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公开(公告)号：CN102060529A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201110024309.0
申请日：2011-01-22
Applicant: 浙江大学
IPC: C04B35/472 , C04B35/624 , C23C20/08
Abstract: 本发明公开一种纳米Ag颗粒-Pb(Zr0.52Ti0.48)O3渗流型复合陶瓷薄膜及其制备方法。该复合陶瓷薄膜以多晶钙钛矿相陶瓷为基质并在该基质中分散有纳米银颗粒，多晶钙钛矿相陶瓷为Pb(Zr0.52Ti0.48)O3，纳米银与Pb(Zr0.52Ti0.48)O3的摩尔比为0.2～0.8:1。本发明首先制备这种复合薄膜所需的含有Ag-Pb-Zr-Ti源的溶胶先驱体，再运用浸渍提拉法在ITO/玻璃基板上涂覆并在空气气氛下烧结制备薄膜。溶胶先驱体中的Ti源、Zr源、Pb源、Ag源分别为钛酸四正丁酯、硝酸锆、三水合乙酸铅、硝酸银，络合剂为乙酰丙酮与柠檬酸，溶剂为乙二醇甲醚、乙二醇和乙醇。本发明解决了在空气气氛下热处理制备小尺度纳米银颗粒并保证其在Pb(Zr0.52Ti0.48)O3-Agx薄膜中的分散性的难题，而且薄膜制备温度较低；实现了渗流效应，薄膜的介电常数较纯锆钛酸铅薄膜高出2~3倍。
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公开(公告)号：CN102028969A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010588291.2
申请日：2010-12-07
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开的医用植入体表面非均相层状的矿化涂层，在医用植入体表面自下而上依次有致密壳聚糖层、多孔矿化壳聚糖层和矿化胶原/壳聚糖交联体层。本发明以胶原、壳聚糖、含钙化合物和含磷化合物为原料，在水溶液中下通过电化学反应，在医用金属基体表面一次性组装非均相层状矿化涂层，通过调节电沉积参数，可以调整各相的沉积状态，从而实现非均向层状涂层的制备。本发明方法简单，易行，可控性高，制得的医用材料涂层能够促进细胞在其表面的附着及增殖，具有承载药物的功能，且具有强化的生物活性性能。涂层与金属基板的结合强度高，稳定性好。
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公开(公告)号：CN101899709A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010253815.2
申请日：2010-08-13
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种钛金属表面制备尺寸、密度可调的二氧化钛纳米棒阵列的方法。采用先在钛金属表面原位形成含锐钛矿晶相晶种和金红石晶相晶种中的至少一种晶种，继而经水热法生长获得二氧化钛纳米棒阵列。本发明制备的二氧化钛纳米棒阵列定向规则生长，纳米棒尺寸10～500nm、密度1×1012/m2～5×1014/m2均可调控，且与钛金属基板结合牢固，适用于光催化材料能源环境用、骨组织修复材料生物医学用等领域。
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公开(公告)号：CN1944308B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200610154424.9
申请日：2006-10-31
Applicant: 浙江大学
IPC: C03C17/09
Abstract: 本发明公开的在玻璃基板上沉积氢化非晶硅碳合金薄膜的方法，采用的是射频电感耦合等离子体增强化学气相沉积法，步骤如下：将玻璃基板清洗后放入反应室，反应室抽真空，并加热基板，以H2稀释的SiH4和CH4气体为反应气源，CH4/(CH4+SiH4)摩尔比为0～1，二种气源在缓冲室混合后引入反应室中，射频辉光放电，在基板上沉积氢化非晶硅碳合金薄膜。本发明制备方法简单，制得的氢化非晶硅碳合金薄膜中Si-C键含量高，薄膜均匀性好，光学带隙基本稳定于2.5eV左右，电导率高。沉积在玻璃基板上的氢化非晶硅碳合金薄膜可广泛用于有源矩阵液晶显示器的电子器件、太阳能电池、光敏晶体管、发光二极管和传感器等等。
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公开(公告)号：CN1889209B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610052569.8
申请日：2006-07-20
Applicant: 浙江大学
IPC: H01F41/14
