公开(公告)号：CN107689348A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710607147.0

申请日：2017-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张贤禹 ,  朴正焕 ,  R.卡帕甘图 ,  金成镇 ,  卢晙镛 ,  韩正勋 ,  金承洙 ,  金成珍 ,  李昭定

IPC: H01L23/00

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/3512

Abstract: 一种半导体器件包括衬底、第一绝缘层、数据存储元件、接触插塞和第一虚设坝。第一绝缘层在衬底上并包括焊盘区和与焊盘区相邻的外围区。数据存储元件在第一绝缘层的焊盘区上。接触插塞穿透外围区上的第一绝缘层。第一虚设坝穿透第一绝缘层并设置在数据存储元件与接触插塞之间。