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公开(公告)号：CN114605995A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210215693.0
申请日：2016-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及量子点、其制造方法、量子点‑聚合物复合物和包括其电子装置。量子点具有钙钛矿晶体结构和包括由化学式1表示的化合物，其中，A为选自Rb、Cs、Fr、及其组合的IA族金属，B为选自Si、Ge、Sn、Pb、及其组合的IVA族金属，X为选自F、Cl、Br、和I的卤素、BF4‑、或其组合，和α大于0且小于或等于约3；和其中所述量子点具有约1纳米‑约50纳米的尺寸。化学式1ABX3+α。
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公开(公告)号：CN106957652B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201611195503.4
申请日：2016-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及量子点、制造其的方法，包括其的量子点聚合物复合物和器件。量子点包括芯‑壳结构，所述芯‑壳结构包括：包括第一半导体纳米晶体的芯、和设置在所述芯上并且包括结晶或无定形材料和至少两种不同的卤素的壳，且所述量子点不包括镉。
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公开(公告)号：CN112680211A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011109701.0
申请日：2020-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及芯壳量子点、其制造方法、量子点群、量子点复合物、量子点组合物和显示器件。公开了芯壳量子点及其制造，所述芯壳量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯，所述第一半导体纳米晶体包括锌、碲、和硒；和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述半导体纳米晶体壳包括锌、以及硒、硫或其组合，其中所述芯壳量子点不包括镉、铅、汞、或其组合，其中所述芯壳量子点包括氯，其中在所述芯壳量子点中，氯相对于碲的摩尔比大于或等于约0.01:1，和其中所述芯壳量子点的量子效率大于或等于约10％。
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公开(公告)号：CN112442371A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010895937.5
申请日：2020-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及量子点、其制造方法、包括其的量子点群和电致发光器件。量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯，所述第一半导体纳米晶体包括锌硫属化物；和设置在所述芯的表面上并且包括锌、硒和硫的半导体纳米晶体壳。所述量子点不包括镉，发射蓝色光，并呈现出具有闪锌矿结构的(100)面的通过透射电子显微镜图像的快速傅里叶变换获得的数字衍射图样，并且在所述量子点的X射线衍射光谱中，缺陷峰面积相对于闪锌矿晶体结构的峰面积的比小于约0.8:1。还公开了制造所述量子点的方法和包括所述量子点的电致发光器件。
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公开(公告)号：CN107057173B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201710084565.6
申请日：2012-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08L23/08 , C08K3/30 , C09K11/02 , C09K11/56 , C09K11/88 , H01L51/50 , H01L51/56 , H01L51/54 , H01L33/50 , H01L33/00 , B82Y30/00
Abstract: 公开复合物、制备其的组合物和方法、包括其的复合膜和器件，所述复合物包括半导体纳米晶体、具有能够与所述半导体纳米晶体的表面结合的羧酸根阴离子基团(‑COO‑)的聚合物、和能够与所述羧酸根阴离子基团结合的金属阳离子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111864087A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010338491.6
申请日：2020-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供发光器件、其制造方法、和包括其的显示设备，所述发光器件包括：彼此面对的第一电极和第二电极；设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层。所述发射层包括：设置在所述第一电极上并且具有空穴传输性质的第一发射层；设置在所述第一发射层上的第二发射层和第三发射层；其中所述第二发射层包括具有双极传输性质的有机化合物，并且所述第三发射层具有与所述第一发射层和所述第二发射层不同的组成；其中所述第一发射层、第二发射层和第三发射层包括多个量子点，和其中所述第一发射层、第二发射层和第三发射层配置成发射相同颜色的光。
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公开(公告)号：CN110746958A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910665612.5
申请日：2019-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/02 , C09K11/88 , G02F1/1335 , H01L33/50
Abstract: 量子点、其制造方法、以及包括其的组合物、复合物和电子设备，所述量子点包括半导体纳米晶体芯和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述量子点不包括镉，其中所述芯包括III-V族化合物，所述量子点具有在绿色光波长区域中的最大光致发光峰，所述最大光致发光峰的半宽度(FWHM)小于约50纳米(nm)，并且在所述最大光致发光峰的波长和所述量子点的第一吸收峰波长之间的差异小于或等于约25纳米。
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公开(公告)号：CN110551495A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910467626.6
申请日：2019-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开半导体纳米晶体-配体复合物和包括该复合物的电子装置。所述半导体纳米晶体-配体复合物包括半导体纳米晶体和包含配位在所述半导体纳米晶体的表面上的有机配体的配体层，其中所述有机配体包括具有共轭结构的部分、以及连接至所述具有共轭结构的部分的第一官能团(X)和第二官能团(Y)，其中所述第一官能团(X)结合至所述半导体纳米晶体的表面，且所述第二官能团(Y)在相对于所述第一官能团(X)的邻位处存在。
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公开(公告)号：CN110289360A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910207073.0
申请日：2019-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了电致发光器件、包括其的显示设备、及其形成方法，所述电致发光器件包括第一电极、设置在所述第一电极上的空穴传输层、设置在所述空穴传输层上并且包括其上附着具有空穴传输性质的第一配体的第一发光颗粒的第一发射层、设置在所述第一发射层上并且包括其上附着具有电子传输性质的第二配体的第二发光颗粒的第二发射层、设置在所述第二发射层上的电子传输层、和设置在所述电子传输层上的第二电极，其中所述第一配体和所述第二配体具有不同的溶剂选择性。
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公开(公告)号：CN110246987A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910180460.X
申请日：2019-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及量子点、其制造方法、电致发光器件和显示设备。量子点包括：包括包含锌、碲和硒的第一半导体纳米晶体材料的芯；以及设置在所述芯上(例如，直接设置在所述芯上)并且包括锌、硒和硫的半导体纳米晶体壳，其中所述量子点不包括镉，其中所述量子点的尺寸大于或等于约10纳米(nm)且所述量子点包括至少四个突起。还公开了其制造方法和包括其的电子器件。
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