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    光学耦合器件
    13.
    发明授权
    光学耦合器件 失效

    公开(公告)号：CN100432724C

    公开(公告)日：2008-11-12

    申请号：CN200580024728.7

    申请日：2005-05-11

    申请人： 能源变换设备有限公司

    发明人： R·O·米勒

    IPC分类号： G02B6/34

    CPC分类号： G02B6/305

    摘要： 一种用于在光学部件之间有效地传递光信号的光学耦合器件。该器件可接收来自被连接到其输入端的发射部件的光信号并且将该信号有效地传输至被连接到其输出端的接收部件。本器件包括两种或多种介质材料的组合并且提供输入和输出端处的阻抗匹配以及光信号传过器件期间的阻抗守恒。输入和输出端处的阻抗匹配通过输入和输出端的截面中器件的组成介质材料的相对比例的变化来控制，以此取得与互连部件的有效介电常数紧密匹配的有效介电常数。本器件内的阻抗守恒通过器件的截面形状和组成介质材料的截面占空因子的同时变化来取得。阻抗条件连同输入和输出端处的高空间重叠使互连光学部件之间传输的信号的功耗减至最小。

    在聚合物衬底上形成微结构的方法和设备
    14.
    发明授权
    在聚合物衬底上形成微结构的方法和设备 失效

    公开(公告)号：CN100418724C

    公开(公告)日：2008-09-17

    申请号：CN02816725.2

    申请日：2002-06-26

    申请人： 能源变换设备有限公司

    发明人： M·亨尼西 ,  D·斯特兰德 ,  B·克拉克 ,  P·加斯奥罗维斯基

    IPC分类号： B29C35/10 ,  B29C59/04 ,  B29C59/16 ,  B01B1/00

    摘要： 用于在聚合幅面料材料(12)的表面上形成微结构(126)以便用作光存储器衬底的方法和设备。可通过将幅面料材料(12)暂时层压在热压模(16)上并进入热压模(14)、压力辊(20)和支承辊(22)之间形成的挤压区域(16)来成形微结构(126)。压模(14)可通过任何适当的加热装置(18)加热以便熔融流动幅面料(12)的表面并使其在分开之前稳定。压模(14)可通过支承件(28)承载通过挤压区域(16)，支承件包括支架(114)，其具有环带(118、128)和多个辊(30、32、34)，它们独立于压力辊(20)和支承辊(22)形成的压力装置。压力辊(20)和支承辊(22)分别通过驱动器(24、26)可转动地驱动。

    硫属化物材料的化学气相沉积
    15.
    发明公开
    硫属化物材料的化学气相沉积 有权 转让

    公开(公告)号：CN101180135A

    公开(公告)日：2008-05-14

    申请号：CN200680009843.1

    申请日：2006-01-05

    申请人： 能源变换设备有限公司

    发明人： S·R·奥夫辛斯基 ,  S·卡梅帕利

    IPC分类号： B05D1/36 ,  C23C16/00 ,  B29C71/04

    CPC分类号： C23C16/305 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

    摘要： 本发明提供用于制备电和光硫属化物材料的化学气相沉积(CVD)方法。在优选实施方式中，该CVD沉积的材料表现出一种或多种以下性质：电转换、累积、设置、可逆多状态特性、复位、认知功能和可逆非晶形－晶态转变。在一个实施方式中，通过CVD沉积多层结构，该多层结构至少包括含有硫属元素的一个层，且在沉积后对该多层结构施加能量，以产生具有本发明所述性质的硫属化物材料。在另一个实施方式中，具有本发明所述性质的单层硫属化物材料通过包括三种或更多沉积前体的CVD沉积方法形成，至少一种沉积前体是硫属元素前体。优选的材料是那些包含硫属元素Te以及Ge和/或Sb的材料。

    用于长波长电磁辐射的相位角控制的固定元件
    18.
    发明公开
    用于长波长电磁辐射的相位角控制的固定元件 失效

    公开(公告)号：CN1886815A

    公开(公告)日：2006-12-27

    申请号：CN200480034818.X

    申请日：2004-09-24

    申请人： 能源变换设备有限公司

    发明人： D·朱 ,  R·O·米勒

    IPC分类号： H01H51/22 ,  G11C13/00

    CPC分类号： G02F1/292 ,  G02F1/0126 ,  G02F2203/13 ,  G02F2203/18 ,  H01Q15/002 ,  H01Q23/00

    摘要： 一种用于反射、透射、聚焦、散焦或在太赫频率范围内电磁辐射的波阵面校正的元件。所述元件包括导电片栅格，所述栅格包括有源区域，所述有源区域包括硫化物相变材料。硫化物材料可以处于非晶、结晶或部分结晶状态。所述栅格的分散特性(例如电阻抗、电钠、电容、电感)通过所存储的相位锥形的动作来影响入射电磁辐射的反射、透射、聚焦状态或波阵面特性中的一个或多个，所述相位锥形通过在所述元件的一个或多个方向上对一系列有源硫化物区域或域建立结晶度梯度来形成。栅格的分散特性通过其中所包含的有源硫化物区域的结构状态来确定，并且可以通过向硫化物材料提供能量来把一个或多个硫化物区域从一个结构状态变换到另一结构状态来重新配置所述特性。在优选实施例中，单个有源硫化物区域远小于所述元件的操作波长，以便在波长标度域中包括多个有源硫化物区域。在这些实施例中，可以通过在元件的一个或多个方向上单调增加或降低域平均分步结晶度来形成结晶度梯度，其中不需要在单个有源区域的分步结晶度上强加特定要求。在这些实施例中，域分步结晶度是对其中所包含的单个硫化物区域的统计平均值，并且可以在多态模式或二进制模式中实现相位锥形。所述元件可以是独立的、被支撑在绝缘衬底上或插入在两个或更多个绝缘材料之间。

    多位硫属化物存储装置
    19.
    发明公开
    多位硫属化物存储装置 无效

    公开(公告)号：CN1879234A

    公开(公告)日：2006-12-13

    申请号：CN200480032920.6

    申请日：2004-08-11

    申请人： 能源变换设备有限公司

    发明人： S·R·奥夫辛斯基

    IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L31/0328 ,  G11C27/00 ,  G11C11/00 ,  G11C29/00

    CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5678 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/144

    摘要： 本发明提供了具有多个二进制位或非二进制位存储能力的多端子硫属化物存储单元以及对它们进行编程的方法。存储单元包含孔隙，孔隙包含硫属化物材料以及与硫属化物材料保持电连通的三个或多个电端子。端子的配置勾勒出硫属化物材料的空间上的不同区域，对硫属化物材料的空间相异区域有选择地且独立地编程而提供多位存储。在一对端子之间施加电信号(如电流或电压脉冲)导致硫属化物材料的空间相异部分中某一个部分的结构转换。将电信号施加于硫属化物装置内的不同对端子导致硫属化物材料的不同部分中的结构转换。由结构转换产生的结构状态可用于二进制或非二进制(如多级)系统中信息值的存储。端子的选择为连续的硫属化物材料体中特定的以及相异的部分提供了选择性编程，其中每个被选择性编程的部分提供了单个二进制或非二进制位的存储。在具有三个或多个端子的装置中，在占据孔隙的硫属化物材料体中存在两个或多个选择性可编程部分，从而实现多位存储。本发明还涉及对具有三个或多个端子的硫属化物存储单元进行编程的方法，该方法用来在二进制或非二进制系统中实现信息的多位存储。