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公开(公告)号：CN105005166B
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201510193511.4
申请日：2015-04-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1333
Abstract: 本发明提供一种能够同时实现薄型化和良好的显示质量的新颖结构的显示装置。在像素电极与对置电极之间设置液晶层的显示装置的结构中，将设置于对置电极一侧的触摸传感器所包括的电容器的电极与公共电极一体化而对其施加脉冲信号。在元件衬底一侧中，使施加到在与像素电极的之间形成电容的电容线的信号与该脉冲信号联动，以控制为消除施加到液晶层的电场的变动。通过采用该结构，可以实现一种即便由于脉冲信号而施加到液晶层的电场发生变化也能够消除该电场变化的触摸传感器功能的显示装置。通过采用该结构，能够实现薄型化及良好的显示质量。
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公开(公告)号：CN105206676B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201510504146.4
申请日：2010-10-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。实施例包括一种用于晶体管的氧化物半导体层，该氧化物半导体层是本征的或基本本征的并且在该氧化物半导体层的表面部分包括结晶区。从其中去除了将要作为电子施主(施主)的杂质的并且与硅半导体相比具有更大能隙的本征的或基本上本征的半导体被使用。晶体管的电特性能够通过控制设置于关于氧化物半导体层的彼此相对的两侧上的一对导电膜的电位来控制，它们各自具有绝缘膜布置于它们之间，使得形成于氧化物半导体层中的沟道的位置得以确定。
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公开(公告)号：CN110297520A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910384412.2
申请日：2014-07-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06F1/16 , G09G3/20 , G09G3/3208 , G09G3/34 , G09G3/36
Abstract: 提供一种低耗电量的显示装置。另外，提供一种在折叠状态下能够使用的区域中显示图像的显示装置。构想出的显示装置包括能够展开及折叠的显示部、检测上述折叠状态的检测部、当显示部为折叠状态时生成在显示部的一部分中显示黑图像的图像的图像处理部。
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公开(公告)号：CN109449170A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811513967.4
申请日：2013-11-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L27/02 , H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/136
Abstract: 本发明提供一种能够提高可靠性的新颖的显示装置。本发明的一个方式是一种显示装置，包括：设置在第一布线与第二布线之间的绝缘层，其中，绝缘层包括第一绝缘层以及以与第一绝缘层重叠的方式设置的第二绝缘层，绝缘层包括第二绝缘层的一部分被去除的区域，并且，该区域用作保护电路。另外，本发明的一个方式是一种显示装置，其中在绝缘层与晶体管所具有的半导体层重叠的区域中包括第一绝缘层及第二绝缘层。另外，本发明的一个方式是一种显示装置，其中在将第一布线与第二布线直接连接的区域中包括第一绝缘层及第二绝缘层被去除的区域。
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公开(公告)号：CN103855169B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201310624751.6
申请日：2013-11-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , G02F1/136
Abstract: 本发明提供一种能够提高可靠性的新颖的显示装置。本发明的一个方式是一种显示装置，包括：设置在第一布线与第二布线之间的绝缘层，其中，绝缘层包括第一绝缘层以及以与第一绝缘层重叠的方式设置的第二绝缘层，绝缘层包括第二绝缘层的一部分被去除的区域，并且，该区域用作保护电路。另外，本发明的一个方式是一种显示装置，其中在绝缘层与晶体管所具有的半导体层重叠的区域中包括第一绝缘层及第二绝缘层。另外，本发明的一个方式是一种显示装置，其中在将第一布线与第二布线直接连接的区域中包括第一绝缘层及第二绝缘层被去除的区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105047669B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201510354385.6
申请日：2010-12-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/11517 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1052 , G11C16/0433 , H01L27/115 , H01L27/1156 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L27/13 , H01L29/78648 , H01L29/7869
Abstract: 目的之一是提供可以抑制其功耗的存储器装置和包括该存储器装置的半导体装置。对该存储器装置中的每个存储器单元，作为用于保持积累在起存储器元件作用的晶体管中的电荷的开关元件，提供有包括氧化物半导体膜作为有源层的晶体管。用作存储器元件的晶体管具有第一栅电极、第二栅电极、位于第一栅电极和第二栅电极之间的半导体膜、位于第一栅电极和半导体膜之间的第一绝缘膜、位于第二栅电极和半导体膜之间的第二绝缘膜、以及与半导体膜接触的源电极和漏电极。
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公开(公告)号：CN108369787A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680071918.2
申请日：2016-12-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/302 , G09F9/30 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/12
Abstract: 本发明的一个方式提供一种分辨率极高的显示装置。另外，提供一种显示品质高的显示装置。另外，提供一种视角特性高的显示装置。另外，提供一种可弯曲的显示装置。将相同颜色的子像素在特定方向上排成之字形。换言之，当着眼于一个子像素时，呈现与其相同颜色的两个子像素配置在它的斜右上及斜右下或者斜左上及斜左下。另外，各像素由排成L字形状的三个子像素构成。并且，组合两个像素，将包括3×2的子像素的像素单元配置为矩阵状。
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公开(公告)号：CN105074806B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201480010926.7
申请日：2014-02-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/20 , G02F1/1345 , G09F9/30 , G09G3/36 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: G11C19/28 , G02F1/136277 , G09G3/3677 , G09G2310/0286 , G09G2310/0291 , G09G2310/0297 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的一个方式可以提供一种具有高开口率且包括高电荷容量的电容器的半导体装置。本发明的一个方式可以提供一种窄边框的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：衬底上的晶体管；其上设置有晶体管的栅电极的面上的第一导电膜；其上设置有晶体管的一对电极的面上的第二导电膜；以及与第一导电膜及第二导电膜电连接的第一透光导电膜。第二导电膜隔着第二导电膜与第一导电膜之间的晶体管的栅极绝缘膜与第一导电膜重叠。
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公开(公告)号：CN103918025B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201280055035.4
申请日：2012-10-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G3/3685 , G09G2300/0434 , G09G2300/0469 , G09G2320/046 , G09G2330/022
Abstract: 本发明的目的在于防止由于场效应晶体管的泄漏电流所引起的误动作。设置有：移位寄存器(101)；选择电路(112)，该选择电路(112)具有决定以与从该移位寄存器输入的脉冲信号相同的电位电平来输出第一脉冲信号或第二脉冲信号的功能；以及多个驱动信号输出电路(113)，每个驱动信号输出电路(113)都具有生成并输出驱动信号的功能。多个驱动信号输出电路的每个都包括锁存器部、缓冲器部以及用来控制储存在该锁存器部中的数据的改写的开关部。
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公开(公告)号：CN103123810B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201310002175.1
申请日：2007-10-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 三宅博之
CPC classification number: H01L27/1251 , G09G2310/0267 , G09G2310/0275 , G11C19/00 , G11C19/184 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H03K3/36
Abstract: 本发明的目的在于：在移位寄存器中抑制晶体管的阈值电压的变动以防止在非选择期间中晶体管错误工作。本发明的特征在于：在设置在移位寄存器中的脉冲输出电路中，在不输出脉冲的非选择期间中对处于浮动状态的晶体管的栅电极定期供给电位以使栅电极接通。此外，其特征还在于：通过定期使其他晶体管接通或截止，来对晶体管的栅电极供给电位。
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