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公开(公告)号：CN102864473A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210404116.2
申请日：2012-10-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 三维有序大孔硅或锗薄膜的制备方法，涉及一种大孔薄膜的制备方法。是要解决现有的制备三维有序大孔硅或者锗薄膜的方法所用设备复杂，成本高，所用原料有毒的问题。方法：一、将铜箔用盐酸浸泡，无水乙醇擦拭，将铜箔固定在玻璃基片上，处理；二、使用三电极的电解池，用恒电势法进行电沉积硅或锗；三、取出电解池中的电解液，干燥，滴加偶联剂三乙基氯硅烷浸泡；四、拆卸电解池，滴加四氢呋喃，清洗，干燥，即得到三维有序大孔硅或锗薄膜。本发明的方法无需复杂设备，操作简便，室温即可实现，能耗低。用于锂离子电池的负极材料领域。
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公开(公告)号：CN102850563A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210361699.5
申请日：2012-09-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 氨基硅烷化改性碳化硅纳米颗粒增强聚酰亚胺复合薄膜的方法，它涉及一种复合薄膜的制备方法。本发明解决了现有聚酰亚胺薄膜材料力学性能低的技术问题。本方法如下：将的氨基硅烷化改性碳化硅纳米颗粒与聚酰胺酸溶液混合超声分散，获得改性SiC/PAA复合溶液；将改性SiC/PAA复合溶液平铺到玻璃板上，把玻璃板置于真空干燥箱内，采用梯度升温程序曲线进行升温固化，分别在60℃、100℃、200℃及300℃恒温2小时，升温结束后，将玻璃板置于沸水中脱膜，制得氨基硅烷化改性碳化硅纳米颗粒增强聚酰亚胺复合薄膜。本发明制备的复合材料的力学性能优良，并且随着SiC纳米粒子含量的增加，力学性能逐渐提高。
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公开(公告)号：CN101934211B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201010298498.6
申请日：2010-09-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种层数可控胶体晶体的自组装生长方法，涉及一种胶体晶体的自组装生长方法，解决现有胶体晶体的制备方法较复杂、不易控制，很难得到层数可控的胶体晶体的问题。本发明的方法：一、将基片进行清洗处理；二、配制胶体粒子悬浮液；三、将步骤一处理的基片插入步骤二配制的胶体粒子悬浮液中，放置在恒温培养箱中2～3天即可。本发明方法工艺简单，效率高、易于控制、重复性好，克服现有方法自组装生长胶体晶体层数不易控制、及得到的胶体晶体有序度不高的问题，能生长大面积高度有序、层数可控的胶体晶体。本发明自组装得到的层数可控胶体晶体为深入研究光子晶体的结构和光学性质提供了材料，同时为三维有序大孔材料提供了更为理性和精确的模板。
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公开(公告)号：CN102560453A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210059833.6
申请日：2012-03-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C20/06
Abstract: 利用石墨烯增强聚酰亚胺树脂碳化制备碳化膜的方法，它涉及碳化膜的方法。本发明要解决现有制备碳化膜方法存在碳化温度高、耗能大、碳化周期长、碳化膜碳化率较低及强度低的技术问题。方法：一、将ODA和BTDA加入DMAC中，机械搅拌，得到PAA溶液；二、向PAA溶液中加入石墨烯，原位聚合反应，得到溶液A；步骤三、将溶液A平铺到干净的玻璃板上，然后升温至60℃保温2h，再升温至100℃保温1h，然后升温至200℃保温1h，再升温至300℃保温1h；获得复合薄膜；四、碳化，自然降温至室温；即获得碳化膜。材料力学性能优异，石墨烯加入比例增加，不仅力学性能增加，比电容也增加，适宜于做电极材料。
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公开(公告)号：CN101775660B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201010134372.5
申请日：2010-03-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C30B30/02
Abstract: 电沉积制备三维硅光子晶体的方法，它涉及一种三维硅光子晶体的制备方法。本发明解决现有三维硅光子晶体制备方法填充率低、成本高、无法在室温下实现的问题。本发明的方法：一、制备胶体晶体模板；二、配置电解液；三、在胶体晶体模板上填充还原硅；四、化学腐蚀法去除胶体晶体模板。本发明电沉积方法的填充率达100%，能产生完全光子带隙。得到的三维硅光子晶体具有反蛋白石结构。本发明方法工艺简单，操作方便，设备简单，成本降低，在常温下即可实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101723600B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200910309861.7
