公开(公告)号：CN222521527U

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202420857751.4

申请日：2024-04-24

Applicant: 杭电(海宁)信息科技研究院有限公司 ,  杭州电子科技大学

Inventor： 陈娇娜 ,  孙智慧 ,  赵晓东 ,  张帆 ,  孔亚广 ,  陈张平 ,  徐松柏

IPC: B26F1/02 ,  B26D7/06 ,  B26D7/02

Abstract: 本实用新型属于五金工具技术领域，具体涉及一种皮带开孔器，包括一固定座，沿着皮带打孔方向设置于固定座两侧的相对设置的夹持组件，所述固定座中心位置设有一打孔机构；所述夹持组件包括安装于所述固定座侧面的夹持件，所述夹持件通过弹性件保持向固定座移动趋势；所述两夹持件和固定座包围形成一用于皮带移动的通道。相对设置的夹持组件和固定座包围形成一用于皮带移动的通道，夹持件与固定座通过弹性件连接，在皮带宽度方向上提供持续的夹持力，保证打孔位置位于皮带宽度中心位置，避免打孔歪斜，其操作方便，且能够适应宽度不同的皮带。本实用新型结构简单，便于维修；体积小巧，便于携带。

公开(公告)号：CN211554216U

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201922368919.7

申请日：2019-12-24

Applicant: 杭州电力设备制造有限公司 ,  国网浙江杭州市余杭区供电有限公司 ,  杭州电子科技大学 ,  国网浙江省电力有限公司杭州供电公司

Inventor： 陈峰 ,  张帆 ,  胡翔 ,  孔亚广 ,  缪宇峰 ,  冯姗姗 ,  姜伊欣 ,  陈悦 ,  余桂华 ,  俞啸玲 ,  郑中庭

IPC: G01R31/14

Abstract: 本申请公开了一种开关柜局放信号的融合检测处理电路，包括：用于检测地电波的第一检测电路，用于检测超声波的第二检测电路以及用于检测高频波的第三检测电路；依次与第一检测电路，第二检测电路以及第三检测电路连接的第一滤波电路，第二滤波电路以及第三滤波电路；分别与第一滤波电路，第二滤波电路以及第三滤波电路连接，用于进行信号叠加放大的求和放大电路；与求和放大电路连接，用于进行信号发射的发射电路；用于接收发射电路发射的信号的接收装置。应用本申请的方案，可以有效地进行局放信号的检测以及处理，有利于获得更为准确的信号分析结果。

公开(公告)号：CN210578435U

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201922369086.6

申请日：2019-12-24

Applicant: 杭州电力设备制造有限公司 ,  国网浙江杭州市余杭区供电有限公司 ,  杭州电子科技大学 ,  国网浙江省电力有限公司杭州供电公司

Inventor： 陈峰 ,  王辉东 ,  张帆 ,  孔亚广 ,  郭强 ,  冯姗姗 ,  姜伊欣 ,  钟海 ,  方彦霖 ,  刘星 ,  郑杰文 ,  余桂华

IPC: H03F1/26

Abstract: 本申请公开了一种开关柜局放信号的抗噪优化电路，包括：第一端作为第一信号输入端，第二端作为第二信号输入端，用于接收局放信号的第一差模电容；第一输入端与第一差模电容的第一端连接，第一输出端分别与第二差模电容的第一端及共模干扰信号滤波电路的第一输入端连接，第二输入端与第一差模电容的第二端连接，第二输出端分别与第二差模电容的第二端以及共模干扰信号滤波电路的第二输入端连接的共模电感；第二差模电容；用于过滤共模干扰信号的共模干扰信号滤波电路；与共模干扰信号滤波电路连接的运放电路；与运放电路连接，用于进行信号发射的发射电路；用于接收发射电路发射的信号的接收装置。应用本申请的方案有效地实现了局放信号的去噪。

公开(公告)号：CN201681942U

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201020154946.0

申请日：2010-04-09

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张海鹏 ,  张帆 ,  苏步春 ,  张亮 ,  牛小燕 ,  林弥

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/41

Abstract: 本实用新型涉及一种纵向沟道SOI LDMOS单元。现有技术限制了器件结构与主要电学特性的改善。本实用新型包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、源区、栅介质层、缓冲区、漏极与漏极接触区、场氧区、多晶硅栅极区、接触孔和金属电极引线。本实用新型将集成SOI LDMOS的沟道方向由横向变为纵向，增加了纵向栅场板，同时将表面漏极变为体漏极，横向栅场板被源场板取代，消除了器件导通时通态电流向漂移区正表面集中的不良效应，降低了扩展电阻，改善了漂移区电导调制效应，提高了态电流，降低了通态电阻和通态压降，从而降低了通态功耗，基本消除器件层纵向耐压限制，减小芯片面积，改善器件耐高温特性。

公开(公告)号：CN216133137U

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202121139577.2

申请日：2021-05-25

Applicant: 杭州电力设备制造有限公司 ,  国网浙江杭州市余杭区供电有限公司 ,  国网浙江省电力有限公司杭州供电公司 ,  杭州电子科技大学

Inventor： 沈海萍 ,  汪李忠 ,  韩辉 ,  俞啸玲 ,  莫水良 ,  伍掌 ,  张帆 ,  贾国强 ,  陈张平 ,  沈康琪

IPC: G01R31/00 ,  G01R31/56 ,  G01R19/165 ,  G01H17/00

Abstract: 本申请公开了一种电气设备的运行状态监测装置，包括：用于采集电气设备的声音信息的声音信息采集装置；用于采集电气设备的振动信息的振动信息采集装置；用于采集电气设备的工作电流的电流互感器；包括电极的用于采集电气设备的工作电压的电压采集装置，电极与电气设备的电源线之间形成耦合电容；与声音信息采集装置，振动信息采集装置，电流互感器以及电压采集装置均连接，用于基于声音信息，振动信息，工作电流以及工作电压进行电气设备的运行状态监测的处理器。应用本申请的方案，可以有效地进行电气设备的运行状态监测，提高了检测精度，也不容易影响电器设备正常使用。

公开(公告)号：CN201374335Y

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200920116437.6

申请日：2009-03-26

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张海鹏 ,  张亮 ,  苏步春 ,  张帆 ,  刘国华 ,  徐丽燕

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

Abstract: 本实用新型涉及集成纵向沟道SOI LDMOS器件单元。现有技术限制了器件结构与主要电学特性的改善。本实用新型包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、源区、栅介质层、缓冲区、漏极与漏极接触区、场氧区、多晶硅栅极区、接触孔和金属电极引线。本实用新型将集成SOI LDMOS的沟道方向由横向变为纵向，增加了纵向栅场板，同时将表面漏极变为体漏极，横向栅场板被源场板取代，消除了器件导通时通态电流向漂移区正表面集中的不良效应，降低了扩展电阻，改善了漂移区电导调制效应，提高了态电流，降低了通态电阻和通态压降，从而降低了通态功耗，基本消除器件层纵向耐压限制，减小芯片面积，改善器件耐高温特性。