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公开(公告)号：CN207742591U
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201820093056.X
申请日：2018-01-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本实用新型公开一种双输出低温漂基准电压源，由并联于电源VDD与地GND之间的启动电路、电流产生电路和双输出基准电压产生电路组成。启动电路，用于在电源上电时提供启动电流，使基准电压源摆脱简并偏置点。电流产生电路，利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率，产生提供双输出基准电压产生电路的输入电流，为基准电压产生电路提供电流。双输出基准电压产生电路，产生低温漂的两个基准电压。本实用新型能解决传统基准电压源电路的输出电压值单一，温漂系数和电源电压抑制比较差的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207083069U
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201721091847.0
申请日：2017-08-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03K19/0175 , H03K5/01
Abstract: 本实用新型公开一种基于频率转换的电容传感器接口电路，由基于电容变化的频率调制电路和频率电压转换电路组成；基于电容变化的频率调制电路的输入端形成整个接口电路的输入端，与被测电容连接；基于电容变化的频率调制电路的输出端连接频率电压转换电路的输入端；频率电压转换电路的输出端形成整个接口电路的输出端；通过基于电容变化的频率调制电路先将被测电容值转换为频率值，再通过频率电压转换电路将频率值转换为电压值。本实用新型能够有效抑制低频处噪声的影响，仅需要一个输入信号周期，可将频率信号转化为相应的电压信号，减小了输出的延时，极大的提高电容传感器接口电路反应速度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207010648U
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201720984075.7
申请日：2017-08-08
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种应用于锁相环的电荷泵电路，由主电荷泵模块、补偿电荷泵模块和控制模块组成。主电荷泵模块和补偿电荷泵模块的结构相同，并呈镜像地设置在控制模块的输入端侧和输出端侧。其中主电荷泵模块由运算放大器OP1和MOS管M1-M8构成；MOS管M1的源极接电源VDD，MOS管M1的漏极接MOS管M3源极；补偿电荷泵模块由MOS管M9-M16的MOS管和运算放大器OP2构成。本实用新型即保留了传统电荷泵较宽的电压输出范围及较高的充放电电流匹配度，同时又减小了由于沟道长度调制的影响所产生的充放电电流相对于理想电流的偏离。本实用新型结构简单，易于集成，适合高性能要求的锁相环应用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206573970U
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201720277052.2
申请日：2017-03-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本实用新型公开一种高电源抑制比全CMOS基准电压源，包括基准电压源，该基准电压源包括启动电路、电流源电路和温度补偿电路；启动电路的输出端连接电流源电路的输入端，电流源电路的输出端连接温度补偿电路的输入端，温度补偿电路的输出端形成整个基准电压源的输出端。本实用新型利用工作在亚阈值区MOS管的工作特性，产生纳安量级的基准电流，采用共源共栅电流镜，来抑制电源噪声。此外，本实用新型不仅具有芯片面积小、功耗低，仅为纳瓦量级；而且具有高电源抑制比，低温漂系数和低电源电压调整率的优点，且没有使用电阻、二极管以及三极管，与标准CMOS工艺兼容，有效的缩小了版图面积，并降低生产成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206481286U
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201720181595.4
申请日：2017-02-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03L7/02 , H03K17/687 , H03H11/04
Abstract: 本实用新型公开一种频带间隔均匀的宽带压控振荡器，由电感电容谐振电路和开关电容阵列电路组成。开关电容阵列电路包括两段线性逼近开关电容阵列和数字逻辑控制电路。采用两段线性逼近电容阵列替代传统的二进制权重电容阵列，根据控制码的变化利用数字逻辑控制电路调整两段线性逼近开关电容阵列接入谐振回路的开关电容的大小，使得各相邻频带的调谐曲线间隔趋于均匀，即可以减小各个频带调谐曲线间隔的差异性，提高均匀性，通过降低频带间隔值即降低调谐增益以实现改善频率合成器相位噪声的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN206379929U
