金刚石生长
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1131095C

    公开(公告)日:2003-12-17

    申请号:CN98806216.X

    申请日:1998-04-16

    CPC classification number: B01J3/062 B01J2203/062 B01J2203/0655 B01J2203/068

    Abstract: 提供一种生长金刚石晶体的方法,它包括:提供金刚石晶体源;提供许多由金刚石晶体限定的生长中心;以颗粒形式将源和生长中心金刚石与溶剂/催化剂混合以形成反应物料;使反应物料处于适宜晶体生长的高温高压条件下;回收金刚石晶体。该方法的特征是依靠晶源和生长中心晶体之间颗粒大小差异的选择,达到至少部分地,最好是全部地溶剂/催化剂中所需要的碳饱和。利用本方法生产的金刚石晶体物料具有很高浓度的双晶金刚石。

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