公开(公告)号：CN112950670A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202010647052.3

申请日：2020-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许珍九 ,  姜东佑 ,  南东暻

IPC: G06T7/246 ,  G06T5/00 ,  G06K9/32 ,  G06K9/00

Abstract: 公开了眼睛跟踪方法和眼睛跟踪设备。所述眼睛跟踪方法包括：确定输入图像与重构图像之间的差；基于确定的差来选择输入图像、重构图像和替代图像中的一个；以及针对输入图像、重构图像和替代图像中的一个执行眼睛跟踪。

公开(公告)号：CN109755178A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811182469.6

申请日：2018-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜东佑 ,  柳志昊 ,  姜栋薰 ,  金善培 ,  朴文汉

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/266

Abstract: 提供了制造集成电路器件的方法。为了制造集成电路器件，扩散缓冲层和含碳层在形成于衬底中的多个鳍型有源区上顺序地形成。含碳掩模图案通过使用包含氧原子的蚀刻气体蚀刻含碳层而形成为具有暴露扩散缓冲层的一部分的开口，同时扩散缓冲层阻止氧扩散到鳍型有源区中。杂质离子使用含碳掩模图案作为离子注入掩模经由开口和扩散缓冲层注入到一些鳍型有源区中，所述一些鳍型有源区从所述多个鳍型有源区之中选择。

公开(公告)号：CN109951698B

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN201810735939.0

申请日：2018-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜东佑 ,  南东暻 ,  许珍九

IPC: H04N13/383 ,  H04N13/366 ,  G06T7/11 ,  G01V8/10

Abstract: 提供一种用于检测反射的方法和设备。所述方法包括：基于红外光源的激活，获取对象的输入图像；基于红外光源的去激活，获取对象的参考图像；基于输入图像和参考图像，从输入图像提取反射区域。

公开(公告)号：CN111277812A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201910659582.7

申请日：2019-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜东佑 ,  许珍九 ,  姜柄敏

IPC: H04N13/366 ,  H04N13/383

Abstract: 公开一种图像处理方法和设备。图像处理方法包括：接收图像帧；检测图像帧中的用户的脸部区域；将多个预设特征点对准在包括在脸部区域中的多个特征部位；基于与所述多个特征部位的组合对应的第一区域，对对准的结果执行第一检查；基于与所述多个特征部位的单个特征部位对应的第二区域，对对准的结果执行第二检查；基于确定第一检查和第二检查中的至少一个的失败，重新检测脸部区域；以及基于确定第一检查和第二检查的成功，输出关于脸部区域的信息。

公开(公告)号：CN110655312A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910565698.4

申请日：2019-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权宁喆 ,  姜东佑 ,  韩万熙

IPC: C03B33/02

Abstract: 一种激光切割设备包括：高斯激光束发射器，被配置为发射具有高斯能量分布的高斯激光束；激光束调制器，被配置为通过减小在与发射的高斯激光束的激光切割方向平行的第一线周围的区域中的强度来调制发射的高斯激光束的形状，在平面图中第一线穿过高斯激光束的中心；聚焦透镜，被配置为聚焦由激光束调制器调制的调制高斯激光束；以及基板支撑件，被配置为待切割的基板安放在支撑件上，其中，聚焦透镜被配置为在安放在基板支撑件上的基板内收集调制高斯激光束。

公开(公告)号：CN109390218A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810768330.3

申请日：2018-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜栋薰 ,  姜东佑 ,  朴文汉 ,  柳志昊 ,  张钟光

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/8238

Abstract: 公开制造集成电路器件的方法。所述方法包括：在基板上形成包括含碳的膜和含硅的有机抗反射膜的堆叠掩模结构体；通过蚀刻所述含硅的有机抗反射膜而形成含硅的有机抗反射图案；和通过使用所述含硅的有机抗反射图案作为蚀刻掩模蚀刻所述含碳的膜而形成包括含碳的掩模图案和轮廓控制衬料的复合掩模图案，所述含碳的掩模图案限定贯穿其的开口，所述轮廓控制衬料覆盖所述含碳的掩模图案的界定所述开口的侧表面。通过由所述复合掩模图案限定的多个空间将离子注入到所述基板中。

公开(公告)号：CN100433264C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200510068327.3

申请日：2005-05-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相昊 ,  李乘茂 ,  李秀浩 ,  姜东佑 ,  金应秀

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  C23C16/458

Abstract: 揭示一种可以在晶片整个表面形成均匀薄膜的半导体制造装置。本发明所提供的半导体制造装置包含反应室、喷头、晶片驱动单元。晶片驱动单元包含支持晶片的支架、连接于支架的旋转轴、与旋转轴连接的旋转电机，以使晶片可以旋转。支架和旋转轴被机箱和波纹管、升降筒和密闭装置所围住并设置在轴承套内部，由连接密封装置和旋转电机的皮带带动旋转。晶片驱动单元还具备升降电机，可使支架按上下方向移动。