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201720059766.6
申请日：2017-01-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种增益自适应误差放大器，包括电平偏移电路、运算跨导放大电路和比较电路。电平偏移电路使运算跨导放大电路的输入电平满足正常工作要求；运算跨导放大电路利用双极三极管作为差分对管，并利用MOS管共源结构电流镜为其差分对管提供电流偏置以降低功耗，以保证提供更大的增益；比较电路利用反馈结构控制比较电路输出摆率，从而输出运算跨导放大电路的控制信号；限幅电路对运算跨导放大电路输出电压进行限幅。本实用新型降低了负载电流稳定应用中的电源输出纹波，从而降低了系统功耗，但同时对负载瞬态特性影响很小。
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公开(公告)号：CN206294132U
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201621335875.8
申请日：2016-12-07
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种低功耗低噪声电流反馈型仪表放大器，由输入预处理电路I0、运算跨导放大电路I1和电容反馈网络I2组成；所述运算跨导放大电路I1包括输入跨导支路和反馈跨导支路；在晶体管长度相同的情况下，输入跨导差分晶体管对即PMOS晶体管PM10和PMOS晶体管PM11的宽长比是反馈跨导差分晶体管对即PMOS晶体管PM12和PM13的宽长比的N倍，且偏置晶体管对即PMOS晶体管PM14宽长比是PMOS晶体管PM15的宽长比的N倍；上述N大于1。本实用新型通过等比例缩小反馈跨导晶体管支路的电流及其晶体管的宽长比，来降低电流反馈型仪表放大器的功耗与噪声。
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公开(公告)号：CN204990061U
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201520708966.0
申请日：2015-09-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本实用新型公开一种消除体效应的带隙基准源，包括启动电路，纳安量级基准电流产生电路，温度补偿电路和电流镜。利用工作在亚阈值区MOS工作特性，产生纳安量级的基准电流，采用共源共栅电流镜，抑制电源噪声，采用源极耦合差分对代替传统带隙电压源中所采用的电阻和Bipolar晶体管，消除体效应的影响，采用MOS的栅源电压具有负温度系数与MOS管的栅源电压差具有正温度系数相互调节的方法，得到一个零温漂的参考电压。
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公开(公告)号：CN221225405U
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202323351684.3
申请日：2023-12-08
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本实用新型公开一种模拟数字双环LDO电路，采用数字环路和模拟环路双环的形式，将功率管分为模拟功率管和数字功率管，这样在相同功率管尺寸情况下，负载电流更大；另外，由于模拟数字双环LDO的数字功率管负担了一部分电流，模拟功率管负载电流变化为总电流的一部分，使得模拟数字双环LDO的模拟功率管尺寸小于单模拟环路LDO中承担全部负载电流的功率管尺寸，这样模拟功率管栅极寄生电容更小，充放电速度更快，有效改善了电路的瞬态响应，栅极处极点位置更高频，环路容易补偿，同时模拟功率管负载电流变化为总电流的一部分，输出端极点位置变化也较小，环路更易补偿。
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公开(公告)号：CN220629323U
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202321721610.1
申请日：2023-07-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03M3/00
Abstract: 本实用新型提供一种高阶连续时间混合架构Sigma‑Delta调制器，积分单元包含了一个单放大器双二阶积分器、一个无源积分器和一个有源积分器，与传统高阶Sigma‑Delta调制器相比，该混合架构调制器只使用了两个运算放大器，极大降低了功耗。通过在最后一个有源积分器前加入无源网络，降低带外高频信号噪声的同时为环路提供了一条局部前馈路径，从而减少了一个反馈DAC的使用。本实用新型提供的高阶连续时间混合架构Sigma‑Delta调制器，可应用于声学传感器、超声波传感器等宽带领域，同时集成校准技术，实现更高的信噪比和更宽的动态范围。
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