申请日：2009-11-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种铌或钽化合物三维有序大孔薄膜的制备方法，它涉及一种铌或钽化合物薄膜的制备方法。本发明解决了现有三维有序大孔薄膜制备方法工艺复杂、设备复杂、成本高的问题。本发明方法：首先制备聚苯乙烯胶体晶体模板，然后制备铌或钽前驱体溶胶，再将铌或钽前驱体溶胶填充到聚苯乙烯胶体晶体模板内部，最后热处理去除聚苯乙烯微球即得。本发明采用垂直沉积法和金属羧酸盐聚合物前驱体方法制备得到三维有序大孔薄膜，工艺简单易操作，无需复杂设备，采用五氧化二铌或五氧化二钽为原料，成本降低。得到的大孔薄膜具有有序的三维空间结构、很好的开放性和大的比表面积，可应用于电子器件、传感器、电极材料和光学材料等行业。
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公开(公告)号：CN101934211A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010298498.6
申请日：2010-09-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种层数可控胶体晶体的自组装生长方法，涉及一种胶体晶体的自组装生长方法，解决现有胶体晶体的制备方法较复杂、不易控制，很难得到层数可控的胶体晶体的问题。本发明的方法：一、将基片进行清洗处理；二、配制胶体粒子悬浮液；三、将步骤一处理的基片插入步骤二配制的胶体粒子悬浮液中，放置在恒温培养箱中2～3天即可。本发明方法工艺简单，效率高、易于控制、重复性好，克服现有方法自组装生长胶体晶体层数不易控制、及得到的胶体晶体有序度不高的问题，能生长大面积高度有序、层数可控的胶体晶体。本发明自组装得到的层数可控胶体晶体为深入研究光子晶体的结构和光学性质提供了材料，同时为三维有序大孔材料提供了更为理性和精确的模板。
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公开(公告)号：CN101880901A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010301123.0
申请日：2010-02-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D3/56
Abstract: 硅锗合金薄膜材料的制备方法，它属于硅锗合金薄膜领域。本发明解决了现有工艺制备硅锗合金薄膜存在设备造价高、操作条件苛刻及使用氢气使安全系数降低的问题。本发明方法如下：一、基片依次用丙酮、甲醇和超纯水超声清洗，然后自然晾干；二、配制电解液；三、采用三电极法进行电沉积，即在基片表面获得硅锗合金薄膜材料。本发明采用三电极法进行电沉积，所需设备造价低，方法简单，容易操作，反应无需使用氢气，提高生产的安全系数。
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公开(公告)号：CN101807613A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010134373.X
申请日：2010-03-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/042 , H01L31/0232 , H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 三维光子晶体为背反射层的非晶硅太阳电池及其制备方法，涉及非晶硅太阳电池及制备方法。解决现有Al背反射层反射率低，导致太阳电池效率低的问题。非晶硅太阳电池的背反射层为三维大孔有序掺铝氧化锌光子晶体。制备方法：低压化学气相沉积前电极层，再采用PECVD沉积P-I-N层，再磁控溅射制备ITO透明导电薄膜，然后垂直沉积法或者旋涂法制备胶体晶体模板，再电沉积得背反射层，然后真空蒸镀背电极层即得。AZO具有可见光高透过率，结合光子晶体的禁带效应，可实现对600~1000nm可见光波段80%及以上的反射率。三维光子晶体反射角大，增加光波在吸收层中传播光程，提高光子利用效率，增加光电流密度和光电转换效率。
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公开(公告)号：CN101200126A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710144808.7
申请日：2007-12-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种热障涂层及其制备方法，它涉及一种涂层及其制备方法。它解决现有技术中高温下平行于镍基高温合金层方向上的材料界面相对滑动和脱落及垂直于镍基高温合金层方向上的热障涂层的纵向开裂的问题。热障涂层由外部陶瓷层(1)和内部结合层(5)组成，其中内部结合层(5)由镍基高温合金层(4)和连接在镍基高温合金层(4)外表面的粘结层(2)组成，粘结层(2)由镍纳米线(3)和氧化钇稳定氧化锆组成。制备方法：在镍基高温合金层(4)外表面上电沉积得到与其连接的镍纳米线，再喷涂上氧化钇稳定氧化锆溶胶，煅烧后得粘结层(2)，然后在粘结层(2)上制备陶瓷层(1)，得热障涂层。本发明热障涂层的横纵向均紧密结合。
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