公开(公告)号：CN1499519A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN03147175.7

申请日：2003-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳寅儆 ,  朴玩浚

IPC: G11C11/15 ,  H01L27/102

CPC classification number: H01L27/226 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明公开了一种磁随机存取存储器及其制造和驱动方法。该磁随机存取存储器(MRAM)包括：与双极结晶体管(BJT)的发射极耦接的位线；与BJT耦接的磁性隧道结(MTJ)层；耦接MTJ层的字线；与BJT耦接以与MTJ层隔开的极板线；以及形成在组元之间的层间介电层。MTJ层耦接到BJT的基极和集电极，极板线耦接集电极，且在MTJ层中储存的数据的读出操作中用于放大数据信号的放大单元耦接位线。因为位线由金属形成且采用BJT，由MOS晶体管的电阻导致的串联电阻效应和其它元件的寄生电阻可最小化，允许数据自MTJ层中准确读出。与采用MOS晶体管的MRAM相比，具有BJT的MRAM导致更高集成度且可使用具有低MR率的MTJ层。