公开(公告)号：CN101013700A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200710006116.6

申请日：2007-01-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁炯硕 ,  李钟镐 ,  韩成基 ,  金柱然 ,  朴廷珉

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/20 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/49 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明提供一种CMOS半导体器件，该器件具有双功函数金属栅极结构，所述结构利用能够实现对PMOS和NMOS器件的独立功函数控制并且显著降低或消除对栅极电介质可靠性的影响的制造技术形成。