Abstract: 本发明公开的铁电/铁磁两相复合薄膜是在Si基板上原位生成的铁电相和铁磁相两相复合薄膜，其中铁电相为PbTiO3相，铁磁相为NiFe2O4相。其制备方法：以醋酸铅，钛酸丁酯，醋酸镍和硝酸铁为溶质，乙酸和乙二醇甲醚为溶剂配制溶胶先驱体。然后用浸渍提拉法在Si基板上镀膜，在不同温度下热处理。本发明工艺简单，成本低廉；用sol-gel法原位形成铁电/铁磁相复合材料可以使两相在分子尺度上均匀复合，大大增加接触面积，使磁电系数更高；sol-gel法原位铁电铁磁薄膜的制备技术可与半导体集成电路技术相兼容，使得开发集半导体大规模集成电路与铁电铁磁复合薄膜诸功能于一体的多功能电路、器件和系统具有更好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100582157C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200710066934.5
申请日：2007-01-26
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开的聚偏氟乙烯-乙炔黑高介复合薄膜按体积百分比含有：重均分子量为40万的聚偏氟乙烯98.0%～99.0%，晶粒尺寸为50nm～100nm的乙炔黑1.0%～2.0%。采用将乙炔黑粉末和聚偏氟乙烯制成混合溶液，利用浸渍提拉法拉制聚偏氟乙烯-乙炔黑复合薄膜，再经过60℃～80℃下恒温热处理得到。本发明的薄膜介电性能优良，具有高介电常数(100KHz时介电常数约为56)和超低的介电损耗(小于0.15)，在低频下具有良好的频率稳定性。而且制备工艺简单，便于工业化生产，具有良好的市场前景。
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公开(公告)号：CN100484430C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200710067111.4
申请日：2007-01-31
Applicant: 浙江大学
IPC: A44C27/00
Abstract: 本发明的纳米TiO2-聚合协同改性天然珍珠的方法，步骤如下：1)配制含TiO2水性溶胶；2)将天然珍珠与水性溶胶反应，干燥后进行热处理，得到表面形成纳米TiO2改性的中间态天然珍珠；3)将水性乳液和去离子水搅拌反应配制成水溶液前躯体；4)将纳米TiO2中间态的天然珍珠与前躯体溶液进行聚合反应，干燥后热处理，即可。本发明方法获得的改性天然珍珠，具有较好的抗紫外氧化、耐腐蚀性能。72小时强化实验泛黄速率由原珠的1.76%下降为0%。10小时汗液浸泡实验光泽下降速率由原珠的2.87%下降为0%，光泽比普通珍珠能提高一到二个等级，珍珠的耐磨损性能也有所提高。
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公开(公告)号：CN101289174A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810062468.8
申请日：2008-06-18
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B21/076
Abstract: 本发明公开的TiN纳米粉体的制备方法，采用的是化学气相沉积法，将清洗后的基片放入气相沉积反应室，以惰性气体为载气将NH3和经预热的钛源通入反应室，制备TiN纳米粉体。工艺简单，生产成本低，可连续生产，效率高，产量高，且可以方便、有效的控制颗粒的大小和形状，制得的TiN粉体颗粒均匀、可以是球形、立方体形和纳米棒等各种形状。
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公开(公告)号：CN100398485C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200610053473.3
申请日：2006-09-20
Applicant: 浙江大学
IPC: C04B35/00 , C04B35/26 , C04B35/472 , C04B35/624
Abstract: 本发明公开了一种铁电/铁磁复合陶瓷的制备方法，采用的是sol-gel原位法，其铁电相为PbTiO3相，铁磁相为NiFe2O4相。制备方法：以醋酸铅，钛酸丁酯，醋酸镍和硝酸铁为溶质，乙酸和乙二醇甲醚为溶剂配制溶胶先驱体。烘干后在不同温度下预热处理，得到陶瓷先驱体，将其压成片状，在不同温度下烧结得到PbTiO3/NiFe2O4复相陶瓷。本发明工艺简单，成本低；用sol-gel法原位制备方法可使铁电、铁磁两相在微观尺度上均匀分布，大大增加接触面积，使磁电系数更高；可以有效避免铁磁相颗粒相互接触而导通，从而产生渗流效应且渗流阈值很高，得到高介电常数、高磁导率的复相材料。
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