公开(公告)号：CN118398357A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410866128.X

申请日：2024-07-01

Applicant: 西安交通大学 ,  绍兴市通越宽禁带半导体研究院

Inventor： 王来利 ,  赵一平 ,  靳浩源 ,  李昂 ,  王淦 ,  董晓博 ,  张虹

IPC: H01F27/30 ,  H01F19/04 ,  H01F27/08 ,  H01F27/26 ,  H01F27/28 ,  H01F27/32 ,  H01F27/34 ,  H01F41/00 ,  H01F41/02 ,  H01F41/04 ,  H01F41/06

Abstract: 本发明公开了一种基于非切割型纳米晶的高频变压器及设计方法，属于变压器制造技术领域。本发明的第一内层骨架和第二内层骨架通过第一插接组件连接构成内层骨架，原边绕组绕设在内层骨架上；第一外层骨架和第二外层骨架通过第二插接组件连接构成外层骨架，副边绕组绕设在外层骨架上；第一内层骨架与第一外层骨架以及第二内层骨架和第二外层骨架之间也采用插接组件连接；磁芯为两组对称安装在骨架上的非切割纳米晶磁芯，本发明针对基于非切割型纳米晶磁芯，考虑磁芯、骨架以及绕组之间的配合，巧妙灵活地设计内外层骨架，通过骨架上的插接组件实现骨架可拆卸功能的同时保证了变压器整体的机械强度和绝缘强度和散热能力，并尽可能减小体积。

公开(公告)号：CN118337082A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410429296.2

申请日：2024-04-10

Applicant: 西安交通大学 ,  绍兴市通越宽禁带半导体研究院

Inventor： 王来利 ,  赵一平 ,  李汕哲 ,  靳浩源 ,  董晓博 ,  王淦 ,  张虹

IPC: H02M7/5387 ,  H02M1/088 ,  H05K1/18 ,  H05K7/20 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明公开了一种全桥功率模组及其设计方法，涉及变压器、整流器和电感器制造技术领域，包括直流侧母线电容，与直流侧母排集成在一起；直流侧母排上固定设有PCB主板，PCB主板上设有检测电路和控制电路；直流侧母排与两个并联的SiC MOSFET功率模块串联，SiC MOSFET功率模块为半桥拓扑；两个SiC MOSFET功率模块固定设置在直流侧母排一侧，其下方水冷散热器，上方均固定设有驱动PCB板，两个驱动PCB板与PCB主板电连接；两个功率模块中点分别与两个交流侧母排一端固定连接，两个交流侧母排另一端外接其他元器件。本发明通过合理布局、集成设计，在减小无源器件的体积的同时增加其可靠性，提高功率密度。

公开(公告)号：CN117712063A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311742123.8

申请日：2023-12-18

Applicant: 西安交通大学 ,  绍兴市通越宽禁带半导体研究院

Inventor： 王来利 ,  崔洪昌

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明公开了一种功率半导体封装散热结构及制备方法，涉及功率半导体技术领域，包括均热板，均热板包括铜质壳体，铜质壳体，铜质壳体的内部设置有毛细芯，毛细芯的内部设置有多个竖向的铜质支撑柱，毛细芯与多个铜质支撑柱之间形成的腔体中填充有工质，铜质壳体的底面刻蚀有多个微型槽，铜质壳体的底面还机械装配有歧管散热器。本发明结合均热板和射流冲击冷却的特点，利用均热板增加系统的近结热容，同时疏散器件的高热流密度，利用歧管散热器的射流冲击冷却提高对流换热系数，促进了功率模块在功率密度方面的提升，且降低了成本。

公开(公告)号：CN119203877A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411235202.4

