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公开(公告)号：CN113606103A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110871762.9
申请日：2021-07-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明涉及一种阶梯栅极、栅极结构、阶梯栅极参数确定方法及系统，将栅极设计成阶梯状结构，阶梯栅极沿径向划分为中心区、过渡区和边缘区，中心区、过渡区和边缘区的厚度依次减小，中心区、过渡区和边缘区到另一个栅极的间距依次增大，实现栅极沿径向的间距变化，不同区域的栅极间距不同，使得不同径向位置的等离子体鞘有合适强度的加速电场，能够保证在不同位置离子束都能实现良好的聚焦。
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公开(公告)号：CN112943572B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110307639.4
申请日：2021-03-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 一种改变霍尔推力器磁场后加载程度的磁路结构，涉及磁路设计技术领域，针对现有技术中加速区高能离子对放电通道壁面的溅射侵蚀使得霍尔推力器寿命低的问题，本发明所提出的磁路形成的磁场正梯度强磁场区位于通道外，且可以通过改变磁路结构实现不同后加载程度。可以大幅度改变通道内磁场强度分布，后加载程度可在0‑50％范围内连续可调节，可控制场强峰值位于通道出口内部或外部，进而延长了霍尔推力器的寿命。
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公开(公告)号：CN113357114A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110813110.X
申请日：2021-07-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明公开一种应用于推力器的主阴极的装配结构及其装配方法，主阴极通过绝缘底座安装在连接底座上，使得主阴极与连接底座之间保持绝缘状态，由于连接底座呈环形结构，且环形结构沿周向开设有若干个贯穿其侧壁的开槽，开槽中可更换设有不同长度的定位件，定位件插接在开槽中，并封堵开槽和绝缘底座的间隙，绝缘底座通过与其相连接的搭接件搭接在定位件上，那么通过更换不同长度的定位件，改变搭接件在连接底座上的轴向位置，进而带动绝缘底座改变其在连接底座上的轴向位置，以能够保证主阴极与连接底座间绝缘密封的同时，能够频繁改变主阴极相对于推力器放电室的轴向位置，满足在推力器的实验研究。
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公开(公告)号：CN113252299A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110551213.3
申请日：2021-05-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01M10/00
Abstract: 本发明涉及一种基于介质阻挡放电原理的流场流动显示装置及方法。该装置包括：DBD放电结构包括上电极板与下电极板；上电极板与下电极板平行，且上电极板与下电极板之间设有流体通道；将流体通入至流体通道内，形成待测流场；上电极板为透明电极板；高压电源用于对上电极板以及下电极板施加高压电源；DBD放电结构内的流体被激发放电，产生等离子体；高速摄像机置于DBD放电结构的上方，高速摄像机的拍摄方向垂直于上电极板，高速摄像机用于基于等离子体的流动状态拍摄放电斑图；计算机用于根据放电斑图显示待测流场内的流动环境；流动环境包括流动分离以及涡旋。本发明能够直接观察到流动分离、涡旋等流动环境，可视化效果好，且全程操作简单，耗时短。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113133173A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110411674.0
申请日：2021-04-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种多环导磁柱霍尔推力器磁路结构，包含底板、内铁芯、磁极片、N组通道磁屏环和若干个导磁柱；内铁芯和N组通道磁屏环由内至外同心设置，在相邻两个通道磁屏环之间以及第N组通道磁屏环外侧分别沿周向均匀布置有多个导磁柱，形成等效导磁环，内铁芯、N组通道磁屏环和多个导磁柱均连接在底板上，内铁芯和导磁柱周侧面均缠绕有线圈，每组通道磁屏环为顶部开口的双环结构，通道磁屏环与底板垂直，内铁芯的顶部和每个导磁环的顶部连接有磁极片，其中内铁芯和布置在内铁芯顶部的磁极片均为中空结构；每个磁极片上的通孔与对应的导磁柱间隔排布。本发明可有效提升多环霍尔推力器磁路散热能力进而降低磁路温度，提升可靠性及放电稳定性。
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公开(公告)号：CN111156140B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201811318503.8
申请日：2018-11-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 可提高推力分辨率和工质利用率的会切场等离子体推力器，属于会切场等离子体推力器设计领域。解决了现有会切场推力器在实现其无拖曳应用中推力分辨率不足、在低功率工况下电离不足、工质利用率过低的问题。本发明的会切场等离子体推力器整体为轴对称结构，包括主阳极、第一垫片、空心盖板、外壳、第一级永磁体、第二垫片、第二级永磁体、壁面阳极和陶瓷通道。本发明通过调节陶瓷通道内部的环形壁面阳极电位实时调控通道内部电子的运动行为，从而微调电离过程和输出性能参数，达到提高推力器输出推力分辨率的目的，同时可促进电子径向迁移，进而增加电子与壁面附近的原子的碰撞概率，实现电离区的径向扩展，达到提高推力器工质利用率的目的。
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公开(公告)号：CN112943572A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110307639.4
申请日：2021-03-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 一种改变霍尔推力器磁场后加载程度的磁路结构，涉及磁路设计技术领域，针对现有技术中加速区高能离子对放电通道壁面的溅射侵蚀使得霍尔推力器寿命低的问题，本发明所提出的磁路形成的磁场正梯度强磁场区位于通道外，且可以通过改变磁路结构实现不同后加载程度。可以大幅度改变通道内磁场强度分布，后加载程度可在0‑50％范围内连续可调节，可控制场强峰值位于通道出口内部或外部，进而延长了霍尔推力器的寿命。
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公开(公告)号：CN111322213B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202010087501.3
申请日：2020-02-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明提供了一种可变间距的压电栅极，包括带有卡头的屏栅极、带有卡头的环形隔热绝缘陶瓷套、环形隔热绝缘陶瓷片、环形压电陶瓷、压电陶瓷驱动电源和加速栅极，环形隔热绝缘陶瓷套套设在屏栅极上，且环形隔热绝缘陶瓷套的卡头与屏栅极的卡头相配合，环形压电陶瓷套设在环形隔热绝缘陶瓷套上，环形隔热绝缘陶瓷片设置在环形压电陶瓷的顶部，环形压电陶瓷的底端与环形隔热绝缘陶瓷套的卡头固定，环形压电陶瓷的顶端与环形隔热绝缘陶瓷片固定，并在两端的高温固化导电胶中各加入一根导线，两根导线的另一端均与压电陶瓷驱动电源连接。本发明利用压电陶瓷来改变栅极之间的距离，匹配因推力改变所需的电压变化，从而保持栅极的离子光学束流聚焦状态。
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公开(公告)号：CN108009386B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201711488117.9
申请日：2017-12-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/17 , G06F30/28 , G06F113/08 , G06F119/14 , G06F119/08
Abstract: 一种空心阴极触持极孔径的优化设计方法，涉及航天电推进空心阴极领域，为了解决现有对触持极孔径的优化缺乏理论指导，只能采取不同尺寸的样本逐一进行实验，工作量大、可靠性差的问题。该方法为测量触持极小孔附近的磁场强度；计算电子回旋拉莫尔直径，得到触持极孔径最小值；测得触持极孔径与气压的节流升压曲线，根据电离稳定性的判据条件，得到最小气压，最小气压所对应的触持极孔径为触持极孔径最大值，在触持极孔径最小值和最大值之间选取数值，制备触持极孔径样本，并测试放电性能，放电性能最优时的触持极孔径即为最优触持极孔径。本发明适用于优化设计触持极孔径。
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