-
公开(公告)号：CN107758650A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201610675455.2
申请日：2016-08-16
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明涉及石墨烯领域，具体为一种高效掺杂石墨烯的化学掺杂剂和掺杂方法，该掺杂剂适用于不同基体上不同层数石墨烯的掺杂。化学掺杂剂采用阳离子型光引发剂或可生成阳离子型光引发剂的前驱体物质；或者，化学掺杂剂采用阳离子型光引发剂或可生成阳离子型光引发剂的前驱体物质，与其他类型光引发剂之一或两种以上的组合。将化学掺杂剂与石墨烯表面接触后，对石墨烯进行掺杂，并可通过阳离子型光引发剂进行光照或加热提高其掺杂效果和掺杂稳定性。从而，为实现掺杂态石墨烯在电子、光电子器件中的应用奠定了基础。
-
公开(公告)号：CN107364851A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201611065371.3
申请日：2016-11-28
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C01B32/194 , H01L51/56 , H01L51/48 , H01L51/44 , H01L51/52
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/442 , C01B2204/04 , C01B2204/22 , C01P2004/02 , C01P2004/03 , H01L51/0021 , H01L51/5203
Abstract: 本发明涉及一种松香树脂转移石墨烯的方法及石墨烯透明导电薄膜的制备与应用。该方法主要包括：(1)将松香树脂溶解于有机溶剂，然后涂覆在金属箔基体上生长的石墨烯的表面，加热固化，得到的松香/石墨烯/金属箔复合体；(2)通过刻蚀法去掉金属箔或采用电化学剥离法使松香/石墨烯与金属箔分离；(3)将松香/石墨烯复合体转移到目标基体上，并利用热处理去除石墨烯和目标基体之间的水分；(4)清洗去除松香，从而实现石墨烯的转移。本发明方法使转移的石墨烯表面具有更高的清洁度，同时可以很好地保持石墨烯薄膜的完整性和优异的光电性能，可制备石墨烯透明导电薄膜，适用于太阳能电池、有机发光二极管等器件的制备与应用。
-
公开(公告)号：CN106810875A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201510873045.4
申请日：2015-12-02
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明公开了一种含石墨烯的导热导电复合材料及其制备方法和应用，属于新材料及其应用技术领域。将银粉末等和石墨烯混合的导热导电填料与乙烯基硅油等有机高分子弹性材料均匀混合，通过银粉末等大粒径填料与高导热导电的石墨烯协同作用，在有机高分子基体中构建更多更畅通的导热导电网络，从而获得具有优异导热导电性能、良好弹性和柔性的有机高分子复合材料。所述复合材料制备工艺简单，导热率可达12W/mK，导电率可达500S/m，电磁屏蔽性能可达45dB，具有良好的弹性和可压缩性能，能很好的填充热界面间隙。此复合材料可作为一种高性能的导热界面材料或导热导电高分子材料或电磁屏蔽材料使用。
-
公开(公告)号：CN106803592A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201510836989.4
申请日：2015-11-26
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: H01M4/66 , H01M4/80 , H01M10/052
CPC classification number: H01M4/663 , H01M4/665 , H01M4/666 , H01M4/808 , H01M10/052
Abstract: 本发明涉及石墨烯基新材料领域，具体为一种石墨烯/还原氧化石墨烯杂化嵌套多孔网络结构材料及制备方法和在锂硫电池上的应用，通过化学气相沉积法制备石墨烯泡沫，并结合还原氧化石墨烯气凝胶制备技术，获得还原氧化石墨烯气凝胶与三维石墨烯泡沫嵌套的多孔网络结构材料，集成石墨烯及其三维网络的高导电性、多孔材料的高孔隙率和高比表面积，以及还原氧化石墨烯丰富的含氧官能团等结构性能优势。以此材料为集流体负载硫单质，制备出担载高比例硫的锂硫电池正极整体电极，实现高活性物质面密度，得到的锂硫电池具有高比容量与高能量密度。本发明操作简便、产率高、易于进行结构调控，为石墨烯在高性能催化、传感及储能器件等领域的应用奠定基础。
-
公开(公告)号：CN106567055A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201510665056.3
申请日：2015-10-08
Applicant: 中国科学院金属研究所
CPC classification number: C23C16/305 , C23C16/01 , C30B25/02 , C30B29/46 , C30B29/64
Abstract: 本发明涉及二硫化钨领域，具体为一种大面积高质量完全单层的二硫化钨的制备方法。采用化学气相沉积技术，以对钨溶解度极低的金为生长基体，在常压下利用钨源和硫源高温下在金基体表面催化反应，自限制生长完全单层的二硫化钨的大尺寸单晶和大面积连续薄膜。利用常压条件下所得二硫化钨和金基体结合较弱的特点，分别采用鼓泡转移方法和鼓泡与卷对卷转移相结合的方法，在不破坏金基体的情况下将大面积完全单层的二硫化钨转移至刚性和柔性基体上。采用本发明可获得完全单层的高质量毫米级二硫化钨单晶和大面积连续薄膜，为单层二硫化钨在电子/光电子器件、自旋器件和太阳能电池、气体/光传感器、柔性薄膜电子/光电子器件等领域的应用奠定基础。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106564880A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201510645447.9
