限。

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