一种用于变电站局部放电测向的特高频相控阵的优化布置方法

    公开(公告)号:CN107085171A

    公开(公告)日:2017-08-22

    申请号:CN201710213874.9

    申请日:2017-04-01

    Abstract: 本发明公开了一种用于变电站局部放电测向的特高频相控阵的优化布置方法,包括如下步骤:1)令相控阵的阵元数目和阵元间距不变,推导不同几何形状的克拉美罗下界表达式,优化特高频相控阵的几何形状;2)对于几何形状优化后的相控阵,令相控阵的阵元间距不变,在数值仿真中绘制测向误差与阵元数目的关系曲线,结合采集系统的造价,优化特高频相控阵的阵元数目;3)对于几何形状、阵元数目优化后的相控阵,采集变电站内的局部放电信号,分析信号频谱,优化特高频相控阵的阵元间距。本发明所用特高频相控阵体积较小,抗干扰能力强,拥有较高的空间分辨率,便于局部放电巡检。

    一种基于多参量融合的油浸式变压器热点温度估算方法

    公开(公告)号:CN107063502A

    公开(公告)日:2017-08-18

    申请号:CN201710251942.0

    申请日:2017-04-17

    Abstract: 本发明公开了一种基于多参量融合的油浸式变压器热点温度估算方法,包括以下步骤:(1)根据变压器内部热传递过程,明确了变压器热点热源与热油区域的定义和计算方法,减少将绕组整体视作热点热源所引起的计算偏差;(2)修正热油区域热容Cwo和热点热容Chs的算法,提高时间常数τwo和绕组时间常数τhs的准确度和计算模型的动态响应能力。(3)考虑时变环境温度、时变负载对热点温度的影响,建立热点温度动态计算方程;在推导模型动态方程时,进一步考虑了负载损耗和油粘度的温度特性,使计算结果更准确地反映变压器内部的温升情况。本发明方法可以动态反应变压器内部的温度变化特性,且计算简单,准确度高。

    基于3D打印的电导率梯度聚合物绝缘子制造方法

    公开(公告)号:CN105321635B

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201510622239.7

    申请日:2015-09-25

    Abstract: 本发明属于高电压设备制造领域,公开基于3D打印的电导率梯度聚合物绝缘子制造方法,所述方法包含以下步骤:1)绝缘子三维建模及模型切片;2)电导率空间分布计算;3)原料制备;4)混合比例计算;5)绝缘子3D打印;6)后处理。本发明提供的基于3D打印的电导率梯度聚合物绝缘子制造方法,相比较于离心制造技术,能够实现多维度的绝缘子材料电导率空间分布,达到灵活调控直流电压下绝缘子内部及表面电场强度,提升绝缘子击穿电压的目的。

    一种三绕组变压器损耗在线测量系统

    公开(公告)号:CN104181429B

    公开(公告)日:2017-04-19

    申请号:CN201410438533.8

    申请日:2014-08-29

    Abstract: 本发明公开了一种三绕组变压器损耗在线测量系统,该系统包括用于测量三绕组变压器电压和电流的电压互感器和电流互感器,所述的电压互感器和电流互感器的输出端与采集卡相连,采集卡将采集的电压/电流信号经过A/D转换后,根据互感器校准数据进行修正,计算相电压/相电流,通过快速傅里叶变换,得到三绕组三相的电流和电压的基波分量和各谐波分量后根据损耗公式进行损耗的计算,本发明能够在变压器内部参数未知的情况下,在线测量三绕组变压器损耗,具备9路电压信号及9路电流信号的同步采集、保存、分析及处理能力,能够对由互感器精度及角差、二次信号传输干扰、谐波等因素导致的测量误差进行有效补偿、校正。

    一种输电线路舞动监测装置监测结果的评估方法

    公开(公告)号:CN106033499A

    公开(公告)日:2016-10-19

    申请号:CN201610326548.4

    申请日:2016-05-17

    CPC classification number: G06F19/00 H02G7/16

    Abstract: 本发明公开一种输电线路舞动监测装置监测结果的评估方法,包括:1)、采用输电线路导线舞动监测标准系统、待测系统同时进行线路舞动监测;2)、对标准系统、待测系统针对试验线路舞动的测试轨迹进行截取;截取k个周期内线路舞动轨迹数据,对其进行时域离散;3)、对截取的标准系统及待测系统的单点舞动轨迹进行处理,获得标准系统和待测试系统的极坐标轨迹曲线;4)、计算待测系统线路舞动单点轨迹相对于标准系统线路舞动单点轨迹的误差。本发明直接针对标准系统、待测系统的X‑Y轨迹图进行比较分析,避免了因为不同系统具有不同的时标而在X‑t、Y‑t轨迹图中带来的误差,评价结果更加合理准确。

    用于二次电子发射系数测量的半球型电子收集装置及测量方法

    公开(公告)号:CN103776857B

    公开(公告)日:2016-04-27

    申请号:CN201410022709.1

    申请日:2014-01-17

    Abstract: 本发明公开了用于二次电子发射系数测量的半球型电子收集装置及测量方法,包括设置于真空室中的电子枪和收集装置,收集装置由外向内依次为半球型收集极、第一层金属筛网和第二层金属筛网,上下开口的电子束通道腔贯穿收集极、第一层金属筛网和第二层金属筛网,电子束通道腔的上开口对准电子枪,下开口对准能够水平移动及转动的样品台,样品台上设置有样品,法拉第筒连接在样品台的一端。电子束通道腔可屏蔽收集极和两层筛网之间的外在偏压电场对电子束运动轨迹的影响。第二层金属筛网起到屏蔽收集极正偏压和第一层金属筛网负偏压的作用,营造无电场区域,使得电子通过该区域到达样品过程中不受外在电场影响。

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