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公开(公告)号：CN108806607B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201810383822.0
申请日：2018-04-26
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/3258
Abstract: 像素装置以及显示设备。本申请涉及一种像素装置包括发光器件；编程模块，接收数据信号和参考信号；电容模块，耦合到所述编程模块，其包括第一电容；其中编程模块利用所述数据信号和所述参考信号对所述第一电容充电；阈值电压提取模块，耦合到电容模块且包括第一晶体管，利用电源电压通过第一晶体管对所述第一电容充电；驱动模块，耦合在阈值提取模块和所述发光器件之间，驱动模块包括第二晶体管；驱动模块利用电源电压和电容模块提供的驱动电压通过所述第二晶体管驱动所述发光器件发光；其中第一和第二晶体管的尺寸基本相同且二者有源区距离不超过10微米；所述参考信号包括第一或第二参考信号，所述第一参考信号大于所述数据信号，所述第二参考信号小于所述数据信号。
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公开(公告)号：CN107945732B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201710168933.5
申请日：2017-03-21
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/3208
Abstract: 本申请公开了一种移位寄存器单元电路，包括输入存储模块，被配置为在输入端接收输入信号并存储所述输入信号；存储提取模块，被配置为至少在在第一时钟信号的控制下从所述输入存储模块提取所述输入信号；输出驱动模块，被配置为在所述存储提取模块的控制下将所述输入信号传输到输出端；以及下拉和维持模块，被配置为在输出结束后将所述输出端的电压下拉到低电平并在所述输出驱动模块接收到下一个输入信号之前将所述输出端电压维持在低电平。本申请还公开了包括前述移位寄存器单元的栅极驱动电路以及产生栅极驱动信号的方法。
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公开(公告)号：CN110808289A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201910939972.X
申请日：2019-09-30
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/47
Abstract: 本发明涉及一种顶栅肖特基氧化物薄膜晶体管，包括：衬底；源极，漏极，其设置在所述衬底上；有源区，其包括设置在所述衬底上的第一部分，该部分位于所述源极和漏极之间，所述有源区还包括覆盖所述源极和漏极部分顶面的与所述第一部分相连的第二部分，所述有源区与所述源极和漏极形成肖特基接触；绝缘层，其设置在所述源极、漏极和有源区上；以及栅电极，其设置在所述绝缘层上方。本发明还涉及一种顶栅肖特基氧化物薄膜晶体管的制备方法。
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公开(公告)号：CN109887467A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201811402861.7
申请日：2018-11-23
Applicant: 北京大学深圳研究生院 , 昆山龙腾光电有限公司
IPC: G09G3/3266 , G09G3/32 , G11C19/28
Abstract: 本申请公开了一种移位寄存器单元包括：输入模块，配置为接收输入信号；输出和低电位维持模块，耦合到所述输入模块的输出端，并在第一时钟信号(CKA)的影响下，将所述输入信号传输到所述移位寄存器单元的至少一个输出端；以及反相模块，耦合在所述输入模块和所述输出和低电位维持模块之间，并配置为至少基于所述输入信号向所述输出和低电位维持模块提供放电和/或低电位维持信号。
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公开(公告)号：CN109492740A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811332134.8
申请日：2018-11-09
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G06K19/077 , H02M3/155
Abstract: 本发明涉及电压转换器以及集成了这种电压转换器的射频识别装置。电压转换器包括：第一升压单元，其被配置为在第一时钟信号和第二时钟信号的影响下，基于所接收到的输入信号，在第一输出端生成第一升压信号，并在第二输出端生成第二升压信号；第二升压单元，其被配置为在第一时钟信号和第二时钟信号的影响下，基于第一升压信号与第二升压信号，生成第三升压信号与第四升压信号。电压转换器还包括输出单元，其被配置为基于第三升压信号与第四升压信号，来生成输出信号。通过本发明的技术方案，可以减少电压转换器上的阈值电压损失和导通电阻，提升电压转换器的输出电压和驱动能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109215555A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811131755.X