申请日：2015-10-08
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C01B32/184
Abstract: 本发明涉及石墨烯的转移技术，具体为一种无损转移大面积石墨烯薄膜的方法。该方法利用目标基体作为转移大面积石墨烯的结构支撑，采用胶粘剂将初始基体上的大面积石墨烯与目标基体结合；然后将其作为电解液的电极，利用电解液的插层作用将石墨烯与初始基体无损分离，从而实现大面积石墨烯向目标基体的无损转移。本发明使用目标基体作为转移石墨烯的结构支撑层，减少了大面积石墨烯在转移过程中的破损，易于实现卷对卷的规模化连续转移；而且采用电解液插层分离的方法不会对初始基体造成破坏，也无危险或有害气体产生，降低了生产成本。
-
公开(公告)号：CN104409177B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410709308.3
申请日：2014-11-28
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明涉及石墨烯透明导电膜的制备技术，具体为一种稳定掺杂的大面积石墨烯透明导电膜规模化制备方法。该方法通过夹层结构提高石墨烯透明导电膜的掺杂效果和稳定性，掺杂剂与石墨烯的本征表面直接接触并位于石墨烯与透明基体之间。首先在初始基体上的石墨烯表面或透明基体表面形成掺杂剂，然后将石墨烯、掺杂剂和透明基体进行结合，最后将石墨烯与初始基体分离，从而制备出稳定掺杂的大面积石墨烯透明导电膜。石墨烯作为掺杂剂的外层保护膜，提高掺杂的稳定性；石墨烯的本征表面与掺杂剂直接接触，避免杂质对两者之间界面的污染，改善掺杂剂的掺杂效果，从而提高薄膜的导电性。将石墨烯的转移和掺杂过程合二为一，易于实现规模化制备。
-
公开(公告)号：CN105883779A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201510039352.2
申请日：2015-01-26
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及石墨烯的制备技术，具体为一种CVD生长大面积石墨烯的规模化方法。该方法通过在CVD生长中采用生长基体与固相碳源交替堆叠的方式，提高单批次生长大面积石墨烯的产量。本发明使用平面结构的生长基体和可循环利用的固相碳源，将两者交替堆叠进行CVD生长，在生长基体的上下表面形成大面积石墨烯，并重复使用固相碳源。生长基体与固相碳源交替堆叠的方式，大幅提高了生长基体的单批次装载量，并实现了生长基体的上下表面均生长出高质量的大面积石墨烯，从而提高单批次生长石墨烯的产量。采用可循环利用的固相碳源可以避免因大量消耗高纯气相碳源造成的高生产成本，因此可作为一种低成本、高效率生产大面积石墨烯的规模化方法。
-
公开(公告)号：CN103756103B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410057077.2
申请日：2014-02-19
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及聚合物基PTC热敏电阻复合材料，具体为一种石墨烯／高密度聚乙烯PTC热敏电阻复合材料及制备方法，属于功能高分子复合材料领域。该复合材料是由石墨烯导电填料和高密度聚乙烯基体构成；按重量百分比计，该PTC热敏电阻复合材料组分中，石墨烯占1%～10%。首先将高密度聚乙烯颗粒用高速万能粉碎机粉碎成粉末，然后将其与石墨烯搅拌混合，再通过转矩流变仪熔融共混，最后用平板硫化机热压制成石墨烯/高密度聚乙烯PTC热敏电阻复合材料。本发明以石墨烯为导电填料的聚合物基复合材料，具有起始电阻低、响应速度快、PTC强度高、循环性好等优点，可为石墨烯在高性能热敏电阻上的应用奠定基础，并为石墨烯的应用指明方向。
-
公开(公告)号：CN103030974B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201210574175.4
申请日：2012-12-18
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C08L83/04 , C08L21/00 , C08L75/04 , C08L63/00 , C08L91/06 , C08L77/00 , C08L33/12 , C08L79/08 , C08L23/06 , C08L25/06 , C08L23/12 , C08K3/04 , C08J9/26
Abstract: 本发明涉及石墨烯基泡沫复合材料领域，具体为一种轻质柔性石墨烯／聚合物泡沫电磁屏蔽材料及其制备和应用。采用已生长满石墨烯的三维全连通的金属泡沫和高分子聚合物前驱体，将石墨烯／金属泡沫复合体和高分子聚合物前驱体混合，使石墨烯／金属泡沫复合体表面包覆一层高分子聚合物前驱体；固化混合体中的高分子聚合物前驱体，随后溶解去除多孔金属基底，进而得到轻质柔性的石墨烯／聚合物泡沫电磁屏蔽材料。本发明的石墨烯／聚合物泡沫复合材料具有很低的密度和良好的柔韧性，其中的石墨烯以一种无缝连接的方式构成一个全连通的网络，使这种复合材料具有优良的电导性能和电磁屏蔽性能，可广泛应用于航空航天、便携电子器件等领域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
270
records
(took 0.035 seconds)
