公开(公告)号：CN113330320A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN202080010077.0

申请日：2020-01-21

Applicant: 横河电机株式会社 ,  学校法人法政大学

Inventor： 松本宪典 ,  品川满 ,  胜山纯

IPC: G01R29/08 ,  G01R29/12

Abstract: 电场传感器具有：光源；电光晶体，其被入射基于由光源射出的光的规定的偏振状态的光，接收由目标对象物发出的电场；第1分离部，其将从电光晶体射出的光分离为P波和S波；第1波长板，其在第1分离部的前段使光的相位变化；第1受光部，其接收P波的光，将接收到的光变换为第1电信号；第2受光部，其接收S波的光，将接收到的光变换为第2电信号；差动放大部，其生成由第1受光部变换后的第1电信号、与由第2受光部变换后的第2电信号的差动信号；以及控制部，其以使得从光源射出光且对电光晶体施加有电场的状态下的差动放大部的直流分量的输出值处于规定值的范围的方式，对光源的波长进行调整。

公开(公告)号：CN109844958A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201780052279.X

申请日：2017-06-27

Applicant: 学校法人法政大学 ,  赛奥科思有限公司 ,  住友化学株式会社

Inventor： 三岛友義 ,  堀切文正

IPC: H01L29/861 ,  C23C16/34 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872 ,  H01L33/32

Abstract: 半导体装置具有：具有n型的导电型的第一半导体层，其由氮化镓系半导体形成；具有p型的导电型的第二半导体层，其层叠在第一半导体层的正上方，由以1×1020cm-3以上的浓度添加有p型杂质的氮化镓系半导体形成；第一电极，其被配置成与第一半导体层接触；以及第二电极，其被配置成与第二半导体层接触，所述半导体装置作为pn结二极管来发挥功能。

公开(公告)号：CN110191979B

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201780080600.5

申请日：2017-11-09

Applicant: 住友化学株式会社 ,  赛奥科思有限公司 ,  学校法人法政大学

Inventor： 堀切文正 ,  三岛友义

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205 ,  G01N21/64 ,  G01N21/88 ,  H01L21/20

Abstract: III族氮化物层叠体的制造方法具有如下工序：准备III族氮化物层叠体的工序，所述III族氮化物层叠体具有III族氮化物基板和在III族氮化物基板的主面的上方形成的III族氮化物外延层；以及，针对III族氮化物外延层的、III族氮化物基板的主面的法线方向与c轴方向所成的偏离角的大小不同的多个测定位置进行光致发光图谱测定，获取黄色发光强度相对于带边发光强度之比即相对黄色强度，并获取偏离角的大小与相对黄色强度的对应关系的工序。