公开(公告)号：CN114605995B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202210215693.0

申请日：2016-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵智玄 ,  张银珠 ,  金龙郁 ,  高劳姆.朴

IPC: C09K11/66 ,  C09K11/02 ,  H10K50/115 ,  H10K99/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及量子点、其制造方法、量子点‑聚合物复合物和包括其电子装置。量子点具有钙钛矿晶体结构和包括由化学式1表示的化合物，其中，A为选自Rb、Cs、Fr、及其组合的IA族金属，B为选自Si、Ge、Sn、Pb、及其组合的IVA族金属，X为选自F、Cl、Br、和I的卤素、BF4‑、或其组合，和α大于0且小于或等于约3；和其中所述量子点具有约1纳米‑约50纳米的尺寸。化学式1ABX3+α。

公开(公告)号：CN114605995A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202210215693.0

申请日：2016-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵智玄 ,  张银珠 ,  金龙郁 ,  高劳姆.朴

IPC: C09K11/66 ,  C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明涉及量子点、其制造方法、量子点‑聚合物复合物和包括其电子装置。量子点具有钙钛矿晶体结构和包括由化学式1表示的化合物，其中，A为选自Rb、Cs、Fr、及其组合的IA族金属，B为选自Si、Ge、Sn、Pb、及其组合的IVA族金属，X为选自F、Cl、Br、和I的卤素、BF4‑、或其组合，和α大于0且小于或等于约3；和其中所述量子点具有约1纳米‑约50纳米的尺寸。化学式1ABX3+α。