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公开(公告)号：CN205430196U
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201620218199.X
申请日：2016-03-21
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H03K17/94
Abstract: 开关元件的驱动装置，能够防止短路测试中高压侧开关元件的误动作。本实施例的驱动装置(3a)是开关元件的驱动装置，其使高压侧开关元件导通/截止，具有：脉冲生成电路(31)，其根据从指令装置(4)输出的指令信号(S1)，生成电压电平低的低压导通脉冲信号(S2)和低压截止脉冲信号(S3)；电平转换电路(32)，其将低压导通脉冲信号和低压截止脉冲信号转换为电压电平高的高压导通脉冲信号(S4)和高压截止脉冲信号(S5)；逻辑电路(33)，其根据高压导通脉冲信号的上升而生成高电平的输出信号，根据高压截止脉冲信号的电压电平而生成低电平的输出信号；和输出端子(HO)，其将输出信号输出到高压侧开关元件的控制端子。
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公开(公告)号：CN203800831U
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201420111875.4
申请日：2014-03-12
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本实用新型提供一种半导体模块，其通过减少与半导体模块的周边连接的部件的数量，从而有助于安装半导体模块的电路基板的进一步小型化。电机驱动装置是包括功率因数改善电路、逆变器电路、半导体集成电路以及第1二极管的半导体模块，所述逆变器电路具有串联连接在所述功率因数改善电路的第1输出端与第2输出端之间的第1开关元件和第2开关元件，所述半导体集成电路与控制电源和作为所述第1开关元件与所述第2开关元件之间的连接点的第1基准点连接，所述第1二极管具有与所述控制电源连接的阳极端子和经由第1电容器与所述第1基准点连接的阴极端子。
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公开(公告)号：CN203747671U
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201420123307.6
申请日：2014-03-18
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本实用新型提供半导体集成电路和半导体模块，其在半导体模块的异常时可靠地使开关元件断开，从而具有高可靠性。该半导体集成电路用于对逆变器电路进行驱动，所述逆变器电路包含串联连接在直流电源部的第1输出端与第2输出端之间的第1开关元件和第2开关元件，该半导体集成电路特征在于，具有：高压侧驱动部，其与所述第1开关元件连接；低压侧驱动部，其与所述第2开关元件连接；以及保护信号输出部，其至少在所述逆变器电路的异常时，将保护信号输出到所述高压侧驱动部和所述低压侧驱动部，所述高压侧驱动部具有输出高压侧内部控制信号的高压侧信号处理部，所述低压侧驱动部具有输出低压侧内部控制信号的低压侧信号处理部。
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公开(公告)号：CN203747670U
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201420118878.0
申请日：2014-03-14
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H02M7/00
Abstract: 本实用新型提供半导体集成电路和半导体模块，其通过改善半导体集成电路的电阻测量精度，从而具有高可靠性。该半导体集成电路对功率因数改善电路和逆变器电路进行驱动，该半导体集成电路的特征在于，具有俯视观察时呈四角形状的半导体基板和多个电极，所述功率因数改善电路具有至少一个晶体管元件，所述逆变器电路具有至少一个开关元件，在所述多个电极中，与所述至少一个晶体管元件的栅极端子连接的电极的面积比与所述至少一个开关元件的栅极端子连接的电极的面积大。
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公开(公告)号：CN203747669U
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201420117053.7
申请日：2014-03-14
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H02M7/00
Abstract: 本实用新型提供半导体集成电路和半导体模块，其抑制在温度循环环境下有可能在半导体集成电路中发生的不良状况，从而具有高可靠性。该半导体集成电路是用于对功率因数改善电路和逆变器电路进行驱动，该半导体集成电路的特征在于，具有俯视观察时呈四角形状的半导体基板、功率因数改善电路驱动部、逆变器电路驱动部以及金属布线，所述功率因数改善电路驱动部、所述逆变器电路驱动部以及所述金属布线配置于所述半导体基板上，所述金属布线以包围所述功率因数改善电路驱动部和所述逆变器电路驱动部的方式沿着所述半导体基板的外周配置，并且，所述金属布线在所述半导体基板的至少一个角部处具有非垂直部。
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