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公开(公告)号：CN102157459B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201110063943.5
申请日：2011-03-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种TSV芯片键合结构，属于微电子技术领域。所述键合结构包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片包括第一微凸点和第一微凸点周围的第一环绕结构，所述第一环绕结构的高度大于所述第一微凸点的高度；所述第二芯片包括第二微凸点，所述第二微凸点嵌入所述第一环绕结构且所述第一环绕结构限制所述第二微凸点的横向位移。所述第二芯片还可包括第二环绕结构，所述第一环绕结构嵌入所述第二环绕结构且所述第二环绕结构限制所述第一环绕结构的横向位移。本发明可用于半导体器件的制造等领域。
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公开(公告)号：CN102050418A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010500612.9
申请日：2010-09-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种三维集成结构及其生产方法，属于微机械电子系统与集成电路加工领域。所述三维集成结构包括：由两个晶圆形成的晶圆键合对，贯穿所述晶圆键合对的至少一个TSV通孔和微铜柱，位于所述晶圆键合对的键合界面处的一个空穴，位于所述晶圆键合对的第一表面，和所述微铜柱电连接的MEMS器件，和位于所述晶圆键合对的第二表面，和所述TSV通孔电连接的芯片。本发明还公开了三维集成结构的两种生产方法。本发明可用于制造集成电路。该集成结构及其生产方法可以有效解决MEMS器件与其处理集成电路的兼容性问题。
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公开(公告)号：CN101661943B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200810118875.6
申请日：2008-08-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/146 , H01L21/822
Abstract: 本发明公开了一种紫外图像传感器及其像素单元以及制备方法。紫外图像传感器包括行扫描/驱动电路、列信号读出/驱动电路和像素阵列，每个像素单元包括信号放大器电路和光探测元件。图像传感器的行扫描/驱动电路、列信号读出/驱动电路和像素单元的信号放大器电路均采用硅CMOS技术制作，同步集成于同一衬底，且光探测元件位于信号放大器电路之上，光探测元件与信号放大器电路之间由介质层隔离，两者通过上述介质层的通孔实现电连接。本发明实现了单片集成，因此具有更高的性能和更低的成本，并显著提高了紫外图像传感器的分辨率和灵敏度。
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公开(公告)号：CN101875481A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN201010212477.8
申请日：2010-06-29
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于低温共烧陶瓷的MEMS封装方法，包括以下步骤：分别制作低温共烧陶瓷上、下基板，在上基板和/或下基板中形成立体电互连网络、内嵌式微流道和开放腔体；将元器件固定在上基板或下基板的预定位置，并进行电气连接；然后将上、下基板对准封接，元器件被封装在其中的腔体中，而微流道连通腔体和封装体外部；在微流道通往封装体外部的出口处连接外部微管，由外部微管实现腔体与外界的气体或液体流通。该方法提高了MEMS封装的集成度、稳定性和灵活性，不仅可以实现真空封装，并可通过微流道输运循环散热介质实现腔体内器件的散热，还可以通过微流道为封装腔体内的医学、生物或化学MEMS器件输送检测样品等。
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公开(公告)号：CN100594622C
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200810105938.4
申请日：2008-05-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种超薄硅基粒子探测器及其制备方法。本发明探测器包括硅基片，硅基片上的探测窗口以及硅基片和探测窗口之外的介质层；所述探测窗口包括P区，N区以及夹在两者之间的硅层；所述P区周围设有保护环，保护环和P区不相接触；P区上方还设有基质层形成的缓冲台阶；N区优选通过TMAH腐蚀法形成，其外形呈倒圆台状，侧面和底面的夹角为54.74°；P区和N区表层均设有铝层。本发明还公开了所述探测器的制备方法。本发明探测器可很好地作为粒子鉴别的ΔE探测器应用于空间探测，核物理，医学检测和环境监测等领域。
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