申请日：2024-09-04

Applicant: 西安交通大学 ,  绍兴市通越宽禁带半导体研究院

Inventor： 王来利 ,  李昂 ,  靳浩源 ,  董晓博

IPC: G06F30/36 ,  H02M3/158 ,  H02M3/00 ,  H02M3/335 ,  H02M1/00 ,  H02M1/08 ,  H02M1/36

Abstract: 本发明公开了一种直流高压自启动变换器的设计方法及系统，涉及电力电子直流变换器技术领域，本发明将DCM控制模式的BUCK变换器与全负载范围ZVS的LLC变换器配合提升整个变换器的工作效率，同时通过设计磁性元件磁芯形状及确定变换器气隙长度，确定该磁芯形状下变换器的磁芯最大磁感应强度、原边绕组匝数及磁芯绕组总截面积，从而确定最佳磁芯最大磁感应强度，并根据最佳磁芯最大磁感应强度确定变换器绕组参数，结合磁芯形状和变换器气隙长度对变换器进行绕制，解决高隔离变压器漏感过大的问题并安排最佳绕组匝数，使得变换器在高电压输入时完成电压变换。

公开(公告)号：CN118297017A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410262335.4

申请日：2024-03-07

Applicant: 西安交通大学 ,  绍兴市通越宽禁带半导体研究院

Inventor： 王来利 ,  郑苏玲 ,  李志祥 ,  裴云庆 ,  刘家豪 ,  陈健翔 ,  冷泽松 ,  宋仁静

IPC: G06F30/367 ,  H02M7/5387 ,  G06F113/04

Abstract: 本发明公开了一种基于解析闭环稳态模型的MMC设计方法，其中方法包括：基于解析闭环稳态模型，结合MMC在配电网中的预设外部条件和预设电路参数，计算MMC的臂电压和电容能量在旋转参考系中的分量；基于解析闭环稳态模型，通过臂电压和电容能量的分量，计算电容电压和调制信号的解析值；基于电容电压和调制信号的解析值，对MMC进行电路参数调试及运行状态评估。通过构建解析闭环稳态模型，使该模型中MMC所有的状态信息都可以解析表示，上述模型无需进行非线性方程的求解，降低了模型的计算复杂度，并克服了因初始值设置不当导致的迭代不收敛问题。

公开(公告)号：CN117709282A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311742144.X

申请日：2023-12-18

Applicant: 西安交通大学 ,  绍兴市通越宽禁带半导体研究院

Inventor： 王来利 ,  孔航 ,  姚乙龙 ,  崔洪昌

IPC: G06F30/392 ,  G06F30/398 ,  G06F17/13 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块的最小结温布局方法，涉及功率半导体技术领域，包括以下步骤：分别构建两个功率半导体绝对温度的拉普拉斯三维导热偏微分方程；将两个功率半导体的相对温度的偏微分方程展开为傅里叶级数，得到两个功率半导体的相对温度；根据两个功率半导体的相对温度得到两个功率半导体的自热阻和耦合热阻；对第一功率半导体的自热阻和耦合热阻进行求和；求解第一功率半导体的总热阻的偏导数，根据偏导数结果对第一功率半导体和第二功率半导体的位置进行布局。本发明不增加设计的复杂度，仅通过优化功率半导体的位置和功率半导体之间的相对位置，降低功率半导体的工作结温，可以减小连接层承受的应力，增强整体的可靠性。

公开(公告)号：CN117096121A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202311280654.X

申请日：2023-09-28

Applicant: 绍兴市通越宽禁带半导体研究院

Inventor： 王来利 ,  郭佳成 ,  马定坤 ,  马良俊 ,  袁天舒 ,  李磊 ,  孙培元 ,  董晓博

IPC: H01L23/473

Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET高效散热低工艺复杂度的集成微扰流柱散热结构，包括DBC基板、Pinfin散热器以及散热器外壳；所述DBC基板包括陶瓷层，所述陶瓷层的上层设置有第一铜箔，下层设置有第二铜箔，所述第二铜箔上刻蚀有若干微扰流柱，所述第二铜箔下层设置有焊料层；所述Pinfin散热器设置在DBC基板的下侧，所述Pinfin散热器上设置有Pinfin散热器进水口和Pinfin散热器出水口；所述散热器外壳设置在Pinfin散热器的下侧，所述散热器外壳上设置有散热器外壳进水口和散热器外壳出水口；所述散热器外壳进水口作为冷却液进口，散热器外壳出水口作为冷却液出口，所述散热器外壳进水口与Pinfin散热器进水口连通，所述Pinfin散热器出水口与散热器外壳出水口连通。