申请日：2015-05-07
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/20
Abstract: 本申请公开了一种光电传感器和显示面板，包括：脉冲传递单元，包括控制端，所述脉冲传递单元的控制端获得驱动电压后，将第一时钟信号传送至信号输出端口；脉冲控制单元，用于从信号输入端口接收输入的扫描信号，给所述脉冲传递单元的控制端充电以提供所述驱动电压；光电感应单元，用于接收外界光照时提供一个响应外界光照强度的泄漏电流，泄漏电流给脉冲传递单元的控制端放电使脉冲传递单元的控制端的电压经过一段时间后小于驱动电压。所提出的光电传感器电路利用常规显示面板已有的扫描信号和时钟信号，不需要额外引入控制信号，因此电路结构简单，更适合于集成在显示面板上。此外，脉冲控制单元和光电感应单元为同一单元，进步了节省了器件。
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公开(公告)号：CN105702206B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201610127553.2
申请日：2016-03-04
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/3225
Abstract: 本申请公开了一种像素矩阵的外围补偿系统及其方法、显示系统。所示外围补偿系统包括栅极扫描驱动模块200、列数据驱动模块300和补偿模块400，其中补偿模块400通过M列反馈信号线分别与M列像素单元101相连，用于检测像素矩阵100的电特性变化以向像素矩阵100发送第二显示信号来对各像素单元101进行补偿。本申请实现了将第一显示信号和第二显示信号在像素单元内的加法，对第一显示信号进行了精确的伽马校正的同时，结构简单，第一数模转换模块和第二数模转换模块的位数也低，如果采用的模拟域相加的方式，原来的高压模拟加法器可以转换成中压或低压加法器。
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公开(公告)号：CN107946195A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201710287051.0
申请日：2017-04-27
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请公开了一种制备双栅氧化物半导体薄膜晶体管的方法，包括在衬底上依次形成底栅电极、底栅介质层、有源层、顶栅介质层、顶栅电极、钝化层以及电极导电层，其中所述有源层的材料是透明的氧化物半导体材料；其中，形成所述顶栅电极的操作包括在所述顶栅介质层上形成光刻胶层，从顶栅介质层向衬底的方向曝光,其中与所述底栅电极对应的光刻胶层的厚度小于其他位置的光刻胶层厚度；基于光刻胶层厚度的差异通过曝光去除与所述底栅电极对应的光刻胶层并裸露出部分顶栅介质层，但在其他位置的顶栅介质层上仍留有光刻胶层；在所述顶栅介质层裸露出来的部分上形成与所述底栅电极的位置对应的顶栅电极。
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公开(公告)号：CN105206224B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201510618674.2
申请日：2015-09-24
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/3225 , H01L27/32
CPC classification number: G09G3/32 , G09G3/3233 , H01L27/32
Abstract: 本申请公开了一种具有反馈通道的显示系统，其反馈通道的控制端接收选通信号，用于选通所述反馈通道；所述反馈通道的第一端连接到一像素单元的驱动电路或发光二极管，用于接收此像素单元的老化信号；所述反馈通道的第二端连接到另一像素单元的开关晶体管的第二极，用于当所述反馈通道被选通时将老化信号输出到所述另一像素单元的开关晶体管第二极，以通过此开关晶体管将所述老化信号传输到与此开关晶体管第一极相连的显示信号线，从而将老化信号通过显示信号线传输出去。因此，本申请既实现了反馈老化信号，又没有增加显示信号线的负载。
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公开(公告)号：CN107611032A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710717954.8
申请日：2017-08-21
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L27/32
Abstract: 本申请公开了一种薄膜晶体管，包括衬底；形成在所述衬底上的经图形化的遮光层，其中所述遮光层采用绝缘非金属遮光材料；形成在所述遮光层以上的有源层，所述有源层包括所述晶体管的沟道、源区和漏区；形成在所述有源层上的栅介质层和形成在所述栅介质层上的栅电极；以及形成在所述有源层和所述栅电极上的钝化层。本申请还提供了制备这种薄膜晶体管的方法。
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