公开(公告)号：CN103855194B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201310633699.0

申请日：2013-12-02

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星显示有限公司

Inventor： 金兑相 ,  金善载 ,  金炫奭 ,  柳明官 ,  朴晙晳 ,  徐锡俊 ,  宣钟白 ,  孙暻锡

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/24 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供了半导体材料、包括半导体材料的晶体管和包括晶体管的电子装置。半导体材料可以包括锌、氮和氟。半导体材料还可以包括氧。半导体材料可以包括化合物。例如，半导体材料可以包括氟氧氮化锌。半导体材料可以包括含有氟的氮氧化锌。半导体材料可以包括氟氮化锌。半导体材料可以被应用为薄膜晶体管（TFT）的沟道材料。

公开(公告)号：CN103296087B

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201310038706.2

申请日：2013-01-31

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星显示有限公司

Inventor： 孙暻锡 ,  柳明官 ,  金兌相 ,  金炫奭 ,  朴晙晳 ,  宣钟白 ,  李相润

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种晶体管可以包括在包括氮氧化物的沟道层与电连接到该沟道层的电极之间的空穴阻挡层。该空穴阻挡层可以设置在该沟道层与源电极和漏电极的至少之一之间的区域中。该沟道层可以包括例如锌氮氧化物（ZnON）。空穴阻挡层的价带最高能级可以低于沟道层的价带最高能级。