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公开(公告)号：CN1091073A
公开(公告)日：1994-08-24
申请号：CN93115329.8
申请日：1993-11-13
Applicant: 德比尔斯工业钻石部门有限公司
IPC: B24B37/00
CPC classification number: B24D7/10
Abstract: 研磨抛光装置有一托板，通常呈可转动的抛光头10形式，和安装于托板之上的研磨抛光垫16。每个抛光垫16包括一研磨体18，它由充满超硬研磨颗粒的垫塑性聚合物制成且有一个研磨表面，在使用中起研磨抛光作用，研磨体18设置了规则排列的孔，通常为窄的毛细管通道，伸至研磨表面。该孔在研磨操作中改善了研磨层的冷却。
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公开(公告)号：CN1260734A
公开(公告)日：2000-07-19
申请号：CN98806216.X
申请日：1998-04-16
Applicant: 德比尔斯工业钻石部门有限公司
IPC: B01J3/06
CPC classification number: B01J3/062 , B01J2203/062 , B01J2203/0655 , B01J2203/068
Abstract: 提供一种生长金刚石晶体的方法,它包括:提供金刚石晶体源;提供许多由金刚石晶体限定的生长中心;以颗粒形式将源和生长中心金刚石与溶剂/催化剂混合以形成反应物料;使反应物料处于适宜晶体生长的高温高压条件下;回收金刚石晶体。该方法的特征是依靠晶源和生长中心晶体之间颗粒大小差异的选择,达到至少部分地,最好是全部地溶剂/催化剂中所需要的碳饱和。利用本方法生产的金刚石晶体物料具有很高浓度的双晶金刚石。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1053455C
公开(公告)日：2000-06-14
申请号：CN94108789.1
申请日：1994-05-27
Applicant: 德比尔斯工业钻石部门有限公司
IPC: C09K3/14
CPC classification number: B22F7/04 , B01J3/06 , B01J3/062 , B01J2203/062 , B01J2203/0655 , B01J2203/0685 , B22F1/0003 , B22F1/0007 , B22F2998/00 , B22F2999/00 , B24D3/08 , B24D18/00 , C22C26/00 , B22F7/06 , B22F1/0014
Abstract: 本发明提供了一种使用通常的制品合成条件而制备一种磨料制品的方法，该方法的特征在于，使用超硬度磨料颗粒原料，它含有至少25%重量的，具有平均粒度大小在10至100微米范围的超硬度磨料颗粒，并且由具有至少三种平均颗粒大小不同的颗粒组成，及，至少4%重量的磨料颗粒具有的平均颗粒大小小于10微米。磨料制品优选一种金刚石制品。
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公开(公告)号：CN1033719C
公开(公告)日：1997-01-01
申请号：CN93104484.7
申请日：1993-03-12
Applicant: 德比尔斯工业钻石部门有限公司
Abstract: 一种监测核辐射的方法，包括取一氮杂质，浓度小于150ppm的金刚石辐射传感元件，该传感元件受到核辐射的作用，同时用选定波长或波长范围(最好在紫外或近紫外范围)的光激发传感元件，由该传感元件产生发射光。通常，该传感元件装在光纤的端部，光纤的另一端用来将激发光引至传感元件并将由传感元件产生的发射光引至光电倍增管。本发明包括实施此法的装置。
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公开(公告)号：CN1096531A
公开(公告)日：1994-12-21
申请号：CN94108789.1
申请日：1994-05-27
Applicant: 德比尔斯工业钻石部门有限公司
IPC: C09K3/14
CPC classification number: B22F7/04 , B01J3/06 , B01J3/062 , B01J2203/062 , B01J2203/0655 , B01J2203/0685 , B22F1/0003 , B22F1/0007 , B22F2998/00 , B22F2999/00 , B24D3/08 , B24D18/00 , C22C26/00 , B22F7/06 , B22F1/0014
Abstract: 本发明提供了一种使用通常的制品合成条件而制备一种磨料制品的方法，该方法的特征在于，使用超硬度磨料颗粒原料，它含有至少25％质量的，具有平均粒度大小在10至100微米范围的超硬度磨料颗粒，并且由具有至少三种平均颗粒大小不同的颗粒组成，及，至少4％质量的磨料颗粒具有的平均颗粒大小小于10微米。磨料制品优选一种金刚石制品。
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公开(公告)号：CN1082201A
公开(公告)日：1994-02-16
申请号：CN93104484.7
申请日：1993-03-12
Applicant: 德比尔斯工业钻石部门有限公司
IPC: G01T1/161
Abstract: 一种监测核辐射的方法，包括取一氮杂质浓度小于150ppm的金刚石辐射传感元件，该传感元件受到核辐射的作用，同时用选定波长或波长范围(最好在紫外或近紫外范围)的光激发传感元件，由该传感元件产生发射光。通常，该传感元件装在光纤的端部，光纤的另一端用来将激发光引至传感元件并将由传感元件产生的发射光引至光电倍增管。本发明包括实施此法的装置。
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公开(公告)号：CN1099141A
公开(公告)日：1995-02-22
申请号：CN94104082.8
申请日：1994-03-02
Applicant: 德比尔斯工业钻石部门有限公司
IPC: G01T1/161
CPC classification number: G01T1/161 , A61B6/4258 , G01T1/202 , G01T1/26
Abstract: 本发明提供了一种检测和监测电离辐射(例如核辐射)的方法。该方法包括，提供一个具有浓度不超过20ppm的氮的金刚石辐射检测器元件，使该检测器元件对磷光的响应最佳，并且将该检测器元件曝露在电离辐射中，然后监测检测器元件产生的磷光响应，通常是监测至少20秒的时间。本发明还扩展到检测器元件本身和采用该检测器的装置。
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